转自新华网：我国12英寸PECVD设备实现国产化

http://news.xinhuanet.com/2016-04/16/c_1118642232.htm

　　据新华社电 辽宁沈阳拓荆科技有限公司承担的“十一五”科技重大专项“90~65nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备研发与应用”项目15日通过国家重大专项办公室验收，标志着我国12英寸（30.48厘米）PECVD设备实现国产化，填补了国内空白，打破了国际垄断，提升了我国集成电路产业整体竞争力。

　　PECVD是芯片制造的4种最重要设备之一，一条投资70亿美元的芯片制造生产线，需用约5亿美金采购100多台PECVD设备。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅晶片表面镀一层固态薄膜。该技术完全被美日等少数发达国家垄断，设备进口受到严格限制。
　　“90~65nm PECVD设备”是用于12英寸芯片生产线的专用设备，是当今国际主流薄膜沉积设备。沈阳拓荆科技有限公司前身为中科院沈阳科学仪器股份有限公司PECVD事业部，2010年成立独立公司，由“千人计划”专家姜谦带领团队，专项研制12英寸PECVD设备。几年来相继攻克了设备平台设计、薄膜工艺开发、薄膜均匀性控制等关键技术，产品通过国内12英寸集成电路生产线考核验收，各项指标达到国际水平，成本为国际设备的70%。目前设备已销售至中芯国际、苏州晶方、武汉新芯、华天科技等企业，产品及服务得到用户的一致认可。

　　通过项目的实施，拓荆公司申请专利300项，建立技术标准9项，形成了5项新产品，推动子系统供应商发展相关技术及产品国产化率达到70%。http://news.xinhuanet.com/2016-04/16/c_1118642232.htm

　　据新华社电 辽宁沈阳拓荆科技有限公司承担的“十一五”科技重大专项“90~65nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备研发与应用”项目15日通过国家重大专项办公室验收，标志着我国12英寸（30.48厘米）PECVD设备实现国产化，填补了国内空白，打破了国际垄断，提升了我国集成电路产业整体竞争力。

　　PECVD是芯片制造的4种最重要设备之一，一条投资70亿美元的芯片制造生产线，需用约5亿美金采购100多台PECVD设备。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅晶片表面镀一层固态薄膜。该技术完全被美日等少数发达国家垄断，设备进口受到严格限制。
　　“90~65nm PECVD设备”是用于12英寸芯片生产线的专用设备，是当今国际主流薄膜沉积设备。沈阳拓荆科技有限公司前身为中科院沈阳科学仪器股份有限公司PECVD事业部，2010年成立独立公司，由“千人计划”专家姜谦带领团队，专项研制12英寸PECVD设备。几年来相继攻克了设备平台设计、薄膜工艺开发、薄膜均匀性控制等关键技术，产品通过国内12英寸集成电路生产线考核验收，各项指标达到国际水平，成本为国际设备的70%。目前设备已销售至中芯国际、苏州晶方、武汉新芯、华天科技等企业，产品及服务得到用户的一致认可。

　　通过项目的实施，拓荆公司申请专利300项，建立技术标准9项，形成了5项新产品，推动子系统供应商发展相关技术及产品国产化率达到70%。