超级军网国内首台自主知识产权光刻机将在合肥面世
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 16:15:15
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这台设备有那么先进吗！？？现在党的宣传我可是有点不太相信的了，呵呵呵，那位了解这方面的给说明一下
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我第一次看成了35纳米，吓了一跳
:L :L :L
0.35微米
奔腾2的水平。
至少有了就好。
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0.35微米
奔腾2的水平。
至少有了就好。
这是一个典型的形象工程, 不解决实际问题,跑去搞什么光刻机.既没利润也没人用.
看楼上的BC。
我问你要得太阳报和影在呢？
;P ;P ;P
我问你要得太阳报和影在呢？
;P ;P ;P
原帖由 eeyylx 于 2007-11-15 19:01 发表
这是一个典型的形象工程, 不解决实际问题,跑去搞什么光刻机.既没利润也没人用.
当然没法和ＡＳＭＬ的比，连老美对欧洲ＩＭＥＣ的水平都不得不佩服，我早说过你对ＩＣ制造的理解太过于幼稚，这种水平的光刻机搞MEMS、生物芯片、微光学器件还是可以的．
超高精度的光刻机的应用有局限．
虽然我也是ＢＫＣ，但我就不明白，为什么我们一有任何进步就总有人来冷嘲热讽呢:L :L
原帖由 dadasuancai 于 2007-11-15 18:52 发表
我第一次看成了35纳米，吓了一跳
:L :L :L
0.35微米
奔腾2的水平。
至少有了就好。
没什么，差距巨大，甚至小日本的193纳米沉浸式步进扫描光刻机都达到了４５纳米的水平，我们整整落后了人家n代（65nm,90nm,130nm,150nm,180nm)
但至少有了就好。重要的是搞这些东西的人．
[quote]原帖由 eeyylx 于 2007-11-15 19:01 发表 
这是一个典型的形象工程, 不解决实际问题,跑去搞什么光刻机.既没利润也没人用.[quote]
请问怎么解决实际问题？
这是一个典型的形象工程, 不解决实际问题,跑去搞什么光刻机.既没利润也没人用.[quote]
请问怎么解决实际问题？
没有进一步的说明。接下来做什么？这个东西是不是也需要隔两年换代一次？
值得祝贺一下，不过严格来说不能算全国产吧，国内厂家恐怕还做不了高精度的直线运动单元。用的应该是进口的。
一台光刻机几百万到一千多万，。其折旧速度非常快，大约3～9 万人民币/天，。主要是贵在成像系统（由15～20
个直径为200～300mm 的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。你以为是你家电视坏了就能随便换的吗？:L :L
只要更换一些零部件就行了．
个直径为200～300mm 的透镜组成）和定位系统（定位精度小于10nm）。你以为是你家电视坏了就能随便换的吗？:L :L
只要更换一些零部件就行了．
原帖由 woftya 于 2007-11-15 19:42 发表
值得祝贺一下，不过严格来说不能算全国产吧，国内厂家恐怕还做不了高精度的直线运动单元。用的应该是进口的。
我认为不可能是全国产的，肯定有部分零件是进口的
现在最好的光雕机在瑞士
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Mapper公司无掩膜光刻机的研究获重大进展
作者：EE Times -- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2007-09-17 点击:49
Mapper Lithography日前宣布其多光束无掩膜光刻机的研发取得了里程碑式的进展，这种新型光刻机将用于先进芯片的制造。
Mapper表示，公司已经验证了该设备可实现大面积平行电子束绘制，并适用于32纳米节点技术。
Mapper对于该设备的开发已有时日。该公司称，该款新型设备主要基于两项技术。第一，该设备使用光来控制每条电子束的开关；第二，该设备应用一列MEMS透镜来精确聚焦平行电子束。
Mapper是开发下一代无掩膜光刻工艺中比较有前途的公司之一。该公司的产品免去了高成本掩膜的使用，使制造成本大大降低，并缩短产品上市时间。
据悉，TSMC（台积电）是Mapper公司的投资者之一。
作者：EE Times -- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2007-09-17 点击:49
Mapper Lithography日前宣布其多光束无掩膜光刻机的研发取得了里程碑式的进展，这种新型光刻机将用于先进芯片的制造。
Mapper表示，公司已经验证了该设备可实现大面积平行电子束绘制，并适用于32纳米节点技术。
Mapper对于该设备的开发已有时日。该公司称，该款新型设备主要基于两项技术。第一，该设备使用光来控制每条电子束的开关；第二，该设备应用一列MEMS透镜来精确聚焦平行电子束。
Mapper是开发下一代无掩膜光刻工艺中比较有前途的公司之一。该公司的产品免去了高成本掩膜的使用，使制造成本大大降低，并缩短产品上市时间。
据悉，TSMC（台积电）是Mapper公司的投资者之一。
IMEC宣布32纳米光刻技术取得进展 两次图形曝光技术将成主流
-- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2007-08-02 点击:64
在Semicon West展销会上，比利时研究机构IMEC宣布在32纳米光刻技术方面取得进展，两次图形曝光技术(double patterning)比其他技术发展更快。
IMEC认为32纳米光刻技术开发在去年取得了重大进展。其CEO Luc Van de hove认为，由于需要为内存应用快速开发出32纳米工艺，根据所得到的研究结果，在单次曝光方案出现之前，两次图形曝光技术将成为32纳米半间距的(intermediate)方案。
IMEC采用三个途径推动32纳米研究：高指数193纳米光刻、193纳米水浸没式两次图形曝光技术和超紫外线(Extreme Ultra Violet, EUV)光刻。
IMEC正研究两次图形曝光技术面临的挑战，如掩模设计(mask design split)、性价比更高的工艺以及临界尺寸和套刻控制。IMEC的研究证实可获得低于3纳米的临界尺寸，这是32纳米生产的要求之一。
在浸没式光刻方面，IMEC将延长与ASML的策略合作关系，并将安装数值孔径为1.35的新ASML XT:1900i，直至使数值孔径达到1.55到1.6的范围，使193纳米浸没式
光刻适用于32纳米半间距制造节点。为获得更高的数值孔径，另一种液体可能将取代目前使用的纯净水。
IMEC非常明确EUV是唯一可能扩展到22纳米以及更小纳米的技术。
-- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2007-08-02 点击:64
在Semicon West展销会上，比利时研究机构IMEC宣布在32纳米光刻技术方面取得进展，两次图形曝光技术(double patterning)比其他技术发展更快。
IMEC认为32纳米光刻技术开发在去年取得了重大进展。其CEO Luc Van de hove认为，由于需要为内存应用快速开发出32纳米工艺，根据所得到的研究结果，在单次曝光方案出现之前，两次图形曝光技术将成为32纳米半间距的(intermediate)方案。
IMEC采用三个途径推动32纳米研究：高指数193纳米光刻、193纳米水浸没式两次图形曝光技术和超紫外线(Extreme Ultra Violet, EUV)光刻。
IMEC正研究两次图形曝光技术面临的挑战，如掩模设计(mask design split)、性价比更高的工艺以及临界尺寸和套刻控制。IMEC的研究证实可获得低于3纳米的临界尺寸，这是32纳米生产的要求之一。
在浸没式光刻方面，IMEC将延长与ASML的策略合作关系，并将安装数值孔径为1.35的新ASML XT:1900i，直至使数值孔径达到1.55到1.6的范围，使193纳米浸没式
光刻适用于32纳米半间距制造节点。为获得更高的数值孔径，另一种液体可能将取代目前使用的纯净水。
IMEC非常明确EUV是唯一可能扩展到22纳米以及更小纳米的技术。
为什么我们一有任何进步就总有人来冷嘲热讽呢
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恨自己不是生下来是个白种西方人, 心理有点阴暗.:L
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恨自己不是生下来是个白种西方人, 心理有点阴暗.:L
好晕，太专业了，能介绍一下这个国产的有什么实际应用方向吗？简单地说能造点什么？
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原帖由 deam 于 2007-11-15 20:21 发表
好晕，太专业了，能介绍一下这个国产的有什么实际应用方向吗？简单地说能造点什么？
应该是MEMS、生物芯片（这个太玄）、微光学器件，MOSFET，分立器件，MIM电容， 二极管 ，嵌入式存储器，高压器件，CMOS影像传感器海了去了．
对工艺要求不是特别高的应该都可以
原帖由 桃华月惮 于 2007-11-15 20:29 发表
应该是MEMS、生物芯片（这个太玄）、微光学器件，MOSFET，分立器件，MIM电容， 二极管 ，嵌入式存储器，高压器件，CMOS影像传感器海了去了．
那个deam看不得中国出点什么。。。尽管他（她）不懂，也要想办法贬斥你~~~
原帖由 e8098 于 2007-11-15 20:21 发表
有比没有强~~
期待离子的出来~~
离子束投影光刻（IPL，Ion-Beam Projection Lithography）与电子束直写光刻技术类似。不需要掩膜板，应用高能粒子束直写。粒子束的散射
没有电子束那么强，所以具有更好的分辨率。使用PMMA 光刻胶。常用于掩膜板的修复和监测和修复IC 电路，粒子束的产生没有电子束容易，产能很低，这种光刻技术搞的人很少，应该没什么前途．
国内应该也没什么人在搞，要不太没眼光了，兄台是不是说的是离子刻蚀机？那个早出来了．
原帖由 桃华月惮 于 2007-11-15 20:29 发表
应该是MEMS、生物芯片（这个太玄）、微光学器件，MOSFET，分立器件，MIM电容， 二极管 ，嵌入式存储器，高压器件，CMOS影像传感器海了去了．
受教了，一直以为芯片才用光刻机。
想知道为什麽荷兰和瑞士可以生产出这种高尖科技的东东, 有什麽历史原因麽 ?;funk
嵌入式存储器，CMOS影像传感不是芯片是什么？
有比没有要好........
原帖由 屠城校尉 于 2007-11-15 20:43 发表
想知道为什麽荷兰和瑞士可以生产出这种高尖科技的东东, 有什麽历史原因麽 ?;funk
其实应该没瑞士什么事吧？我在这一行还是菜鸟，但的确从来没有听到过有瑞士的光刻机，国内大多是用荷兰和小日本的．很多ＡＳＭＬ和尼康的二手设备
原帖由 deam 于 2007-11-15 20:38 发表
受教了，一直以为芯片才用光刻机。
哈哈哈LCD、FED、OLED的基板也是光刻出来的呵:D
这个东西太重要了，所以我们不得不搞
极紫外光刻技术(EHVL)是以波长为11—14nm的软X射线为曝光光源96微电子光刻技术。根据目前的光刻技术发展形势看，EUVL将是大批量生产特征尺寸为70nm及更细线宽集成电路的主流技术。2001年国际半导体工业协、会发布的半导体技术发展蓝图指出，特征线宽为70nm的半导体器件将于2006年开始进入批量生产，而且根据以往的发展经验看，这个技术节点的实现会比预计的要提前。
国外EUVL方面的研究进展很快。在美国有一个以Sandia国家实验室为主、由国际上多家光刻设备制造商和半导体器件生产商共同参加的国际性的EUV LLC计划，2002年3月Sandia国家实验室宣布，它们研制的EUVL工程测试样机己完成性能测试。欧洲有一个EU Medea+计划，将于2003年末或2004年初研制成功EUVL原型样机(α样机)，2005—2006年研制出β样机。2002年4月22日，Intel公司宣布它己订购了荷兰ASML公司的第一声EUVL β样机，计划于2005年下半年交货。此举表明，目前Intel公司把下一代光刻技术选定为EUVL。
光刻设备的更新换代非常快，一种新型光刻设备的市场寿命约为5年，而其研发周期却很长，因为光刻设备是一个多种复杂技术的集成，其中有许多技术难点需要经过较长时间的研究才能解决。为了能够在未来的光刻设备市场上具有一定的竞争力，我国应该尽快开展EUVL的研究。根据我们目前的财力和技术条件，可以选择其中的几个关键技术进行攻关，通过5年左右时间的努力，在EUVL成为半导体光刻技术的主流时，使我国在EUVL方面有某几种单元技术具备相当的国际竞争力。
我国曾经组织过多种光刻机机型的攻关研究，但在产业化方面几乎无一成功。除了投资力度小、国内光学精密机械制造业的整体水平相对落后外，最重要的原因是研究目标缺乏超前性和预见性。过去我们确定的光刻机攻关目标几乎都与当时国外已经商品化的机型相同。国外已经可以批量生产的光刻机，我们要经过约5年时间的努力才能研究成功，而由于光刻机升级换代的速度相当快，这常常会使我们处于极为不利的境地：刚刚研制成功的光刻机己在淘汰产品之列，或至少己错过了需求高峰期，不再是主流产品；而且此时国外同类光刻机的售价大幅度下降，我们的光刻机就更无市场竞争力可言。所以通过这些攻关目标的实现，除了培养了一批相关的技术人员外，就是对国家财力和物力的浪费。目前刚启动的193nm ArF准分子激光光刻机项目，就是重蹈以前不成功的老路。国外三大著名光刻机制造商——荷兰的ASML公司、日本的Nikon公司和Canon公司很早就开始研发分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机，目前已可上市销售。我们很难想象，到2005年我国自己研制成功的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机还具有国际竞争力。
在此建议：我国应尽快开展EUVL技术研究。根据目前国内己具备的相关技术基础，至少选择如下几个关键技术进行攻关：1)EUVL光源研究。我国在激光等离子物理研究方面具有坚实的基础，通过进一步的工程化研究可以获得EUVL所需要的光源。2)全反射式离轴非球面缩倍投影光刻物镜研究。与目前的光学光刻不同，对极紫外光已无透射材料，因为在该波段所有材料的折射率都接近于1，必须采用反射式光学系统。3)高精度离轴非球面反射镜加工、检测技术研究。EUVL光学系统中的反射面要求具有接近理想的面形和亚纳米量级的表面粗糙度。4)极紫外多层高反射率光学薄膜制备技术研究。EUVL的反射式光学系统的反射面必须在镀制了高反射率光学薄膜后才能正常工作，反射率越高，则生产效率越高。
国外EUVL方面的研究进展很快。在美国有一个以Sandia国家实验室为主、由国际上多家光刻设备制造商和半导体器件生产商共同参加的国际性的EUV LLC计划，2002年3月Sandia国家实验室宣布，它们研制的EUVL工程测试样机己完成性能测试。欧洲有一个EU Medea+计划，将于2003年末或2004年初研制成功EUVL原型样机(α样机)，2005—2006年研制出β样机。2002年4月22日，Intel公司宣布它己订购了荷兰ASML公司的第一声EUVL β样机，计划于2005年下半年交货。此举表明，目前Intel公司把下一代光刻技术选定为EUVL。
光刻设备的更新换代非常快，一种新型光刻设备的市场寿命约为5年，而其研发周期却很长，因为光刻设备是一个多种复杂技术的集成，其中有许多技术难点需要经过较长时间的研究才能解决。为了能够在未来的光刻设备市场上具有一定的竞争力，我国应该尽快开展EUVL的研究。根据我们目前的财力和技术条件，可以选择其中的几个关键技术进行攻关，通过5年左右时间的努力，在EUVL成为半导体光刻技术的主流时，使我国在EUVL方面有某几种单元技术具备相当的国际竞争力。
我国曾经组织过多种光刻机机型的攻关研究，但在产业化方面几乎无一成功。除了投资力度小、国内光学精密机械制造业的整体水平相对落后外，最重要的原因是研究目标缺乏超前性和预见性。过去我们确定的光刻机攻关目标几乎都与当时国外已经商品化的机型相同。国外已经可以批量生产的光刻机，我们要经过约5年时间的努力才能研究成功，而由于光刻机升级换代的速度相当快，这常常会使我们处于极为不利的境地：刚刚研制成功的光刻机己在淘汰产品之列，或至少己错过了需求高峰期，不再是主流产品；而且此时国外同类光刻机的售价大幅度下降，我们的光刻机就更无市场竞争力可言。所以通过这些攻关目标的实现，除了培养了一批相关的技术人员外，就是对国家财力和物力的浪费。目前刚启动的193nm ArF准分子激光光刻机项目，就是重蹈以前不成功的老路。国外三大著名光刻机制造商——荷兰的ASML公司、日本的Nikon公司和Canon公司很早就开始研发分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机，目前已可上市销售。我们很难想象，到2005年我国自己研制成功的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机还具有国际竞争力。
在此建议：我国应尽快开展EUVL技术研究。根据目前国内己具备的相关技术基础，至少选择如下几个关键技术进行攻关：1)EUVL光源研究。我国在激光等离子物理研究方面具有坚实的基础，通过进一步的工程化研究可以获得EUVL所需要的光源。2)全反射式离轴非球面缩倍投影光刻物镜研究。与目前的光学光刻不同，对极紫外光已无透射材料，因为在该波段所有材料的折射率都接近于1，必须采用反射式光学系统。3)高精度离轴非球面反射镜加工、检测技术研究。EUVL光学系统中的反射面要求具有接近理想的面形和亚纳米量级的表面粗糙度。4)极紫外多层高反射率光学薄膜制备技术研究。EUVL的反射式光学系统的反射面必须在镀制了高反射率光学薄膜后才能正常工作，反射率越高，则生产效率越高。
老兄转了这么多，我也随手转一篇吧……基础差，还经常落进度，文章里本该05年出来的东西，貌似年初才看到进入市场
当然美国的Accent Optical Technologies的光刻机也不错，还有一个大英帝国的Ultratech（似乎某人脸上有光了），还有一个奥地利的EV Group，和美国的Molecular 是纳米压印光刻技术的倡导者，还有一个德国的SUSS MicroTec，真的就是没听过有瑞士的
上文以前看过了，不过ＡＳＭＬ的也就是XT1900i也是今年才出来的，
:D 只要是不断进步就好，不要被外国老流氓欺负了
俺不是搞半导体的，确实也不懂这行。有时候听老师们说起半导体，记不住:L
俺不是搞半导体的，确实也不懂这行。有时候听老师们说起半导体，记不住:L
原帖由 xuwen 于 2007-11-15 21:11 发表
能有就行了,吹的太高了!这东西国际上多的是,难得自己研发生产.
没几个国家能造光刻机，比能搞核武的国家还少．老美，英国，荷兰，德国，日本，奥地利，还有刚入门的我们，你看看，少得可怜吧．