为什么我们没有高水平的光刻机?

中国连高达都造不好

棒子有光刻机

真的要让别人无路可走啊？

能研究的没精力研究

报告LZ你的结论完全不靠谱！首先棒子并没有自己的光刻机，其次全球主流光刻机是荷兰和日本的厂家，MD想封锁也没东西可以封锁。。。以后不要再轻信那些半吊子误人子弟鸟

http://www.ht168.net/newsxp30b2/shownews.asp?newsid=864

我国应尽快开展极紫外光刻技术研究  
时间：2004-5-28 16:42:17 来源：务信息服务有限公司 阅读1483次
   
极紫外光刻技术（ＥＵＶＬ）是以波长为１１-１４ｎｍ的软Ｘ射线为曝光光源的微电子光刻技术。根据目前的光刻技术发展形势看，ＥＵＶＬ将是大批量生产特征尺寸为７０ｎｍ及更细线宽集成电路的主流技术。２００１年国际半导体工业协会发布的半导体技术发展蓝图指出，特征线宽为７０ｎｍ的半导体器件将于２００６年开始进入批量生产，而且根据以往的发展经验看，这个技术节点的实现会比预计的要提前。

    近年来，国外ＥＵＶＬ方面的研究进展很快。在美国，有一个以Ｓａｎｄｉａ国家实验室为主、由国际上多家光刻设备制造商和半导体器件生产商共同参加的国际性的ＥＵＶ ＬＬＣ计划。２００２年３月，Ｓａｎｄｉａ国家实验室宣布，他们研制的ＥＵＶＬ工程测试样机已完成性能测试。欧洲有一个ＥＵ、Ｍｅｄｅａ＋计划，将于２００３年末或２００４年初研制成功ＥＵＶＬ原型样机？α样机？，２００５？２００６年研制出β样机。２００２年４月２２日，Ｉｎｔｅｌ公司宣布已订购了荷兰ＡＳＭＬ公司的第一台ＥＵＶＬβ样机，计划于２００５年下半年交货。此举表明，目前Ｉｎｔｅｌ公司把下一代光刻技术选定为ＥＵＶＬ。

    光刻设备的更新换代非常快，一种新型光刻设备的市场寿命约为５年，而其研发周期却很长。因为光刻设备是一个多种复杂技术的集成，其中有许多技术难点需要经过较长时间的研究才能解决。为此，为了能够在未来的光刻设备市场上具有一定的竞争力，我国应该尽快开展ＥＵＶＬ的研究。根据我们目前的财力和技术条件，可以选择其中的几个关键技术进行攻关，通过５年左右时间的努力，在ＥＵＶＬ成为半导体光刻技术的主流时，使我国在ＥＵＶＬ方面有某几种单元技术具备相当的国际竞争力。  

    我国曾经组织过多种光刻机机型的攻关研究，但在产业化方面几乎无一成功。除了投资力度小、国内光学精密机械制造业的整体水平相对落后外，最重要的原因是研究目标缺乏超前性和预见性。过去我们确定的光刻机攻关目标几乎都与当时国外已经商品化的机型相同。国外已经可以批量生产的光刻机，我们要经过约５年时间的努力才能研究成功，而由于光刻机升级换代的速度相当快，这常常会使我们处于极为不利的境地，即刚刚研制成功的光刻机已在淘汰产品之列，或至少已错过了需求高峰期，不再是主流产品；而且此时国外同类光刻机的售价大幅度下降，我们的光刻机就更无市场竞争力可言。所以通过这些攻关目标的实现，除了培养了一批相关的技术人员外，就是对国家财力和物力的浪费。目前刚启动的１９３ｎｍＡｒＦ准分子激光光刻机项目，就是重蹈以前不成功的老路。国外三大著名光刻机制造商——荷兰的ＡＳＭＬ公司、日本的Ｎｉｋｏｎ公司和Ｃａｎｏｎ公司很早就开始研发分辨率为１００ｎｍ的１９３ｎｍＡｒＦ准分子激光分步扫描投影光刻机，目前已可上市销售。我们很难想象，到２００５年我国自己研制成功的１９３ｎｍＡｒＦ准分子激光分步扫描投影光刻机是否还具有国际竞争力。  

    笔者建议我国应尽快开展ＥＵＶＬ技术研究。根据目前国内已具备的相关技术基础，至少选择如下几个关键技术进行攻关：１．ＥＵＶＬ光源研究。我国在激光等离子物理研究方面具有坚实的基础，通过进一步的工程化研究可以获得ＥＵＶＬ所需要的光源。２．全反射式离轴非球面缩倍投影光刻物镜研究。与目前的光学光刻不同，对极紫外光已无透射材料，因为在该波段所有材料的折射率都接近于１，必须采用反射式光学系统。３．高精度离轴非球面反射镜加工、检测技术研究。ＥＵＶＬ光学系统中的反射面要求具有接近理想的面形和亚纳米量级的表面粗糙度。４．极紫外多层高反射率光学薄膜制备技术研究。ＥＵＶＬ的反射式光学系统的反射面必须在镀制了高反射率光学薄膜后才能正常工作，反射率越高，则生产效率越高。

哪那么容易啊 同学

过两年再看看吧

中国为什么要有高水平的光刻机？

ybirdw 发表于 2011-12-8 20:01
报告LZ你的结论完全不靠谱！首先棒子并没有自己的光刻机，其次全球主流光刻机是荷兰和日本的厂家，MD想封锁 ...
几家主流光刻机厂商，其产品应用了很多美国制造的重要部件和解决方案。就像高性能卫星一样，欧洲货只要带了美国部件，进大陆就受限制。

不过话说回来，高性能的光刻机动辄几千万美元一台，没有经济价值，也不会随便引进。

mmgm 发表于 2011-12-8 20:37
http://www.ht168.net/newsxp30b2/shownews.asp?newsid=864

我国应尽快开展极紫外光刻技术研究  
深紫外光刻成本太高- -如今更多是使用掩模图形预矫正和浸入式光刻

光刻机是一方面，但是我们对硅基工艺材料的研究之落后才是最大的原因，这方面几乎不太可能有机会追得上了，硅基工艺很快就会走到尽头（20年以内），积极研发替代材料才是正道，如IBM的碳基材料。

LZ我一看标题就知道你是来刺探的探子，楼下的兄弟把口风把紧点，不乱说话不会憋死，乱说会砍头！

02728902 发表于 2011-12-8 21:13
光刻机是一方面，但是我们对硅基工艺材料的研究之落后才是最大的原因，这方面几乎不太可能有机会追得上了， ...
石墨烯？

这些，未来就该关注了吧！

棒子没有光刻机..都是他能进口光刻机..

棒子什么时候会做光刻机了？现在光刻机大牛还是asml,一亿一台，还是欧元

为什么呢？为什么呢？这到底是为什么呢？

是干嘛的  有图案的光栅是不是用这个刻的？

快了，就这两年了。真正的stepper 。国家的02项目

详情请搜索中微半导体。

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光刻机貌似就这两家吧：ASML、 Nikon，没听说过棒子能造个啥光刻机的。
另外光刻机用的光源供应商好像也就Cymer、GIGAPHOTON 等等几家而已吧。

国家125计划已将光刻机列入公关项目，中国其实不是没有能力造，而是研制成本相当的高，没有国家意志的支持，根本不可能有任何一个企业研制得起。设备的价格就不用说了，单单是光刻机调试工程师一般来说都要6000美元的时薪。

据我听说是透镜组不行

光刻机的核心在镜头。Nikon的光刻机就很NB。国内光学工业比较差。民用领域望远镜现在勉强达到中高级水平，相机镜头就彻底杯具了。啥时候国产侦察卫星的镜头赶上世界先进水平了，光刻机也就差不多了。当然光刻胶等材料研发也是关键技术。

mmgm 发表于 2011-12-8 20:37
http://www.ht168.net/newsxp30b2/shownews.asp?newsid=864

我国应尽快开展极紫外光刻技术研究  
国外三大著名光刻机制造商——荷兰的ＡＳＭＬ公司、日本的Ｎｉｋｏｎ公司和Ｃａｎｏｎ公司

后面两个是相机界老大老二。看看国产相机那熊样就知道为啥了吧……

wenxf 发表于 2011-12-8 22:30
国家125计划已将光刻机列入公关项目，中国其实不是没有能力造，而是研制成本相当的高，没有国家意志的支持， ...
没那么贵啦，挂在三井下面给佳能做调试的、有3年从业经验的不过2W多每月

话说光刻机这东西也算数控机床了吧？

话说光刻机这东西也算数控机床了吧？
精密多了……

wangzt 发表于 2011-12-8 21:54
棒子什么时候会做光刻机了？现在光刻机大牛还是asml,一亿一台，还是欧元
真正牛的是荷兰的阿斯摩尔和日本尼康的光刻机，其中荷兰的更牛逼一点，但是有个巴统，这是敏感物资，棒子没有自己的光刻机，那个牛叉的台积电的大型设备都是从欧美日本进口的，自己是无法生产的，一年前中国可以生产45纳米的蚀刻机。现在不知道啥样了。

viennawood 发表于 2011-12-8 22:35
光刻机的核心在镜头。Nikon的光刻机就很NB。国内光学工业比较差。民用领域望远镜现在勉强达到中高级水平，相 ...
棱镜不是问题了 参见前一段的深紫外光技术的报道

话说光刻机这东西也算数控机床了吧？
不是一般数控机床比得上的，研发费用据说要几百亿。

真正牛的是荷兰的阿斯摩尔和日本尼康的光刻机，其中荷兰的更牛逼一点，但是有个巴统，这是敏感物资，棒子 ...
去年不是刚试验65nm么？还是满足不了新处理器的要求。

话说光刻机这东西也算数控机床了吧？
数控机床是纯运动控制,光刻机主要是过程控制,两个差远了.

去年不是刚试验65nm么？还是满足不了新处理器的要求。
现在市场主流处理器一般45或32nm级别的，咱们那个刚出来就落伍了

wenxf 发表于 2011-12-8 22:30
国家125计划已将光刻机列入公关项目，中国其实不是没有能力造，而是研制成本相当的高，没有国家意志的支持， ...
6000/小时？你确定没多加个0？

该有的总会有的

中国还是发展中国家，你啥都要有怎么可能

sunbamboo124 发表于 2011-12-8 22:53
没那么贵啦，挂在三井下面给佳能做调试的、有3年从业经验的不过2W多每月
那是给公司的价格，不是给私人的。