新动力·重大工程探访 集成电路技术的“芯”突破(40nm)

来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 06:20:50
新动力·重大工程探访 集成电路技术的“芯”突破(40nm)
有人发过吗？这算先进了吧
http://news.cntv.cn/china/20120131/117248.shtml新动力·重大工程探访 集成电路技术的“芯”突破(40nm)
有人发过吗？这算先进了吧
http://news.cntv.cn/china/20120131/117248.shtml
40nm，，，已经望其项背了，加油
是中国掌握了40纳米制程了吗？还是合作的。现在主流才32而已
唉，刻蚀机只是其中的一类吧。
管他是怎么弄出来的。。。

核心技术能自己掌握就OK了。。。

好消息不断啊。。。这个东西真的可以有。。。
假如全部的关键设备是10的话，这个东西只是其一
不管是几，进步就很好了
自主知识产权的40纳米刻蚀机，这个kc真的够力啊。
有进步！再接再厉
一步步的来，我说没见过一口吃个胖子的
求下载地址
这个花再大的代价也要搞，一定要坚持下去
不懂，刻蚀机和光刻机（曝光机）是一码事吗？貌似光刻机只有MD、脚盆、荷兰吧。
这个给力啊！！
已经很近了。。。
加油加油
国内目前能做12英寸等离子刻蚀机的还有上海的中微，也不错的。这就是一个集成创新。主要部件选用的都是国内外成熟产品如机械手，等离子发生器，压力传感器，光电气动元器件等。。操作系统那是必须自己搞地。比的就是一个价格和售后服务。半导体制造设备的瓶颈就是科蚀，光刻和离子注入，其它的如化学物理汽相淀积和抛光设备等相对容易一些。
海之深蓝 发表于 2012-2-3 23:38
不懂，刻蚀机和光刻机（曝光机）是一码事吗？貌似光刻机只有MD、脚盆、荷兰吧。
以前脚盆的光刻机如佳能的也可以的，目前貌似都用荷兰的ASML
这个不懂，MS非常厉害呀！
只要有进步就好。MD会感到后背越来越凉。
abc1990 发表于 2012-2-4 00:07
只要有进步就好。MD会感到后背越来越凉。
套下领导的思路哈

只要有进步就好。MD会感到菊花越来越痒
新亭侯 发表于 2012-2-4 00:06
以前脚盆的光刻机如佳能的也可以的，目前貌似都用荷兰的ASML
刻蚀机和光刻机（曝光机）是一码事吗？ 貌似你没回答我的问题哦。
新动力·重大工程探访 有好多 视频啊。好多方面的。大家看看
加油，赶上MD
海之深蓝 发表于 2012-2-4 00:11
刻蚀机和光刻机（曝光机）是一码事吗？ 貌似你没回答我的问题哦。
不是一回事，是不同的两种设备。工艺程序是先在光刻机上（原理如同照相机）预制出图形，然后到刻蚀机上去刻蚀。早期都用化学腐蚀（湿法）的方法来进行刻蚀，现在的线宽只能用干法也就是等离子刻蚀法来刻了。:b
求科普，我们的芯片设计能力怎样？
rogerkkk123 发表于 2012-2-3 23:07
自主知识产权的40纳米刻蚀机，这个kc真的够力啊。
滴血裤衩一个！！！
廉价长工 发表于 2012-2-4 00:36
求科普，我们的芯片设计能力怎样？
看看目前市面上的高端民品都用的哪些货就知道啦。
不容易，祝贺。中国的技术升级+中国的市场，比其他国家对美国的冲击大多了
湖北人民发来贺电！
技术持续升级，md不珙子破
新亭侯 发表于 2012-2-4 00:29
不是一回事，是不同的两种设备。工艺程序是先在光刻机上（原理如同照相机）预制出图形，然后到刻蚀机上去 ...
也就是说，还得依靠尼康或者佳能
新亭侯 发表于 2012-2-4 00:29
不是一回事，是不同的两种设备。工艺程序是先在光刻机上（原理如同照相机）预制出图形，然后到刻蚀机上去 ...
多谢，能否说一下TG的光刻机目前进展如何，如果也能做到45nm的，那也有很大进步哦。
新亭侯 发表于 2012-2-4 00:06
以前脚盆的光刻机如佳能的也可以的，目前貌似都用荷兰的ASML
貌似上海微高的光刻机可以做到0.25um哦


典型设备型号
分辨率(um)
曝光波长(nm)
片径(mm)
详细介绍
　光刻机 NSR-1505G3A
1.0
436
100～150
1
　光刻机 NSR-1505G4C
0.8
436
100～150
1
　光刻机 NSR-1505G4D
0.75
436
100～150

　光刻机 NSR-1505G6D
0.75
436
100～200
1
　光刻机 NSR-1505G6E
0.65
436
100～200
1
　光刻机 NSR-1505i6A
0.75
365
100～200
1
　光刻机 NSR-1505i7A
0.65
365
100～200

　光刻机 NSR-1755i7A
0.5
365
100～200

　光刻机 NSR-1755G7
0.65
436
100～200

　光刻机 NSR-1755Ex8A
0.45
248
100～200
1
　光刻机 NSR-2005G8C
0.55
436
150～200
1
　光刻机 NSR-2005i8A
0.5
365
150～200
1
　光刻机 NSR-2005i9C
0.45
365
150～200

　光刻机 NSR-2005i10C
0.45
365
150～200

　光刻机 NSR-2005Ex8A
0.35
248
150～200
1
　光刻机 NSR-2005Ex10B
0.32
248
150～200
1
　光刻机 NSR-4425i
0.8
365
150～200
1
　光刻机 NSR-2205i11D
0.35
365
150～200

　光刻机 NSR-2205i11C
0.45
365
150～200

　光刻机 NSR-2205i12D
0.35
365
150～200

　光刻机 NSR-2205i12C
0.45
365
150～200
1
　光刻机 NSR-S202A
0.25
248
200

　光刻机 NSR-2205i14E

　涂胶/显影设备 TEL ACT8
150～200

　涂胶/显影设备TEL MARK Vz
100～150

　涂胶/显影设备 TEL ACT 8
100～200

　涂胶/显影设备 90-S/90-SE
100～200

　涂胶/显影设备 SVG 88
75～150

　涂胶/显影设备 TEL MARK 7/8
01年开始的     记得七十年代就有这方面的研究
慢慢来
说到刻蚀机里用的元器件~~哎~~
说到刻蚀机里用的元器件~~哎~~
明白人。
海之深蓝 发表于 2012-2-4 11:56
貌似上海微高的光刻机可以做到0.25um哦
好事呀，中国要继续努力！
海之深蓝 发表于 2012-2-4 11:56
貌似上海微高的光刻机可以做到0.25um哦
光刻机不是很懂，0.25 以上的应该还用接触曝光。高端用非接触曝光或电子束曝光了。光学系统复杂啊这方面的技术封锁的厉害。
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