超级军网我国65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 21:35:46
(新闻联播7月6日播出)：国家11个科技重大专项目前进入加速推进期，将带动我国工业水平的全面提升。
65纳米，这是相当于人头发丝千分之一的精度，这样的精度对于芯片来说，意味着可以在指甲盖大小的范围里，集成几千万，甚至是几亿个晶体管，这样，我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这，也成为我国电子企业的“软肋”，难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计，我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节(新闻联播7月6日播出)：国家11个科技重大专项目前进入加速推进期，将带动我国工业水平的全面提升。
65纳米，这是相当于人头发丝千分之一的精度，这样的精度对于芯片来说，意味着可以在指甲盖大小的范围里，集成几千万，甚至是几亿个晶体管，这样，我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这，也成为我国电子企业的“软肋”，难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计，我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节
65纳米，这是相当于人头发丝千分之一的精度，这样的精度对于芯片来说，意味着可以在指甲盖大小的范围里，集成几千万，甚至是几亿个晶体管，这样，我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这，也成为我国电子企业的“软肋”，难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计，我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节(新闻联播7月6日播出)：国家11个科技重大专项目前进入加速推进期，将带动我国工业水平的全面提升。
65纳米，这是相当于人头发丝千分之一的精度，这样的精度对于芯片来说，意味着可以在指甲盖大小的范围里，集成几千万，甚至是几亿个晶体管，这样，我们做出的电子产品性能就会更好。如今由国家科技重大专项支持的65纳米集成电路制造设备已经进入生产线考核验证。
而这，也成为我国电子企业的“软肋”，难以在国际市场上拥有“话语权”。据统计，我国每年进口集成电路产品超过一千亿美元。“极大规模集成电路”科技重大专项正是剑指集成电路制造的薄弱环节
1# EKW
不知道行内人士怎么评价之。:D
不知道行内人士怎么评价之。:D
不错
先解决有无的问题
先解决有无的问题
普京不是不愿意让中国人生产导航芯片吗，来买这个吧，这样他们就能生产了．哈哈哈哈．:D:D
等桃mm出手。
看了，首先鄙视一下央视，不要用那种笼统的说法好不好，和3月16日的新闻联播的新闻稿基本一样，最郁闷听到头发丝这样的说法，其实画面中混杂了几个不同的企业和研究机构，但国内搞这个的主要就是上海的中微半导体设备，主要是CVD/PECVD/ALD和Etching/Stripping/Ashing设备,也算是关键性设备，不过关键和核心的程度以及技术的含量和光刻机当然是无法比的，老总以前是AM的副总，东西还算不错，不过不能在SMIC这个废材那试机，上海应该搞条中试线，既搞工艺技术，又给设备厂商一个平台，中国的半导体要想起来，首先就应该彻底改造下SMIC那种从台湾来的不良风气。
{:3_81:}桃MM说的好~~
桃树下的月色 发表于 2009-7-13 10:25 
桃花MM, 请问一下, SMEE193纳米光刻机进生产线试用没有?
桃花MM, 请问一下, SMEE193纳米光刻机进生产线试用没有?
近日，由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。微电子所徐秋霞研究员作为项目主要完成人之一，也荣获该奖项 。
国家863项目“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”，由北京大学、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、清华大学6家单位合作完成。成功开发了90nm大生产核心技术，包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联／低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术，并成功地用于12英寸大生产中，建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台，使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一，为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发，提供了一个产学研相结合的技术平台，对我国集成电路产业的发展具有重要意义。该项目曾获2007年教育部科学技术一等奖。
微电子所徐秋霞研究员作为该课题主要完成人之一，圆满完成了该课题中的子课题“70纳米CMOS关键技术及器件研究”的任务，她和她的科研团队在65纳米及以下技术代若干关键技术和新结构器件研发方面（如非平面体硅CMOS FinFET 新器件结构及其集成技术、凹槽平面双栅MOS器件新结构及其制备、叠层栅介质/金属栅工艺及其集成技术）取得多项创新成果，获发明专利授权5项，在《IEEE TED》、《半导体学报》等学术刊物发表论文16篇，国际会议发表论文6篇
近日，由微电子所作为合作单位之一承担完成的“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”获2008年国家科学技术进步奖二等奖。微电子所徐秋霞研究员作为项目主要完成人之一，也荣获该奖项 。
国家863项目“90纳米—65纳米极大规模集成电路大生产关键技术研究”，由北京大学、中芯国际集成电路制造有限公司、浙江大学、西安电子科技大学、中国科学院微电子研究所、清华大学6家单位合作完成。成功开发了90nm大生产核心技术，包括微细加工、Co硅化物浅结、Cu互联／低K、器件模型、光刻模型和版图的可制造性、可靠性分析和评测等技术，并成功地用于12英寸大生产中，建立了开放式的90nmCMOS大生产关键工艺技术平台，使我国成为掌握当前国际最先进集成电路大生产工艺制造技术的少数国家和地区之一，为我国集成电路设计、制造、专用设备和材料技术的研发，提供了一个产学研相结合的技术平台，对我国集成电路产业的发展具有重要意义。该项目曾获2007年教育部科学技术一等奖。
微电子所徐秋霞研究员作为该课题主要完成人之一，圆满完成了该课题中的子课题“70纳米CMOS关键技术及器件研究”的任务，她和她的科研团队在65纳米及以下技术代若干关键技术和新结构器件研发方面（如非平面体硅CMOS FinFET 新器件结构及其集成技术、凹槽平面双栅MOS器件新结构及其制备、叠层栅介质/金属栅工艺及其集成技术）取得多项创新成果，获发明专利授权5项，在《IEEE TED》、《半导体学报》等学术刊物发表论文16篇，国际会议发表论文6篇
我也觉得老是去跟台湾佬搅在一起，会吃力不讨好的，只有自立更生才行。你自己手上没东西，想靠别人施舍，无疑于痴人说梦。希望这个课题能继续下去，说实在不看好。其实就这个项目本身，混吃混喝就足可以拿个二等奖，居然没拿到一等奖，就说明实际效果不咋地。
中芯国际集成电路制造有限公司对这个课题的贡献应该就是提供了12英寸生产线吧
桃花MM, 请问一下, SMEE193纳米光刻机进生产线试用没有?
seemore 发表于 2009-7-13 12:55
193纳米说的是ARF光源的波长，精度是100纳米的，目前项目没有完成，明年再来看看？
目前SMEE的国企氛围太重了，人浮于事啊
桃花MM, 请问一下, SMEE193纳米光刻机进生产线试用没有?
seemore 发表于 2009-7-13 12:55
193纳米说的是ARF光源的波长，精度是100纳米的，目前项目没有完成，明年再来看看？
目前SMEE的国企氛围太重了，人浮于事啊
EKW 发表于 2009-7-13 15:02
工艺技术和设备技术是两码事，别混淆了
工艺技术和设备技术是两码事，别混淆了
下面这个牛吹大了：
海微高精密机械工程有限公司正承担着国家“十五”重大科技专项“100nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机”分系统的研制任务。据悉,目前国产 100nm光刻机已进入系统整装阶段,2006年就是中国首台100nm光刻机样机正式亮相之年,上海微高总经理程建瑞表示,这将意味着中国光刻设备技术由“十五”始时落后6代缩小至“十五”末时的3代,到“十一五”结束时,我们的目标是技术上与国际水平相差1代至0.5代。
我们把将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上的设备称为光刻机,半导体制造技术之所以能飞速发展,光刻技术的支撑起到了极为关键的作用,而放眼中国各大生产线上,全是进口光刻机,所以把研制国产光刻机上升到使命层面也不为过。
光刻设备的更新换代很快,而其研发周期却很长。因为,光刻机是一个多种复杂技术的集成,而对准和曝光又是光刻工艺中最关键的工序,可在中国着手研制 100nm光刻机时,这两项技术指标却是空白。然而,国际上三大知名光刻机制造商——ASML、Nikon、Canon分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机却早已在市场销售。所以,程建瑞也不否认,国产100nm光刻机的“敲门砖”效应。由此也看出,做国产光刻机,使命感、紧迫感、勇敢,三者一个都不能少。
就使命感而言,程建瑞表示,国家“十五”重大科技专项“100nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机”,是以高端光刻设备的总体设计技术、集成技术和关键单元技术为主攻目标,是我国微电子产业发展规划的重大战略决策,对于形成光刻设备高端产品技术平台,发展我国自主产权的光刻设备产业具有重要意义。
国内技术的空白还在其次,国际市场的技术封锁以及大量不确定因素更是难以掌控。程建瑞表示,100nm所用的关键器件、材料国内根本就没有,只能到国际市场去采购,“比如当初100nm的光刻胶,你出再高的价钱,人家就是不理你。值得庆幸的是,经过多方努力我们国际市场采购渠道都已基本打通了。”
国产100nm光刻机目前已申请了40多项专利,计划申请100来项。程建瑞认为,选择100nm切入应该是个正确的技术决策,因为其研制方法不仅对 100nm光刻机适用,大部分还可以移植到65nm-45nm-32nm甚至22nm节点技术相关的设备开发、器件设计和工艺研究。而最重要的是,通过对 100nm光刻机分系统设计和总体设计集成技术的研发,为国家培养出一大批光刻机技术人才。
据程建瑞介绍,100nm光刻机研制项目基础技术人员,由中国电子科技集团45所光刻机业务全部班底加上部分成都光电人员构成,而目前300多人组成的研发队伍完全是公司自我培养成才的。程建瑞说,“国内根本找不到光刻机现成人才,在公司陆续招募来的员工中,只有极少数曾操作过光刻机。”
成立于2003年6月的上海微高精密机械有限公司,是由中国电子科技集团45所和上海微电子装备有限公司在上海浦东张江高科技园区成立的合资企业。是目前国内唯一一家提供光刻机和其它晶圆制造前道设备的研制、销售、安装、翻新、备件耗材及技术咨询成套解决方案的公司。
上海微高现由45所控股,从1970年开始跟踪、研制光刻机的45所,至今已研制出三代产品。2001年初,45所成功翻新的第一台二手光刻机卖给了北大微电子所。而微高目前经营的二手光刻机翻新业务,就是由45所原班人马构成。据程建瑞介绍,上海微高目前可同时翻新10台光刻机和若干其它黄光区设备、测试设备等,并具备8英寸、0.1μm以上的试验工艺条件。程建瑞表示,上海微高在二手设备市场还会加大开拓力度。“一方面国内市场需求还很大,公司也需要有经营收入。另一方面,经营二手设备业务也是为自主研制的高端光刻机将来实现商业化运作积累经验、培养人才。”
也许国产首台100nm光刻机样机很快就会出来,但它毕竟还不是产品。而要达到商用水平的诸多要素——配套加工、可靠的生产工艺、大生产线应用等目前都无从谈起。但若由此推断,国产高端光刻机永无出头之日,恐怕也是有失公允的。据悉,2005年ASML在中国申请了100多项技术专利,而在中国 100nm光刻机研制未获实质性进展前,ASML在中国似乎并不在意此项业务的开展。
海微高精密机械工程有限公司正承担着国家“十五”重大科技专项“100nmArF准分子激光步进扫描投影光刻机”分系统的研制任务。据悉,目前国产 100nm光刻机已进入系统整装阶段,2006年就是中国首台100nm光刻机样机正式亮相之年,上海微高总经理程建瑞表示,这将意味着中国光刻设备技术由“十五”始时落后6代缩小至“十五”末时的3代,到“十一五”结束时,我们的目标是技术上与国际水平相差1代至0.5代。
我们把将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上的设备称为光刻机,半导体制造技术之所以能飞速发展,光刻技术的支撑起到了极为关键的作用,而放眼中国各大生产线上,全是进口光刻机,所以把研制国产光刻机上升到使命层面也不为过。
光刻设备的更新换代很快,而其研发周期却很长。因为,光刻机是一个多种复杂技术的集成,而对准和曝光又是光刻工艺中最关键的工序,可在中国着手研制 100nm光刻机时,这两项技术指标却是空白。然而,国际上三大知名光刻机制造商——ASML、Nikon、Canon分辨率为100nm的193nm ArF准分子激光分步扫描投影光刻机却早已在市场销售。所以,程建瑞也不否认,国产100nm光刻机的“敲门砖”效应。由此也看出,做国产光刻机,使命感、紧迫感、勇敢,三者一个都不能少。
就使命感而言,程建瑞表示,国家“十五”重大科技专项“100nmArF 准分子激光步进扫描投影光刻机”,是以高端光刻设备的总体设计技术、集成技术和关键单元技术为主攻目标,是我国微电子产业发展规划的重大战略决策,对于形成光刻设备高端产品技术平台,发展我国自主产权的光刻设备产业具有重要意义。
国内技术的空白还在其次,国际市场的技术封锁以及大量不确定因素更是难以掌控。程建瑞表示,100nm所用的关键器件、材料国内根本就没有,只能到国际市场去采购,“比如当初100nm的光刻胶,你出再高的价钱,人家就是不理你。值得庆幸的是,经过多方努力我们国际市场采购渠道都已基本打通了。”
国产100nm光刻机目前已申请了40多项专利,计划申请100来项。程建瑞认为,选择100nm切入应该是个正确的技术决策,因为其研制方法不仅对 100nm光刻机适用,大部分还可以移植到65nm-45nm-32nm甚至22nm节点技术相关的设备开发、器件设计和工艺研究。而最重要的是,通过对 100nm光刻机分系统设计和总体设计集成技术的研发,为国家培养出一大批光刻机技术人才。
据程建瑞介绍,100nm光刻机研制项目基础技术人员,由中国电子科技集团45所光刻机业务全部班底加上部分成都光电人员构成,而目前300多人组成的研发队伍完全是公司自我培养成才的。程建瑞说,“国内根本找不到光刻机现成人才,在公司陆续招募来的员工中,只有极少数曾操作过光刻机。”
成立于2003年6月的上海微高精密机械有限公司,是由中国电子科技集团45所和上海微电子装备有限公司在上海浦东张江高科技园区成立的合资企业。是目前国内唯一一家提供光刻机和其它晶圆制造前道设备的研制、销售、安装、翻新、备件耗材及技术咨询成套解决方案的公司。
上海微高现由45所控股,从1970年开始跟踪、研制光刻机的45所,至今已研制出三代产品。2001年初,45所成功翻新的第一台二手光刻机卖给了北大微电子所。而微高目前经营的二手光刻机翻新业务,就是由45所原班人马构成。据程建瑞介绍,上海微高目前可同时翻新10台光刻机和若干其它黄光区设备、测试设备等,并具备8英寸、0.1μm以上的试验工艺条件。程建瑞表示,上海微高在二手设备市场还会加大开拓力度。“一方面国内市场需求还很大,公司也需要有经营收入。另一方面,经营二手设备业务也是为自主研制的高端光刻机将来实现商业化运作积累经验、培养人才。”
也许国产首台100nm光刻机样机很快就会出来,但它毕竟还不是产品。而要达到商用水平的诸多要素——配套加工、可靠的生产工艺、大生产线应用等目前都无从谈起。但若由此推断,国产高端光刻机永无出头之日,恐怕也是有失公允的。据悉,2005年ASML在中国申请了100多项技术专利,而在中国 100nm光刻机研制未获实质性进展前,ASML在中国似乎并不在意此项业务的开展。
还有这里牛也吹大了：http://tt.cas.cn/web/openday/projects/p521.htm
100nm － 65nm 步进扫描投影光刻机光刻仿真
成果介绍：受国家 863 IC 重大专项“ 100 nm 步进扫描投影光刻机”承担单位《上海微电子装备有限公司》委托，中国科学院电工研究所李艳秋研究员领导的项目组，承担并完成了“ 100 nm 步进扫描投影光刻机光刻仿真 ”项目的任务要求。
光刻仿真辅助设计研究是每一代 IC 产品的模板（ MASK ）设计制造、光刻机设计研制、光刻胶研制和光刻工艺等协同研究和设计制造所需要的重要手段和有效途径。
研究利用光刻仿真辅助设计软件，针对 100nm 光刻机总体设计阶段中，分系统设计指标性能、公差分配以及分系统指标性能相互作用对 100nm 节点光刻性能的影响研究，为光刻机分系统设计和总体设计集成提供依据。同时通过定量分析不同技术指标、公差容限之间的制约关系，给出了较大范围内，参数设置（设计）的不同优化组合，提出了分系统之间协调设计和总体设计的依据和建议。这项研究成果为 SMEE 设计光刻机和与国外合作提供方案验证，避免设计不周带来的经济损失和不良效果，有效缩短复杂设备研制周期、减少资金浪费，优化设备设计性能。
该项目的研究，进一步缩短了我国与先进工业国家在光刻研究领域的差距，国内领先，国际同轨。研究方法不仅对 100nm 光刻机适用，大部分可以移植到 65nm － 45nm － 32nm － 22nm 节点技术相关的设备开发、器件设计和工艺研究。
应用这项研究相关的方法、软件、技术，进行下一代产品和设备的前瞻性研究，目前已开展了 65nm － 45nm 节点技术的研究工作。同时，在该项目研究基础上，进一步研究开发了光刻辅助设计软件 MicroCuiser ，用自主开发的光刻仿真软件研究的部分结果，可谓国际先进，国际比肩，部分研究成果国际领先，为我国进一步开发 100nm 以下（ 65nm － 22nm ）节点光刻技术，奠定了必要的基础。
100nm － 65nm 步进扫描投影光刻机光刻仿真
成果介绍：受国家 863 IC 重大专项“ 100 nm 步进扫描投影光刻机”承担单位《上海微电子装备有限公司》委托，中国科学院电工研究所李艳秋研究员领导的项目组，承担并完成了“ 100 nm 步进扫描投影光刻机光刻仿真 ”项目的任务要求。
光刻仿真辅助设计研究是每一代 IC 产品的模板（ MASK ）设计制造、光刻机设计研制、光刻胶研制和光刻工艺等协同研究和设计制造所需要的重要手段和有效途径。
研究利用光刻仿真辅助设计软件，针对 100nm 光刻机总体设计阶段中，分系统设计指标性能、公差分配以及分系统指标性能相互作用对 100nm 节点光刻性能的影响研究，为光刻机分系统设计和总体设计集成提供依据。同时通过定量分析不同技术指标、公差容限之间的制约关系，给出了较大范围内，参数设置（设计）的不同优化组合，提出了分系统之间协调设计和总体设计的依据和建议。这项研究成果为 SMEE 设计光刻机和与国外合作提供方案验证，避免设计不周带来的经济损失和不良效果，有效缩短复杂设备研制周期、减少资金浪费，优化设备设计性能。
该项目的研究，进一步缩短了我国与先进工业国家在光刻研究领域的差距，国内领先，国际同轨。研究方法不仅对 100nm 光刻机适用，大部分可以移植到 65nm － 45nm － 32nm － 22nm 节点技术相关的设备开发、器件设计和工艺研究。
应用这项研究相关的方法、软件、技术，进行下一代产品和设备的前瞻性研究，目前已开展了 65nm － 45nm 节点技术的研究工作。同时，在该项目研究基础上，进一步研究开发了光刻辅助设计软件 MicroCuiser ，用自主开发的光刻仿真软件研究的部分结果，可谓国际先进，国际比肩，部分研究成果国际领先，为我国进一步开发 100nm 以下（ 65nm － 22nm ）节点光刻技术，奠定了必要的基础。
LS说的就是SMEE的那个东西，SMEE就是上海微电子装备有限公司啊，也不算什么吹牛吧，毕竟ARF光源的STEPPER的技术指标就得是那样的。
国内除了SMEE还有做光刻机的吗？
那怎么这个玩意还没出来？这个好像已经是2008年前的资料啦
那SMEE是不是就是以中电45所为技术依托组建的？
123456d 发表于 2009-7-13 17:50
不要低估了这东西的难度，镜头和一些对准要用到的精密机械部件可不是那么容易搞的，还有配套的系统软件，关键在那个步进扫描的算法，日本人就在软件算法上吃了大亏了
不要低估了这东西的难度，镜头和一些对准要用到的精密机械部件可不是那么容易搞的，还有配套的系统软件，关键在那个步进扫描的算法，日本人就在软件算法上吃了大亏了
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室重大专项
“高NA浸没式曝光光学系统关键技术研究”、“极高精度光学元件与系统检测技术研究”及“极紫外投影光刻关键技术研究”等项目，是国家下达的重大的科技专项任务（第一期经费10亿元），其最终目标是掌握超大规模集成电路制造产业核心装备--DUV及EUV投影光刻机曝光光学系统的研制与生产能力
“高NA浸没式曝光光学系统关键技术研究”、“极高精度光学元件与系统检测技术研究”及“极紫外投影光刻关键技术研究”等项目，是国家下达的重大的科技专项任务（第一期经费10亿元），其最终目标是掌握超大规模集成电路制造产业核心装备--DUV及EUV投影光刻机曝光光学系统的研制与生产能力
不知道这个玩意搞到什么程度了？总是失望大于希望{:3_80:}{:3_98:}
不知道这个玩意搞到什么程度了？总是失望大于希望。
看来这个也是骗人的：http://www.smee.com.cn/02_chanpin/02.html
：
SSA600/10 型步进扫描投影光刻机用于集成电路前道工艺，可满足用户100nm工艺节点的需求。该设备采用高性能193nmArF准分子激光光源，结合大数值孔径投影物镜和离轴照明技术，可实现高分辨率和高工艺稳定性；可变数值孔径和多种照明模式可满足不同光刻分辨率和焦深要求；大曝光视场、快速对准技术和高同步扫描速度，可实现高生产率、高性能掩模对准和硅片对准技术以及高精度工件台掩模台控制精度，可满足高套刻精度要求。
SSA600/10型步进扫描投影光刻机具有以下优良特性：
高性能193nm ArF准分子激光光源
高性能投影物镜系统，最大数值孔径0.75
支持离轴照明等多种分辨率增强技术，最高分辨率100nm
高速全场对准和高速同步扫描曝光实现高产率
高精度掩模对准和硅片对准系统，对不同硅片工艺具有良好的工艺适应性
高精度六自由度掩模台/工件台定位控制系统
高性能、高可靠性、低生产成本(COO)
看来这个也是骗人的：http://www.smee.com.cn/02_chanpin/02.html
：
SSA600/10 型步进扫描投影光刻机用于集成电路前道工艺，可满足用户100nm工艺节点的需求。该设备采用高性能193nmArF准分子激光光源，结合大数值孔径投影物镜和离轴照明技术，可实现高分辨率和高工艺稳定性；可变数值孔径和多种照明模式可满足不同光刻分辨率和焦深要求；大曝光视场、快速对准技术和高同步扫描速度，可实现高生产率、高性能掩模对准和硅片对准技术以及高精度工件台掩模台控制精度，可满足高套刻精度要求。
SSA600/10型步进扫描投影光刻机具有以下优良特性：
高性能193nm ArF准分子激光光源
高性能投影物镜系统，最大数值孔径0.75
支持离轴照明等多种分辨率增强技术，最高分辨率100nm
高速全场对准和高速同步扫描曝光实现高产率
高精度掩模对准和硅片对准系统，对不同硅片工艺具有良好的工艺适应性
高精度六自由度掩模台/工件台定位控制系统
高性能、高可靠性、低生产成本(COO)
神户牛排 发表于 2009-7-13 17:48
有啊，多啦，问题是这个光刻机看你如何定义了,又不是只有集成电路制造要用到光刻机，LED和LCD也一样的，应该说是SCANNER比较合适些
有啊，多啦，问题是这个光刻机看你如何定义了,又不是只有集成电路制造要用到光刻机，LED和LCD也一样的，应该说是SCANNER比较合适些
日前，中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室承担的项目“表面等离子体超衍射光学光刻基础研究”顺利通过四川省科学技术厅组织的成果鉴定。
鉴定专家组认为：该项目结合国际半导体技术领域提高光刻分辨力的重大需求背景，针对光学光刻中由于衍射极限带来的分辨力受光源波长限制的原理和技术困境，提出了一种崭新的利用表面等离子体超越衍射极限的光学光刻原理和技术方法。项目研究取得多项创新性、具有国际先进水平的理论和技术研究成果，搭建了表面等离子体光学光刻实验样机并建立了高深宽比、高陡直的配套光刻工艺，分辨力达到50nm，从理论、技术方法和实验上验证了利用长波长（i线365nm）光源实现超越衍射极限分辨力的光学光刻方法的可行性，为实用化表面等离子体光学光刻技术研究提供了基础。
该项目研究成果有望突破国际半导体技术蓝图（ITRS）中光学光刻分辨力受光源波长限制的传统路线格局，为实现32nm、22nm甚至10nm以下光刻技术节点提供了全新的理论和技术手段，为光学光刻技术跨越式发展奠定了坚实基础
鉴定专家组认为：该项目结合国际半导体技术领域提高光刻分辨力的重大需求背景，针对光学光刻中由于衍射极限带来的分辨力受光源波长限制的原理和技术困境，提出了一种崭新的利用表面等离子体超越衍射极限的光学光刻原理和技术方法。项目研究取得多项创新性、具有国际先进水平的理论和技术研究成果，搭建了表面等离子体光学光刻实验样机并建立了高深宽比、高陡直的配套光刻工艺，分辨力达到50nm，从理论、技术方法和实验上验证了利用长波长（i线365nm）光源实现超越衍射极限分辨力的光学光刻方法的可行性，为实用化表面等离子体光学光刻技术研究提供了基础。
该项目研究成果有望突破国际半导体技术蓝图（ITRS）中光学光刻分辨力受光源波长限制的传统路线格局，为实现32nm、22nm甚至10nm以下光刻技术节点提供了全新的理论和技术手段，为光学光刻技术跨越式发展奠定了坚实基础
LS的，如果真的成功的话那是对理论的重大创新啊，本来是光源的波长越段越好的，当年就是从I线，KRF一直到主流的ARF，再到F2,确实是ITRS文档中木有的啊
桃树下的月色 发表于 2009-7-13 18:18 那集成电路制造用的光刻机是不是要靠中科院了
那集成电路制造用的光刻机是不是要靠中科院了与我国目前已有的离子注入技术相比，300mm/90～65nm大角度中束流离子注入机是目前国际上更为先进的机型，其系统更庞大、复杂，自动化程度更高，还有许多亟待我们攻克的关键技术，仅剂量控制系统而言，就有高精度、宽量程束流和剂量测量技术、周期实时可调波形发生技术、精密运动控制技术等多项技术急需突破。然而，众多的难题未曾使我们的科研人员退缩，他们着眼项目目标及总体技术路线，有重点有步骤地开展着各项工作。
为确保满足300mm/90～65nm中束流离子注入机要求的剂量控制系统成功研制，科研人员们发扬勇于探索的科学创新精神与舍家忘我的创业奉献精神，主动放弃节假日，放弃与家人团聚的机会，以公司为家，以圆满完成项目为盼，日夜埋首，刻苦攻关。束流与剂量测量模块精度和范围不够，怎么办？工程师们从理论分析着手，推断出部件的功能模型，寻找各种可行的解决方案，经实验选择与优化，攻克了束流与剂量测量的难题，将测量精度从0.001μA提高到0.0001μA，测量范围由0～2MA提高到0～20MA。在波形发生器技术上，原有的波形发生器技术在波形输出响应速度和周期调节精度上都无法满足新系统要求，工程师们本想通过改进原有技术解决问题，然事与愿违，无法满足要求，不得不另辟蹊径。通过广泛的技术调研，选用国际最先进的控制技术作为研发平台，与国际自动化工控公司广泛交流与合作，终于实现了扫描波形更新速度由微秒级到纳秒级的技术提升。功夫不负有心人，波形发生器的输出响应速度和周期调节精度不仅达到、而且超出了新系统的要求。垂直扫描运动精度的控制问题一直是困扰工程师们的难题，通过探索，也最终迎刃而解，一举实现了控制精度从1mm到1μm的1000倍的提高……实测结果显示，新型的全自动剂量控制系统完全能满足项目设备要求，大大提高了离子注入机整机性能。
剂量控制技术只是我们突破的诸多关键技术中的一个，未来仍将艰巨的攻关道路上，还有许许多多的技术需要我们去攻克，但我们相信，只要踏踏实实，不畏艰难，坚持不懈，勇往直前，我们就能圆满完成300mm/90～65nm中束流离子注入机项目与我国目前已有的离子注入技术相比，300mm/90～65nm大角度中束流离子注入机是目前国际上更为先进的机型，其系统更庞大、复杂，自动化程度更高，还有许多亟待我们攻克的关键技术，仅剂量控制系统而言，就有高精度、宽量程束流和剂量测量技术、周期实时可调波形发生技术、精密运动控制技术等多项技术急需突破。然而，众多的难题未曾使我们的科研人员退缩，他们着眼项目目标及总体技术路线，有重点有步骤地开展着各项工作。
为确保满足300mm/90～65nm中束流离子注入机要求的剂量控制系统成功研制，科研人员们发扬勇于探索的科学创新精神与舍家忘我的创业奉献精神，主动放弃节假日，放弃与家人团聚的机会，以公司为家，以圆满完成项目为盼，日夜埋首，刻苦攻关。束流与剂量测量模块精度和范围不够，怎么办？工程师们从理论分析着手，推断出部件的功能模型，寻找各种可行的解决方案，经实验选择与优化，攻克了束流与剂量测量的难题，将测量精度从0.001μA提高到0.0001μA，测量范围由0～2MA提高到0～20MA。在波形发生器技术上，原有的波形发生器技术在波形输出响应速度和周期调节精度上都无法满足新系统要求，工程师们本想通过改进原有技术解决问题，然事与愿违，无法满足要求，不得不另辟蹊径。通过广泛的技术调研，选用国际最先进的控制技术作为研发平台，与国际自动化工控公司广泛交流与合作，终于实现了扫描波形更新速度由微秒级到纳秒级的技术提升。功夫不负有心人，波形发生器的输出响应速度和周期调节精度不仅达到、而且超出了新系统的要求。垂直扫描运动精度的控制问题一直是困扰工程师们的难题，通过探索，也最终迎刃而解，一举实现了控制精度从1mm到1μm的1000倍的提高……实测结果显示，新型的全自动剂量控制系统完全能满足项目设备要求，大大提高了离子注入机整机性能。
剂量控制技术只是我们突破的诸多关键技术中的一个，未来仍将艰巨的攻关道路上，还有许许多多的技术需要我们去攻克，但我们相信，只要踏踏实实，不畏艰难，坚持不懈，勇往直前，我们就能圆满完成300mm/90～65nm中束流离子注入机项目
为确保满足300mm/90～65nm中束流离子注入机要求的剂量控制系统成功研制，科研人员们发扬勇于探索的科学创新精神与舍家忘我的创业奉献精神，主动放弃节假日，放弃与家人团聚的机会，以公司为家，以圆满完成项目为盼，日夜埋首，刻苦攻关。束流与剂量测量模块精度和范围不够，怎么办？工程师们从理论分析着手，推断出部件的功能模型，寻找各种可行的解决方案，经实验选择与优化，攻克了束流与剂量测量的难题，将测量精度从0.001μA提高到0.0001μA，测量范围由0～2MA提高到0～20MA。在波形发生器技术上，原有的波形发生器技术在波形输出响应速度和周期调节精度上都无法满足新系统要求，工程师们本想通过改进原有技术解决问题，然事与愿违，无法满足要求，不得不另辟蹊径。通过广泛的技术调研，选用国际最先进的控制技术作为研发平台，与国际自动化工控公司广泛交流与合作，终于实现了扫描波形更新速度由微秒级到纳秒级的技术提升。功夫不负有心人，波形发生器的输出响应速度和周期调节精度不仅达到、而且超出了新系统的要求。垂直扫描运动精度的控制问题一直是困扰工程师们的难题，通过探索，也最终迎刃而解，一举实现了控制精度从1mm到1μm的1000倍的提高……实测结果显示，新型的全自动剂量控制系统完全能满足项目设备要求，大大提高了离子注入机整机性能。
剂量控制技术只是我们突破的诸多关键技术中的一个，未来仍将艰巨的攻关道路上，还有许许多多的技术需要我们去攻克，但我们相信，只要踏踏实实，不畏艰难，坚持不懈，勇往直前，我们就能圆满完成300mm/90～65nm中束流离子注入机项目与我国目前已有的离子注入技术相比，300mm/90～65nm大角度中束流离子注入机是目前国际上更为先进的机型，其系统更庞大、复杂，自动化程度更高，还有许多亟待我们攻克的关键技术，仅剂量控制系统而言，就有高精度、宽量程束流和剂量测量技术、周期实时可调波形发生技术、精密运动控制技术等多项技术急需突破。然而，众多的难题未曾使我们的科研人员退缩，他们着眼项目目标及总体技术路线，有重点有步骤地开展着各项工作。
为确保满足300mm/90～65nm中束流离子注入机要求的剂量控制系统成功研制，科研人员们发扬勇于探索的科学创新精神与舍家忘我的创业奉献精神，主动放弃节假日，放弃与家人团聚的机会，以公司为家，以圆满完成项目为盼，日夜埋首，刻苦攻关。束流与剂量测量模块精度和范围不够，怎么办？工程师们从理论分析着手，推断出部件的功能模型，寻找各种可行的解决方案，经实验选择与优化，攻克了束流与剂量测量的难题，将测量精度从0.001μA提高到0.0001μA，测量范围由0～2MA提高到0～20MA。在波形发生器技术上，原有的波形发生器技术在波形输出响应速度和周期调节精度上都无法满足新系统要求，工程师们本想通过改进原有技术解决问题，然事与愿违，无法满足要求，不得不另辟蹊径。通过广泛的技术调研，选用国际最先进的控制技术作为研发平台，与国际自动化工控公司广泛交流与合作，终于实现了扫描波形更新速度由微秒级到纳秒级的技术提升。功夫不负有心人，波形发生器的输出响应速度和周期调节精度不仅达到、而且超出了新系统的要求。垂直扫描运动精度的控制问题一直是困扰工程师们的难题，通过探索，也最终迎刃而解，一举实现了控制精度从1mm到1μm的1000倍的提高……实测结果显示，新型的全自动剂量控制系统完全能满足项目设备要求，大大提高了离子注入机整机性能。
剂量控制技术只是我们突破的诸多关键技术中的一个，未来仍将艰巨的攻关道路上，还有许许多多的技术需要我们去攻克，但我们相信，只要踏踏实实，不畏艰难，坚持不懈，勇往直前，我们就能圆满完成300mm/90～65nm中束流离子注入机项目
在半导体集成电路IC生产线中，离子源是离子注入机形成高温、高腐蚀、高溅射等离子体，产生所需掺杂离子并影响束流品质的关键部件，是离子注入机的“心脏”，其作为离子注入机主要耗件每隔一定时间必须由设备供应商进行灯丝、绝缘子等耗损件的更换与维护，在很大程度上其使用寿命直接决定了离子注入机的性能与生产效率，引起了各离子注入机生产厂商及用户的高度关注和重视。为此，北京市科学技术委员会于2008年重点立项支持我公司进行进一步研发。
接到项目任务后，我公司离子源研发团队在十五的攻关成果上，广泛进行产学研结合，充分整合北京有色金属材料等优势资源，重新进行离子源理论设计，采用国产钨钼材料与进口材料进行详细的对比试验，改变离子源弧室系统、阴极系统、灯丝形状及反射极结构，确定了离子源特种材料的定型加工工艺技术和装配技术。初步测试结果表明，项目的实施显著提升了离子源抗热变形及高压绝缘性能，新一代增强型间热式长寿命离子源灯丝更换时间由原来的322小时提升到 500-600小时，大大超越了国际先进水平，为“十一五”90-65nm大角度离子注入机整机研发及产业化工作的胜利完成打下了坚实基础。
2009年4月，在北京市科学委员会材料处组织的项目中期评估会上，以中芯国际郑敏政教授为首的专家组在认真听取了项目进展情况汇报并详细询问了离子源总体方案设计、各分部件图纸设计、相关理论计算、性能测试方法及详细指标等情况后，高度肯定了项目的执行情况，一致认为项目实施效果达到了阶段计划的预期目标并提前开展了部分工作。同时，专家组建议在后期进展中高度重视上线检测、替换进口部件的试验情况。
毋庸置疑，新一代增强型间热式长寿命离子源成功研制并产业化后，必将进一步提高国产自主知识产权的大角度离子注入机装备技术性能和竞争力，推进我公司以国内市场为切入点，打入国际市场，快速成长为国际一流半导体装备制造企业的步伐
接到项目任务后，我公司离子源研发团队在十五的攻关成果上，广泛进行产学研结合，充分整合北京有色金属材料等优势资源，重新进行离子源理论设计，采用国产钨钼材料与进口材料进行详细的对比试验，改变离子源弧室系统、阴极系统、灯丝形状及反射极结构，确定了离子源特种材料的定型加工工艺技术和装配技术。初步测试结果表明，项目的实施显著提升了离子源抗热变形及高压绝缘性能，新一代增强型间热式长寿命离子源灯丝更换时间由原来的322小时提升到 500-600小时，大大超越了国际先进水平，为“十一五”90-65nm大角度离子注入机整机研发及产业化工作的胜利完成打下了坚实基础。
2009年4月，在北京市科学委员会材料处组织的项目中期评估会上，以中芯国际郑敏政教授为首的专家组在认真听取了项目进展情况汇报并详细询问了离子源总体方案设计、各分部件图纸设计、相关理论计算、性能测试方法及详细指标等情况后，高度肯定了项目的执行情况，一致认为项目实施效果达到了阶段计划的预期目标并提前开展了部分工作。同时，专家组建议在后期进展中高度重视上线检测、替换进口部件的试验情况。
毋庸置疑，新一代增强型间热式长寿命离子源成功研制并产业化后，必将进一步提高国产自主知识产权的大角度离子注入机装备技术性能和竞争力，推进我公司以国内市场为切入点，打入国际市场，快速成长为国际一流半导体装备制造企业的步伐
那集成电路制造用的光刻机是不是要靠中科院了
EKW 发表于 2009-7-13 18:22
中科院？说实在的中科院在这方面不行啊~~还是寄希望于中电吧
成都光电所的光学系统是最好的，中电45所也很强，机械控制系统还行，是国内最好的，当然和国际水平还是有较大的差距的
合肥还有个无掩膜的直写的，前两年我在CD发过的，不过太非主流了
那集成电路制造用的光刻机是不是要靠中科院了
EKW 发表于 2009-7-13 18:22
中科院？说实在的中科院在这方面不行啊~~还是寄希望于中电吧
成都光电所的光学系统是最好的，中电45所也很强，机械控制系统还行，是国内最好的，当然和国际水平还是有较大的差距的
合肥还有个无掩膜的直写的，前两年我在CD发过的，不过太非主流了
这10年还是要看SSEE的传统光刻设备。上海这个鸟能飞多高？
对于STEPPER这个是关键，就是长成这样的东西, 这是ASML用的镜头 (Carl Zeiss出品)
至少要有3万lines/mm的解析度, 比相机的要求高多了，记得前段时间这个版面上有人抬杠说日光（尼康）和佳能的照相机镜头很强，所以这个东西也应该比蔡斯强，当时我真的被震惊的说不出话来啊，本田的摩托车造的比宝马的好，所以汽车也就一定比宝马的好？
至少要有3万lines/mm的解析度, 比相机的要求高多了，记得前段时间这个版面上有人抬杠说日光（尼康）和佳能的照相机镜头很强，所以这个东西也应该比蔡斯强，当时我真的被震惊的说不出话来啊，本田的摩托车造的比宝马的好，所以汽车也就一定比宝马的好？
好像这里3月份说：SSEE的65nm光刻机不行就是因为这个镜头的问题
告诉楼主一个不幸的消息：生产这个“制造设备”的设备是进口的。
afandi 发表于 2009-7-13 19:21 
要不要我们配合您的世界观建座哭墙呢？
要不要我们配合您的世界观建座哭墙呢？
SMEE的设备控制软件界面曾经打算用QT的，现在不晓得如何了！
桃树下的月色 发表于 2009-7-13 17:25
好像SMEE十二五计划要搞65NM的光刻机, 现在怎么这么慢?
不过是不是100NM的光刻机很容易就能升级到65 -- 45 -- 32 NM?
好像SMEE十二五计划要搞65NM的光刻机, 现在怎么这么慢?
不过是不是100NM的光刻机很容易就能升级到65 -- 45 -- 32 NM?
最近看新闻说合肥搞出来的是什么东西啊？
桃MM为何痛恨中芯? 给个理由来.
不是因为大唐做了它大股东吧?
不是因为大唐做了它大股东吧?
[quote]对于STEPPER这个是关键，就是长成这样的东西, 这是ASML用的镜头 (Carl Zeiss出品)
至少要有3万lines/mm的解析度, 比相机的要求高多了，记得前段时间这个版面上有人抬杠说日光（尼康）和佳能的照相机镜头很强，所以这 ...
我也在半导体公司，蔡司地东西就是好。可是也好贵，不过相同档次（相同配置）的显微镜 蔡司地就是比小日本第东西效果好上了2-3倍（自己感觉）
至少要有3万lines/mm的解析度, 比相机的要求高多了，记得前段时间这个版面上有人抬杠说日光（尼康）和佳能的照相机镜头很强，所以这 ...
我也在半导体公司，蔡司地东西就是好。可是也好贵，不过相同档次（相同配置）的显微镜 蔡司地就是比小日本第东西效果好上了2-3倍（自己感觉）