FF+和FD soi 各有什么优劣

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/29 22:38:31
“中国芯”相中法国半导体公司,拟大力发展FD-SOI技术

芯片产业发展被提高到国家战略高度以来,这样的投资并购越来越常见。

据界面新闻记者了解,上海硅产业投资有限公司计划收购Soitec14.5%的股份。且Soitec负责人向界面透露,上海硅产业确实已承诺入资,但细节还没敲定,具体结果最快将在今年6月左右公布。

这项操作被不少人看作“中国芯”国家队的又一次发力。

自2014年以来,芯片产业发展被提高到了国家战略高度,无论是地方产业基金还是国家政策支持,都从不同层面为产业发展保驾护航。

2014年10月,在工信部、财政部的指导下,国开金融有限责任公司、中国移动通信集团公司、北京紫光通信科技集团有限公司、华芯投资管理有限责任公司等有实力的企业共同设立1200亿国家集成电路产业投资基金(下称大基金)。

而本次交易的主角“上海硅产业”,正是由“大基金”和上海嘉定工业区等机构共同出资成立,注册资本为人民币20亿元,预计到2016年底,资本将达到60亿元。


由于中国芯片企业起步较晚,在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”,因此“中国芯”要做大做强,通过产业发展股权投资基金支持重点企业的兼并重组及海外收购,培育具有核心竞争力的大型企业,无疑是明智的手段。

事实上自2013年起,“中国芯”代表企业之一紫光集团已连续完成三次国际并购和一次外资入股,涉及企业包括展讯、锐迪科等行业里的成熟企业。

此次上海硅产业拟入资Soitec,同样是希望充分借力国家集成电路基金的平台及引领优势,通过投资、并购、创新发展和国际合作来提升硅材料产业综合竞争力的路径。

被相中的Soitec是一家设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业,处于芯片产业链上游,以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。

Soitec在全球拥有约3600项专利,核心技术是FD-SOI技术。

“FD-SOI技术能特别好地延伸摩尔定律,每一代新的产品实现更低的功耗、更高的性能和更低的成本,适用于市场上几乎所有的智能设备;而且生产所使用的基础设施还是依据传统的bulk silicon(体硅)平面所使用的,不需要基础设施有大幅度的更改,能让代工厂和设备制造企业生产和设计的时间更短,上市更快。”


现在全球四大代工厂里三星(Sumsung)和格罗方德(Global Foundries)两家已经在使用FD-SOI技术,主要用于物联网、移动通讯、可穿戴设备、车联网等领域。

“他们采用这个技术的原因就在于FD-SOI的功耗更低,成本更少。比如索尼新一代的智能手表中的GPS,目前市场上最优秀的GPS产品功耗大概在10mW,而使用FD-SOI技术制作的芯片功耗能达到1mW,功耗降低10倍。”

Soitec在半导体领域的领先经验、Soitec拥有的FD-SOI基板技术能助力中国半导体行业实现弯道超车,在手机、物联网、电子消费品、穿戴设备等应用方面实现芯片成本、性能、能耗上的最佳平衡,提升其在国际业界的地位及技术水平。

能够快速、低风险、大规模的部署,是上海硅产业投资有限公司和Soitec快速推进合作的原因。据Christophe透露,在合作达成之后,中方的IC设计厂商能够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术,同时Soitec承诺如果未来中国大规模采用了这个技术,需要多少晶圆都可以提供。“除了销售产品的合作,在研发和生态系统建设方面也将展开合作。”

在目前的政策环境下,中国厂商比较激进、有野心,Christophe认为这对行业是个好事情,能够帮助中国半导体行业快速改变全球半导体行业格局。

“中国内地的代工厂、芯片制造厂起步比较晚,如果想跟韩国、中国台湾的芯片厂商竞争的话,我们认为FD-SOI就是可以改变整个竞争格局的技术。在主流市场的手机、电子产品、车载设备、互联网、WiFi等,FD-SOI技术能给客户带来很多价值。”Christophe非常看好FD-SOI为中国厂商带来的好处,他同时也希望FD-SOI技术能够成为移动通讯应用中芯片的标准技术,且通过这个合作FD-SOI技术在移动设备芯片的应用成为行业的标准。

对于中国芯片产业未来几年的发展Christophe表示很难预测,但他认为到2020、2021年左右中国半导体行业将会是全世界最大的半导体市场,尤其是FD-SOI技术会有很好的发展。

这笔投资会坑么?“中国芯”相中法国半导体公司,拟大力发展FD-SOI技术

芯片产业发展被提高到国家战略高度以来,这样的投资并购越来越常见。

据界面新闻记者了解,上海硅产业投资有限公司计划收购Soitec14.5%的股份。且Soitec负责人向界面透露,上海硅产业确实已承诺入资,但细节还没敲定,具体结果最快将在今年6月左右公布。

这项操作被不少人看作“中国芯”国家队的又一次发力。

自2014年以来,芯片产业发展被提高到了国家战略高度,无论是地方产业基金还是国家政策支持,都从不同层面为产业发展保驾护航。

2014年10月,在工信部、财政部的指导下,国开金融有限责任公司、中国移动通信集团公司、北京紫光通信科技集团有限公司、华芯投资管理有限责任公司等有实力的企业共同设立1200亿国家集成电路产业投资基金(下称大基金)。

而本次交易的主角“上海硅产业”,正是由“大基金”和上海嘉定工业区等机构共同出资成立,注册资本为人民币20亿元,预计到2016年底,资本将达到60亿元。


由于中国芯片企业起步较晚,在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”,因此“中国芯”要做大做强,通过产业发展股权投资基金支持重点企业的兼并重组及海外收购,培育具有核心竞争力的大型企业,无疑是明智的手段。

事实上自2013年起,“中国芯”代表企业之一紫光集团已连续完成三次国际并购和一次外资入股,涉及企业包括展讯、锐迪科等行业里的成熟企业。

此次上海硅产业拟入资Soitec,同样是希望充分借力国家集成电路基金的平台及引领优势,通过投资、并购、创新发展和国际合作来提升硅材料产业综合竞争力的路径。

被相中的Soitec是一家设计和生产创新性半导体材料的全球领先企业,处于芯片产业链上游,以其独特的技术和半导体领域的专长服务于电子和能源市场。

Soitec在全球拥有约3600项专利,核心技术是FD-SOI技术。

“FD-SOI技术能特别好地延伸摩尔定律,每一代新的产品实现更低的功耗、更高的性能和更低的成本,适用于市场上几乎所有的智能设备;而且生产所使用的基础设施还是依据传统的bulk silicon(体硅)平面所使用的,不需要基础设施有大幅度的更改,能让代工厂和设备制造企业生产和设计的时间更短,上市更快。”


现在全球四大代工厂里三星(Sumsung)和格罗方德(Global Foundries)两家已经在使用FD-SOI技术,主要用于物联网、移动通讯、可穿戴设备、车联网等领域。

“他们采用这个技术的原因就在于FD-SOI的功耗更低,成本更少。比如索尼新一代的智能手表中的GPS,目前市场上最优秀的GPS产品功耗大概在10mW,而使用FD-SOI技术制作的芯片功耗能达到1mW,功耗降低10倍。”

Soitec在半导体领域的领先经验、Soitec拥有的FD-SOI基板技术能助力中国半导体行业实现弯道超车,在手机、物联网、电子消费品、穿戴设备等应用方面实现芯片成本、性能、能耗上的最佳平衡,提升其在国际业界的地位及技术水平。

能够快速、低风险、大规模的部署,是上海硅产业投资有限公司和Soitec快速推进合作的原因。据Christophe透露,在合作达成之后,中方的IC设计厂商能够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术,同时Soitec承诺如果未来中国大规模采用了这个技术,需要多少晶圆都可以提供。“除了销售产品的合作,在研发和生态系统建设方面也将展开合作。”

在目前的政策环境下,中国厂商比较激进、有野心,Christophe认为这对行业是个好事情,能够帮助中国半导体行业快速改变全球半导体行业格局。

“中国内地的代工厂、芯片制造厂起步比较晚,如果想跟韩国、中国台湾的芯片厂商竞争的话,我们认为FD-SOI就是可以改变整个竞争格局的技术。在主流市场的手机、电子产品、车载设备、互联网、WiFi等,FD-SOI技术能给客户带来很多价值。”Christophe非常看好FD-SOI为中国厂商带来的好处,他同时也希望FD-SOI技术能够成为移动通讯应用中芯片的标准技术,且通过这个合作FD-SOI技术在移动设备芯片的应用成为行业的标准。

对于中国芯片产业未来几年的发展Christophe表示很难预测,但他认为到2020、2021年左右中国半导体行业将会是全世界最大的半导体市场,尤其是FD-SOI技术会有很好的发展。

这笔投资会坑么?
很坑,性能和功耗差很多,唯一的优点就是相对便宜和技术难度稍低,更容易实现。

熊首督军 发表于 2016-3-21 22:05
很坑,性能和功耗差很多,唯一的优点就是相对便宜和技术难度稍低,更容易实现。


fdsoi做逻辑芯片是不行,but做IOT和其他很多其他芯片就有用了。基本不用改生产工艺,直接换soi的晶元就可以获得低得多的功耗,

顺便说一下,Soitec好像就是第一个做出fdsoi晶园的公司
而且finfit和片上硅好像是不互斥的,只不过目前好像只要做一个就足够控制漏电了
熊首督军 发表于 2016-3-21 22:05
很坑,性能和功耗差很多,唯一的优点就是相对便宜和技术难度稍低,更容易实现。


fdsoi做逻辑芯片是不行,but做IOT和其他很多其他芯片就有用了。基本不用改生产工艺,直接换soi的晶元就可以获得低得多的功耗,

顺便说一下,Soitec好像就是第一个做出fdsoi晶园的公司
而且finfit和片上硅好像是不互斥的,只不过目前好像只要做一个就足够控制漏电了
fdsoi做逻辑芯片是不行,but做IOT和其他很多其他芯片就有用了。基本不用改生产工艺,直接换soi的晶元就 ...
你说的低得多的功耗,是比28nm而言,没法分finfet比的

熊首督军 发表于 2016-3-22 07:03
你说的低得多的功耗,是比28nm而言,没法分finfet比的


所以用在iot上啊,文章说的也是做iot这方面的啊。
改finfet不是简单的直接改制程,相比之下片上硅的延续性好不少。
而且soi的成本貌似低一点。虽然soi的晶圆更贵,but finfit要把栅立起来,综合来看还是soi要便宜点。


补充下。
看了下新闻,貌似soi和finfit真的不互斥。IBM的下两代cpu的制程都是soi+FF

      据王巍报道,IBM公司2015年7月9日讯,IBM公司日前宣布,该公司已经生产出半导体工业首片7纳米工艺节点测试芯片,芯片内包含200亿可以实际工作的晶体管。
       为了将半导体技术发展到7纳米工艺节点,使芯片性能更高、功耗更低,IBM公司采用了全新的锗硅沟道晶体管技术和极紫外光刻技术。
       该研究是IBM公司2014年启动的投资30亿美元、为期5年的芯片研发计划的一部分,其合作团队包括纽约州立大学、格罗方德公司、三星公司以及多家半导体工艺设备供应商。
       目前的微处理器采用22纳米和14纳米工艺技术。IBM公司的这一成就跨越了仍有待进一步成熟的10纳米半导体技术。与10纳米半导体技术相比,IBM公司的7纳米芯片有望实现芯片面积缩小50%,功耗性能比提高50%,将有助于大数据、云计算和移动计算等技术的发展。
       IBM公司实现7纳米工艺节点这一里程碑成就,建立在该公司以往对硅和半导体技术一系列创新的基础上。这些创新包括:动态随机存储器、登纳德等比例微缩定律、化学放大式光阻、铜连线、绝缘体上硅、应变工程、多核微处理器、浸入式光刻、高迁移率锗硅材料、高介电常数栅材料、嵌入式动态随机存储器、三维芯片堆叠以及气隙绝缘等技术。
熊首督军 发表于 2016-3-22 07:03
你说的低得多的功耗,是比28nm而言,没法分finfet比的


所以用在iot上啊,文章说的也是做iot这方面的啊。
改finfet不是简单的直接改制程,相比之下片上硅的延续性好不少。
而且soi的成本貌似低一点。虽然soi的晶圆更贵,but finfit要把栅立起来,综合来看还是soi要便宜点。


补充下。
看了下新闻,貌似soi和finfit真的不互斥。IBM的下两代cpu的制程都是soi+FF

      据王巍报道,IBM公司2015年7月9日讯,IBM公司日前宣布,该公司已经生产出半导体工业首片7纳米工艺节点测试芯片,芯片内包含200亿可以实际工作的晶体管。
       为了将半导体技术发展到7纳米工艺节点,使芯片性能更高、功耗更低,IBM公司采用了全新的锗硅沟道晶体管技术和极紫外光刻技术。
       该研究是IBM公司2014年启动的投资30亿美元、为期5年的芯片研发计划的一部分,其合作团队包括纽约州立大学、格罗方德公司、三星公司以及多家半导体工艺设备供应商。
       目前的微处理器采用22纳米和14纳米工艺技术。IBM公司的这一成就跨越了仍有待进一步成熟的10纳米半导体技术。与10纳米半导体技术相比,IBM公司的7纳米芯片有望实现芯片面积缩小50%,功耗性能比提高50%,将有助于大数据、云计算和移动计算等技术的发展。
       IBM公司实现7纳米工艺节点这一里程碑成就,建立在该公司以往对硅和半导体技术一系列创新的基础上。这些创新包括:动态随机存储器、登纳德等比例微缩定律、化学放大式光阻、铜连线、绝缘体上硅、应变工程、多核微处理器、浸入式光刻、高迁移率锗硅材料、高介电常数栅材料、嵌入式动态随机存储器、三维芯片堆叠以及气隙绝缘等技术。
所以用在iot上啊,文章说的也是做iot这方面的啊。
改finfet不是简单的直接改制程,相比之下片上硅的延 ...
        你有2大错觉啊,一是物联网用soi可以,但是用finfet更好,大部分追求中高端的ic设计公司,都会选择用finfet,甚至由于设备折旧,到soi起来的时候,成本未必便宜了,只剩下较容易实现这一个优点。

        第二个错觉,IBM在10nm和7nm选择finfet+soi,是因为,soi单独做不到10nm以下,至少现在做不到,必须加入finfet,而finfet自己就能做到。

        也就是说,现在走soi,到最后还是绕不过finfet。

        所以中芯国际选择直接上finfet了。
你有2大错觉啊,一是物联网用soi可以,但是用finfet更好,大部分追求中高端的ic设计公司,都会选 ...
中芯的14纳米量产还要好几年吧?
中芯的14纳米量产还要好几年吧?
IMEC说争取2018年风险试产。
熊首督军 发表于 2016-3-23 17:53
你有2大错觉啊,一是物联网用soi可以,但是用finfet更好,大部分追求中高端的ic设计公司,都会选 ...
。。。我一开始就讲追求性能用ff啊。
IOT是追求性能的嘛? 我不否认IOT用FF 搞不好功耗会更低(不过原始功耗已经很低,ff更好也有限),但是IOT用soi的原因明明是工艺延续和成本啊。。。。