我国首条12英寸28nm先进封装测试全制程生产线成功量产

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/03/29 20:14:58
2015年5月5日,极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项(简称集成电路装备专项)实施管理办公室在南通组织召开会议,听取南通富士通微电子股份有限公司(简称通富微电)关于12英寸28nm先进封装测试全制程生产线成功量产成果汇报。科技部重大专项办公室、国家集成电路产业发展投资基金,江苏省科技厅、经信委,南通市政府、科技局、经信委等相关单位负责同志,核高基专项技术总师、集成电路装备专项技术总师、业内相关资深专家以及大唐半导体等客户代表出席了会议。
    在集成电路装备专项的持续扶持下,12英寸28纳米全制程先进封测生产线从机台安装调试(2014年5月)到通过客户产品考核(2014年10月)仅仅历时不到6个月,创造了封测行业一个非常难得的记录。该生产线自2014年底小批量试生产至今,已累计产出晶圆2800片,凸块平均良率超过99.9%,达到了世界一流封测大厂的良率水平。目前该生产线已有两款28nm制程铜柱凸块(Copper Pillar)手机芯片产品率先通过客户考核,该类产品在铜柱凸块制程、晶圆电性测试、倒装焊(Flip Chip)封装等方面都具有很高的技术含量,市场需求巨大,其成功通过考核已引起众多客户的广泛关注。通富微电建设完成的国内首条12英寸28纳米全制程先进封测生产线,不仅填补了国内空白,还具备世界一流技术水平,对国内集成电路产业链发展有着重要里程碑意义。
    与会各方代表对通富微电取得的这一成绩给予了高度肯定,纷纷为公司未来发展出谋划策,并希望公司以此重大突破为新起点,面向国际市场进一步加大创新力度、加快发展速度,努力为中国集成电路产业的跨越发展作出更大贡献。
链接:http://www.most.gov.cn/kjbgz/201505/t20150512_119422.htm2015年5月5日,极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项(简称集成电路装备专项)实施管理办公室在南通组织召开会议,听取南通富士通微电子股份有限公司(简称通富微电)关于12英寸28nm先进封装测试全制程生产线成功量产成果汇报。科技部重大专项办公室、国家集成电路产业发展投资基金,江苏省科技厅、经信委,南通市政府、科技局、经信委等相关单位负责同志,核高基专项技术总师、集成电路装备专项技术总师、业内相关资深专家以及大唐半导体等客户代表出席了会议。
    在集成电路装备专项的持续扶持下,12英寸28纳米全制程先进封测生产线从机台安装调试(2014年5月)到通过客户产品考核(2014年10月)仅仅历时不到6个月,创造了封测行业一个非常难得的记录。该生产线自2014年底小批量试生产至今,已累计产出晶圆2800片,凸块平均良率超过99.9%,达到了世界一流封测大厂的良率水平。目前该生产线已有两款28nm制程铜柱凸块(Copper Pillar)手机芯片产品率先通过客户考核,该类产品在铜柱凸块制程、晶圆电性测试、倒装焊(Flip Chip)封装等方面都具有很高的技术含量,市场需求巨大,其成功通过考核已引起众多客户的广泛关注。通富微电建设完成的国内首条12英寸28纳米全制程先进封测生产线,不仅填补了国内空白,还具备世界一流技术水平,对国内集成电路产业链发展有着重要里程碑意义。
    与会各方代表对通富微电取得的这一成绩给予了高度肯定,纷纷为公司未来发展出谋划策,并希望公司以此重大突破为新起点,面向国际市场进一步加大创新力度、加快发展速度,努力为中国集成电路产业的跨越发展作出更大贡献。
链接:http://www.most.gov.cn/kjbgz/201505/t20150512_119422.htm
28nm ,英特尔明年10nm上市,7nm也成熟了,差大概3代 加油吧
日资企业?
这个公司与日本和台湾有没有关系?据说台湾水平很高,现在如何
哎呀后封装嘛 copper pillar铜柱。很平常的技术。封装水平高不高和 多少nm工艺完全没关系。主要取决于copper pillar直径。精度
哎呀后封装嘛 copper pillar铜柱。很平常的技术。封装水平高不高和 多少nm工艺完全没关系。主要取决于coppe ...
那你说中国落后在哪个环节
集成电路行业,有不小的税收优惠。
富士通和富士山什么关系
又不是光刻,强调什么22nm
Flip-Chip是相对于wire bonding而言的,是IBM在1969年就开始使用的技术。
半年累计量产2800片……目前国内几个12寸fab每月产量是3-5万片。
继续坐看大批连制程线宽指什么都不懂的鸡血青年到来。。。

至于上面问落后在哪个环节,第一需要明白diffusion和封装测试是两个完全不同的工序,assembly相当于给做好的芯片加个外壳再看看能不能用。
落后是在Fab,第一主要在于国产机台设备,虽然搞了一堆专项,核高基什么的,但真正敢于拉上线使用的设备还是没有。当然这是以一个发展中国家之力想要达到发达国家整个一个联盟体水平,所以搞不出也很正常。
第二是工艺制程设计研发和工艺控制,目前很多fab工艺制程虽然号称达到了很小的线宽,但实际上连0.25um,0.35um的制程都没有真正吃透。早年台积电把中芯告得鸡飞狗跳的原因就是中芯招募了大量台积电的员工来了解台积电工艺平台。
Flip-Chip是相对于wire bonding而言的,是IBM在1969年就开始使用的技术。
半年累计量产2800片……目前国内 ...
正解。封装其实就是装个外壳。

你一定也是业内人士了。说的没错

同样的0.25微米工艺cmos 国内代工厂

的良率 和 pdk要差很多。
那你说中国落后在哪个环节
前道工艺。也就是芯片制作本身

包括 涂胶 显影 剥离 腐蚀 参杂 镀膜

等等
Intel的7nm制程还在路上, 预计2017年才能投产, 而且良率问题大家都头疼
台积电这些年几乎在每一代新工艺上都会遭遇不顺,最新的16nm FinFET更是量产推迟被三星14nm FinFET抢尽了风头,不过作为代工厂老大怎么能屈服?画个大饼总是可以的。

  台积电在近日的季度财务会议上宣布,将于2016年给大家带来10nm工艺,再往后的2017年则做到7nm——一年一代的节奏啊!Intel都要下跪啊!
台积电表示,两种新工艺都进展顺利,均可以按计划搞定,而且都会像16nm一样集成FinFET立体晶体管技术。

  台积电甚至披露,已经开始与客户合作开发10nm芯片的设计了,将在今年第四季度完成验证,明年底即可量产。

  而对于当下的16nm,台积电表示问题都已经解决,特别是良品率已经接近成熟水平,第三季度就能投入量产了。