超级军网SSA600/20步进扫描光刻机
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/27 12:31:00
http://www.smee.com.cn/china/pro ... B%E6%9C%BASSA600/20
步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
产品特性
基于模块化的、具有良好延展性和动态性能的扫描光刻机统一平台
高分辨率、大数值孔径和大曝光视场的ArF投影物镜
自减振、高加速度和具备反质量补偿的高速高精运动台同步技术
具有良好工艺适应性的调焦调平和硅片对准先进光电信号处理技术
波像差原位在线检测与校准技术
符合SEMI标准的工业自动化远程通讯和TRACK批量自动流片功能
兼容200mm硅片和300mm硅片
可实现与SSC600/10 KrF、SSB600/10 i-line等光刻机的生产线配套
主要技术参数
分辨率(Resolution) 90nm or better
数值孔径 (NA) 0.75
曝光光源(Exposure Light Source) ArF excimer laser (193nm wavwlength)
镜头倍率(Reduction Ratio) 1:4
曝光视场(Field size) 26mm×33mm
刻套精度(Overlay) ≤20nm
产率(Throughput) ≥135wph@200mm Wafer
≥80wph@300mm Wafer
硅片尺寸(Wafer Diameter) 200mm or 300mm
这个成正果了？http://www.smee.com.cn/china/pro ... B%E6%9C%BASSA600/20
步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
产品特性
基于模块化的、具有良好延展性和动态性能的扫描光刻机统一平台
高分辨率、大数值孔径和大曝光视场的ArF投影物镜
自减振、高加速度和具备反质量补偿的高速高精运动台同步技术
具有良好工艺适应性的调焦调平和硅片对准先进光电信号处理技术
波像差原位在线检测与校准技术
符合SEMI标准的工业自动化远程通讯和TRACK批量自动流片功能
兼容200mm硅片和300mm硅片
可实现与SSC600/10 KrF、SSB600/10 i-line等光刻机的生产线配套
主要技术参数
分辨率(Resolution) 90nm or better
数值孔径 (NA) 0.75
曝光光源(Exposure Light Source) ArF excimer laser (193nm wavwlength)
镜头倍率(Reduction Ratio) 1:4
曝光视场(Field size) 26mm×33mm
刻套精度(Overlay) ≤20nm
产率(Throughput) ≥135wph@200mm Wafer
≥80wph@300mm Wafer
硅片尺寸(Wafer Diameter) 200mm or 300mm
这个成正果了？
步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
产品特性
基于模块化的、具有良好延展性和动态性能的扫描光刻机统一平台
高分辨率、大数值孔径和大曝光视场的ArF投影物镜
自减振、高加速度和具备反质量补偿的高速高精运动台同步技术
具有良好工艺适应性的调焦调平和硅片对准先进光电信号处理技术
波像差原位在线检测与校准技术
符合SEMI标准的工业自动化远程通讯和TRACK批量自动流片功能
兼容200mm硅片和300mm硅片
可实现与SSC600/10 KrF、SSB600/10 i-line等光刻机的生产线配套
主要技术参数
分辨率(Resolution) 90nm or better
数值孔径 (NA) 0.75
曝光光源(Exposure Light Source) ArF excimer laser (193nm wavwlength)
镜头倍率(Reduction Ratio) 1:4
曝光视场(Field size) 26mm×33mm
刻套精度(Overlay) ≤20nm
产率(Throughput) ≥135wph@200mm Wafer
≥80wph@300mm Wafer
硅片尺寸(Wafer Diameter) 200mm or 300mm
这个成正果了？http://www.smee.com.cn/china/pro ... B%E6%9C%BASSA600/20
步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。
产品特性
基于模块化的、具有良好延展性和动态性能的扫描光刻机统一平台
高分辨率、大数值孔径和大曝光视场的ArF投影物镜
自减振、高加速度和具备反质量补偿的高速高精运动台同步技术
具有良好工艺适应性的调焦调平和硅片对准先进光电信号处理技术
波像差原位在线检测与校准技术
符合SEMI标准的工业自动化远程通讯和TRACK批量自动流片功能
兼容200mm硅片和300mm硅片
可实现与SSC600/10 KrF、SSB600/10 i-line等光刻机的生产线配套
主要技术参数
分辨率(Resolution) 90nm or better
数值孔径 (NA) 0.75
曝光光源(Exposure Light Source) ArF excimer laser (193nm wavwlength)
镜头倍率(Reduction Ratio) 1:4
曝光视场(Field size) 26mm×33mm
刻套精度(Overlay) ≤20nm
产率(Throughput) ≥135wph@200mm Wafer
≥80wph@300mm Wafer
硅片尺寸(Wafer Diameter) 200mm or 300mm
这个成正果了？