我国首台国产12英寸PECVD样机沈阳出厂

10月21日，由我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备在沈阳出厂，这标志着关键IC装备国产化实现重大突破。据悉，设备出厂前已完成3000片工艺测试和10000牍可靠性测试，各项指标均达到设计要求。

12英寸PECVD设备是国际主流薄膜沉积设备，是芯片制造过程中四种最基本、最重要的设备之一，是高质量薄膜材料生长必备设备。一直以来，12英寸PECVD技术都被欧美以及日本等国家所垄断，技术难度大，单台价值高，设备进口受到发达国家的严格限制。拥有完全自主知识产权的12英寸PECVD设备样机成功研发，标志着我国在集成电路高端设备（PECVD）研究和制造领域技术达到了国际先进水平，使我国IC薄膜设备制造水平与国际IC制造业主流技术水平保持同步，完善了国内半导体重要装备的产业链，打破国外产品的市场垄断和技术垄断，使我国有能力在IC高端设备市场上参与国际竞争，对提升我国IC制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。

在国家中长期战略发展规划中，将集成电路制造产业的重点发展项目列为国家十六个重点支持的专项之一，统称为02专项，并计划通过3个五年计划，使我国在集成电路制造领域赶上和超过世界先进水平。12英寸PECVD设备是由沈阳拓荆科技有限公司承担研制的国家02重大科技专项《90-65nm纳米等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备的研制与应用》项目，该项目是2008年9月首批启动的国家“十一五”重大专项中最大单体项目之一，也是迄今为止辽宁省落实的最大的02专项国家级科研项目，项目总投资3.5亿元。

拓荆公司总经理姜谦表示，沈阳拓荆科技生产4-12英寸PECVD设备技术水平已经到达国际先进水平并填补国内空白。首台12英寸PECVD设备在完成客户在线测试后即可实现销售，未来3年至5年内有望占有10%的国际市场，可实现销售额10亿元人民币。目前，公司已具有5000平方米国际一流的半导体设备生产环境和国际最先进的薄膜测试实验室，达到年产30台（套）的生产能力。
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http://www.chinaequip.gov.cn/2011-10/31/c_131221112.htm

10月21日，由我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备在沈阳出厂，这标志着关键IC装备国产化实现重大突破。据悉，设备出厂前已完成3000片工艺测试和10000牍可靠性测试，各项指标均达到设计要求。

12英寸PECVD设备是国际主流薄膜沉积设备，是芯片制造过程中四种最基本、最重要的设备之一，是高质量薄膜材料生长必备设备。一直以来，12英寸PECVD技术都被欧美以及日本等国家所垄断，技术难度大，单台价值高，设备进口受到发达国家的严格限制。拥有完全自主知识产权的12英寸PECVD设备样机成功研发，标志着我国在集成电路高端设备（PECVD）研究和制造领域技术达到了国际先进水平，使我国IC薄膜设备制造水平与国际IC制造业主流技术水平保持同步，完善了国内半导体重要装备的产业链，打破国外产品的市场垄断和技术垄断，使我国有能力在IC高端设备市场上参与国际竞争，对提升我国IC制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。

在国家中长期战略发展规划中，将集成电路制造产业的重点发展项目列为国家十六个重点支持的专项之一，统称为02专项，并计划通过3个五年计划，使我国在集成电路制造领域赶上和超过世界先进水平。12英寸PECVD设备是由沈阳拓荆科技有限公司承担研制的国家02重大科技专项《90-65nm纳米等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备的研制与应用》项目，该项目是2008年9月首批启动的国家“十一五”重大专项中最大单体项目之一，也是迄今为止辽宁省落实的最大的02专项国家级科研项目，项目总投资3.5亿元。

拓荆公司总经理姜谦表示，沈阳拓荆科技生产4-12英寸PECVD设备技术水平已经到达国际先进水平并填补国内空白。首台12英寸PECVD设备在完成客户在线测试后即可实现销售，未来3年至5年内有望占有10%的国际市场，可实现销售额10亿元人民币。目前，公司已具有5000平方米国际一流的半导体设备生产环境和国际最先进的薄膜测试实验室，达到年产30台（套）的生产能力。
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http://www.chinaequip.gov.cn/2011-10/31/c_131221112.htm