国产65纳米光刻机进入整机考核阶段!今年春节前听到的最 ...

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/29 21:44:14
陶瓷院成功召开“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”科技成果鉴定会
    作者: 时间:2015-01-23【打印】
  1月21日,中国建筑材料联合会在北京主持召开了总院陶瓷院承研的“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”科技成果鉴定会。中国建材联合会科技工作部主任潘东晖、主任助理魏从九、总院副院长颜碧兰、陶瓷院院长胡利明,副院长唐婕、重点实验室首席科学家陈玉峰教授出席会议。来自我国知名院校及科研院所的9名专家组成鉴定委员会,航天材料及工艺研究所周延春研究员担任鉴定委员会主任委员、中科院电子研究所高陇桥研究员、清华大学朱煜教授担任副主任委员。魏从九主持了本次会议。
  会上陶瓷院唐婕、刘海林主任分别汇报了项目的研究过程及主要技术成果。该项目起源于国家科技重大专项“极大规模集成电路制造与成套工艺专项”(02专项),其中清华大学等单位承担核心制造装备光刻机部分研制任务。2011年在面临工件台系统碳化硅陶瓷结构部件国产化制造难题无法解决的情况下,清华大学等单位委托陶瓷院进行复杂结构碳化硅陶瓷部件的研发与制造。研制过程中项目组针对集成电路关键装备对大尺寸、高度轻量化、中空闭孔、精密尺寸控制的碳化硅陶瓷需求,突破了材料设计、近净尺寸成型、复杂部件的高温烧结与连接、精密加工等关键技术,首次研制成功集成电路装备用高精密碳化硅基陶瓷关键部件及成套技术。同时形成了碳/碳化硅体系的凝胶注模成型、一种适用于含碳陶瓷材料复杂部件制备的无模成型、一种碳化硅中空复杂构件的无缝连接,以及陶瓷部件低应力、微形变制造等一批具有自主知识产权的专利技术及专有技术。
  与会专家认真听取了项目组汇报,并对研制基地进行现场考察。经过质询、讨论,鉴定委员会委员一致认为“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”填补了国内空白,成果整体达到国际先进水平。项目顺利通过科技成果鉴定。
  目前,该项成果已成功应用于国家科技重大专项 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”(02专项)的65nm光刻机研制,在我国自主研制的双工件台系统中获得装配,目前正在进行整机考核。该成果的研制成功,对于解决光刻机这一国家战略高科技装备的核心部件研制难题,构建光刻机国产化制造完整技术链条具有重要意义。为我国集成电路制造关键装备用高精密陶瓷部件的国产化发展提供了重要支撑。该成果社会、经济效益显著,市场前景广阔。陶瓷院成功召开“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”科技成果鉴定会
    作者: 时间:2015-01-23【打印】
  1月21日,中国建筑材料联合会在北京主持召开了总院陶瓷院承研的“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”科技成果鉴定会。中国建材联合会科技工作部主任潘东晖、主任助理魏从九、总院副院长颜碧兰、陶瓷院院长胡利明,副院长唐婕、重点实验室首席科学家陈玉峰教授出席会议。来自我国知名院校及科研院所的9名专家组成鉴定委员会,航天材料及工艺研究所周延春研究员担任鉴定委员会主任委员、中科院电子研究所高陇桥研究员、清华大学朱煜教授担任副主任委员。魏从九主持了本次会议。
  会上陶瓷院唐婕、刘海林主任分别汇报了项目的研究过程及主要技术成果。该项目起源于国家科技重大专项“极大规模集成电路制造与成套工艺专项”(02专项),其中清华大学等单位承担核心制造装备光刻机部分研制任务。2011年在面临工件台系统碳化硅陶瓷结构部件国产化制造难题无法解决的情况下,清华大学等单位委托陶瓷院进行复杂结构碳化硅陶瓷部件的研发与制造。研制过程中项目组针对集成电路关键装备对大尺寸、高度轻量化、中空闭孔、精密尺寸控制的碳化硅陶瓷需求,突破了材料设计、近净尺寸成型、复杂部件的高温烧结与连接、精密加工等关键技术,首次研制成功集成电路装备用高精密碳化硅基陶瓷关键部件及成套技术。同时形成了碳/碳化硅体系的凝胶注模成型、一种适用于含碳陶瓷材料复杂部件制备的无模成型、一种碳化硅中空复杂构件的无缝连接,以及陶瓷部件低应力、微形变制造等一批具有自主知识产权的专利技术及专有技术。
  与会专家认真听取了项目组汇报,并对研制基地进行现场考察。经过质询、讨论,鉴定委员会委员一致认为“集成电路关键装备用高精密碳化硅陶瓷部件制造技术”填补了国内空白,成果整体达到国际先进水平。项目顺利通过科技成果鉴定。
  目前,该项成果已成功应用于国家科技重大专项 “极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”(02专项)的65nm光刻机研制,在我国自主研制的双工件台系统中获得装配,目前正在进行整机考核。该成果的研制成功,对于解决光刻机这一国家战略高科技装备的核心部件研制难题,构建光刻机国产化制造完整技术链条具有重要意义。为我国集成电路制造关键装备用高精密陶瓷部件的国产化发展提供了重要支撑。该成果社会、经济效益显著,市场前景广阔。
链接
http://www.cbma.com.cn/xwzx/xx.jsp?newsId=981
重要成果,再接再励。
可喜可贺,不过依然要清楚地认识到光刻机和国外最先进的水平还有很大差距,依然要加大攻关力度,争取把光刻机白菜花
65纳米,3200+
貌似国外最先进的是20多纳米吧
差距巨大,继续努力,点赞!
项目4“65nm ArF干式步进扫描双工件台光刻机产品研发”,
项目5“45nm浸没光刻机产品研制
65nm是光源分辨率还是刻蚀时的分辨率啊
PS:中芯28nm的制程不是量产了吗
一步一步来的进步!
65nm是光源分辨率还是刻蚀时的分辨率啊
PS:中芯28nm的制程不是量产了吗
光刻机项目。光刻机集精密光学、机械、控制、材料等先进科学技术和工程技术于一体,是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。2002年,科技部将“十五”重大科技专项100纳米高端光刻机的研制任务交付上海。2002年3月,上海微电子装备有限公司(SMEE)成立,通过10年的努力,SMEE掌握了光刻机核心关键技术并拥有自主知识产权,已申请中国专利947项,其中大部分为发明专利。

刻蚀机项目。由于该项目的技术门槛高,长期以来,世界半导体装备制造的高端关键设备被国外几家大公司所垄断,特别是超高精度的刻蚀设备。由尹志尧博士等海外归国人员2004年创办的中微半导体设备有限公司(AMEC)在上海市政府的大力支持下,承担国家重大科技专项(02专项),成功研制生产65纳米、40纳米、28纳米的等离子体介质刻蚀机,成功打入国际市场,被10家亚洲芯片厂商的生产线接受,改变了世界关键刻蚀设备领域的竞争格局。
hswz 发表于 2015-2-9 21:36
光刻机项目。光刻机集精密光学、机械、控制、材料等先进科学技术和工程技术于一体,是集成电路装备中技术 ...
是我看的不仔细,多谢提醒
貌似国外最先进的是20多纳米吧
14nm

嗙 嗙嗙嗙嗙
貌似国外最先进的是20多纳米吧
14nm

嗙 嗙嗙嗙嗙
有65纳米,就会有6.5纳米。加油,中国!
momoranshi 发表于 2015-2-9 21:40
14nm

嗙 嗙嗙嗙嗙
天朝是不会放过把这么高大上的东西白菜化的