我首台12英寸单晶炉研制成功

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/29 22:39:16
记者张哲浩  
   本报讯 近日,国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目在北京正式通过科技部的验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备,在我国首次研制成功。
  单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务,课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。

  验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产迈上了一个新台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
集成电路和太阳能电池原材料的问题都解决了~顶~:b记者张哲浩  
   本报讯 近日,国家863计划项目“超大规模集成电路配套材料”重大专项中的“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”项目在北京正式通过科技部的验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用单晶硅生长设备,在我国首次研制成功。
  单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足的问题,高端产品均为国外公司所垄断,在很大程度上制约了我国超大规模集成电路和太阳能产业的发展。西安理工大学与北京有色金属研究院从2003年起承担“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)”课题的研究和攻关任务,课题组组织多学科技术骨干,形成稳定的攻关团队,坚持走自主创新、集成创新的道路,经过三年多的攻关,取得了一系列创新性成果和关键技术。所研制的样机由课题组自主攻关、设计和加工,关键部件和样机达到了较高的技术水平,已成功拉制出12英寸无位错合格单晶。通过项目的实施,课题组还建立了高端晶体生长设备的研发平台,达到了积累经验、获取成果、培养队伍的目的。

  验收会上,专家们认为该成果的取得填补了国内空白,标志着我国超大规模集成电路和太阳能产业的关键技术装备的生产迈上了一个新台阶,对我国超大规模集成电路及相关产业的发展具有重要的意义。
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
集成电路和太阳能电池原材料的问题都解决了~顶~:b
先顶了再说~~
:victory: :victory:
懂行的出来说说.....
原材料有了,可是浸润刻蚀呢?
原帖由 qnxchina 于 2007-6-5 19:51 发表
原材料有了,可是浸润刻蚀呢?

上海光机所IC装备零部件研究取得多项重要进展  

上海光学精密机械研究所      

    为满足我国IC装备零部件国产化要求,在上海市科学技术委员会的支持下,近期,上海光机所“光刻机定位双频激光干涉仪”、“硅片缺陷自动检测仪”与 “激光光刻用准分子激光系统部分关键技术”研究取得重要进展。

    “光刻机定位双频激光干涉仪”项目由程兆谷研究员、黄惠杰研究员课题组开展。通过3年的研究,取得6项专利,并在完成关键技术攻关和原理性实验工作的基础上,研制出双频激光干涉仪样机。验收专家认为“该项目研制成功将对高精度步进扫描投影光刻机硅片台和掩模台的定位检测具有重要意义。”双频激光干涉仪同时具有大范围、高分辨率、高精度、高速度和允许光源多通道复用等诸多优点,在先进制造和国防尖端领域获得广泛应用,是极大规模集成电路光刻机工件台和掩模台多自由度实时超精密测量所不可或缺的关键技术和核心部件。

    “硅片缺陷自动检测仪”的研究工作由程兆谷研究员、钱红斌研究员所在课题组开展。研制成功的“硅片缺陷自动检测仪”实验室样机,在倾斜入射激光扫描散射检测技术、高效率大数值孔径散射光收集和光电检测技术、提高探测灵敏度和获得高的信噪比关键技术等方面获得突破,取得6项专利技术。该检测设备具有非破坏性、高速度、高分辨率和高信噪比等特点,是目前半导体制造行业主流硅片缺陷实时检测和过程控制关键设备。验收专家组认为“该样机的研制成功,对于改变我国大规模集成电路专用检测设备长期依赖进口局面,研制和开发具有自主知识产权的国产化设备取得重要进展”。

    “激光光刻用准分子激光系统部分关键技术”研究由楼祺洪研究员所在课题组开展。他们在该项研究中共取得6项专利,在完成关键技术攻关和原理性实验的工作上,建立了用于准分子激光光束均匀性的测试平台;用标准具方法对准分子激光束的谱线进行了压缩,实现了8.6pm的谱线宽度;并研制了准分子激光用多种光束均匀器,单脉冲均匀性优于2%。该项目现已通过上海市科委组织的验收,它的完成将对光刻用准分子激光器的国产化具有重要意义。

--------------------------------------------------------------------------------
  国产100纳米制造装备初步实现产业化

  芯片制造六大装备中的两种——100纳米刻蚀机与大角度离子注入机的攻关项目,顺利通过国家科技部的验收。标志着国产100纳米制造装备初步实现了产业化,中国集成电路制造核心装备由此取得历史性突破。这一突破能使芯片成本降低。
    在此之前,我国所有8英寸及以上水平的生产线上,没有一台国产设备。芯片制造装备必须依靠国外,建一条芯片生产线,几乎80%的投资是用于购买装备。但国际上对出口中国的这类设备一直是严格控制的,而且即使卖给我国,也将昂贵的制造成本一并转移过来。现在有了自己的生产装备,我们的芯片制造成本将便宜三分之一。
  2002年11月,科技部同意北京市政府启动“100nm高密度等离子刻蚀机与大角度离子注入机”项目。北京电子控股公司联合清华大学、北京大学、中科院、七星集团等股东组建北方微电子公司,承担等离子刻蚀机的研发任务。中国电子科技集团联合48所、45所组建北京中科信电子装备公司,承担离子注入机的研发任务。
    我国的芯片制造装备技术本来与国际先进水平起码相差15至20年,这两种设备研制成功后,差距缩小到了5年。有助于扭转我国集成电路制造装备受制于人的局面,对进一步提升我国集成电路制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。

-----------------------------------------------------------------------------------
:victory: :victory: :victory:
不太懂啊,,,先占位子
:victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory: :victory:
嗯,不知道能不能量产,量产的成品率是多少。
如果能量产就好了。
成品率如果有50%`~~那就嘿嘿~~
产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化产业化
Made in China的12寸晶元就要出现了
立刻开分店,一间变两间,两间变四间...
期盼产业化
研制出来只是起步而已.
成品率和可靠性才是产业化的关键。先别急着开分店。
原帖由 dadasuancai 于 2007-6-5 21:31 发表
成品率如果有50%`~~那就嘿嘿~~

那真的是世界顶尖水平了。
研制出来是1,小批量生产是10,商业化生产是100,从1到100路还长,要加油
:lol
好消息!