日本与芯片，请教？

来源：百度文库编辑：超级军网时间：2024/04/28 13:23:23

哪位高人知道，日本能自主设计哪些芯片，能设计像龙芯这样的通用CPU吗？

日本能生产哪些芯片，生产设备是自产还是外购？

谢谢！哪位高人知道，日本能自主设计哪些芯片，能设计像龙芯这样的通用CPU吗？

日本能生产哪些芯片，生产设备是自产还是外购？

谢谢！

地球模拟器 n年霸占top500榜首

日本设计生产一些图形图像芯片和工控芯片等，我接触过的有瑞萨半导体。
日本没有像龙芯那样的通用CPU。日本有很雄厚的半导体设备厂商，我接触横河电机和尼康。
地球模拟器用的是美国CPU，和我国很多超级计算机一样，不少板子从美国进口，地球模拟器目前排名已经不是第一了

日本计算机在80年代初曾经叱咤一时，那时候中国大部分用户都是购买NEC，直到88年还是87年的，中央决定放弃日本技术，引进IBM PC机，当时真是英明阿，因为此后日本计算机一蹶不振，也开始跟着美国的脚步

我怎么听说日本的PS3 有上万亿次的浮点运算能力哦？商业广告？

<div class="quote">以下是引用潜水上岸在2006-2-12 17:34:00的发言： 我怎么听说日本的PS3 有上万亿次的浮点运算能力哦？商业广告？</div>cpu是老美造的

不知道呀看看高人的指点

PS2的新片

<div class="quote">以下是引用潜水上岸在2006-2-12 17:34:00的发言： 我怎么听说日本的PS3 有上万亿次的浮点运算能力哦？商业广告？</div>说是争取比PS2快一千倍，可能是算法和指令不一样，某些特殊运算方面比较前一代快一千倍而已。

对老索的宣传策略已经领教过N多次了，没看到实际画面他再怎么吹也不听，cell是东芝、IBM和sony联合开发的，希望能开拓CPU市场，使用此芯片的IBM笔记本年内就会上市，相信VAIO系列应该会很快跟上，当然ps3是sony复兴的关键，是一部重要的棋子，必须用其让CELL和BD-ROM获得成功，否则日本的国宝真要倒了。。。我家N多东西还需要保修呢

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感谢天际的解答。

难得一次发贴能够得到超级斑竹级别的同志的称赞，觉得荣幸啊！！！大家在这里相互帮助，共同提高！！！ [em01][em01][em04][em04][em04]

做一下补充：上网的时候看到了新的资料2005半导体设备制造商wswire编者按】据国外媒体报道，美国半导体市场研究机构“VLSI研究”周二发布了2005年半导体装备市场排行榜。 <table cellspacing="0" cellpadding="10" width="95%" border="0"><tbody><tr><td>    据国外媒体报道，美国半导体市场研究机构“VLSI研究”周二发布了2005年半导体装备市场排行榜。除了美国KLA－Tencor公司比去年略有提升外，排行榜变化不大，日本厂商继续扩大其市场份额。       根据VLSI研究公司的报告，在前十名中，美国“应用材料公司”仍是半导体行业最大的设备供应商。2005年，其销售收入高达62.34亿美元。　　第二名到第十名依次是东京电子公司（ 44.55亿美元），ASML控股公司（31.6亿美元），KLA-Tencor公司（20.05亿美元），Advantest公司（19.6亿美元），尼康公司（15.66亿美元），Lam研究公司（13.82亿美元），Novellus系统公司（13.02亿美元），日立高技术公司（12.77亿美元）和佳能公司（12.47亿美元）。　　其中，KLA－Tencor公司从2004年的第五位上升到2005年的第四位。Advantest公司则从2004年的第四位下跌至第五位。其他8家厂商则保持各自名次不变。　　不过，据统计，在2005年，前十强中仅有一半公司实现了销售收入的增长。日本尼康公司的收入增幅最大，也是十强中惟一一家实现两位数增长的公司。　　从区域结构上看，日本半导体设备商再次保持领先，在前十强中占据了5个名额。这五家日本公司的销售额总计下跌了3％，但他们在十强销售额所占的比例却从2004年的42％增长到了2005年的43％。　　日本公司继续扩大份额的同时，美国半导体设备商的份额继续下降，其在10强销售额中的比重下跌了两个百分点，为44％。据悉，美国设备商延续了最近几年的跌势，其10强销售比重从2002年以来已经跌去了10个百分点。　　ASML是十强中的惟一一个欧洲厂商，其份额从2004年的12％增长到了13％。　　总体上看，2005年对于半导体设备厂商来说是一个低迷的年度，前十强的销售收入总和下跌了6％，而在2004年，销售增长了68％.     据国外媒体报道，美国半导体市场研究机构“VLSI研究”周二发布了2005年半导体装备市场排行榜。除了美国KLA－Tencor公司比去年略有提升外，排行榜变化不大，日本厂商继续扩大其市场份额。       根据VLSI研究公司的报告，在前十名中，美国“应用材料公司”仍是半导体行业最大的设备供应商。2005年，其销售收入高达62.34亿美元。　　第二名到第十名依次是东京电子公司（ 44.55亿美元），ASML控股公司（31.6亿美元），KLA-Tencor公司（20.05亿美元），Advantest公司（19.6亿美元），尼康公司（15.66亿美元），Lam研究公司（13.82亿美元），Novellus系统公司（13.02亿美元），日立高技术公司（12.77亿美元）和佳能公司（12.47亿美元）。　　其中，KLA－Tencor公司从2004年的第五位上升到2005年的第四位。Advantest公司则从2004年的第四位下跌至第五位。其他8家厂商则保持各自名次不变。　　不过，据统计，在2005年，前十强中仅有一半公司实现了销售收入的增长。日本尼康公司的收入增幅最大，也是十强中惟一一家实现两位数增长的公司。　　从区域结构上看，日本半导体设备商再次保持领先，在前十强中占据了5个名额。这五家日本公司的销售额总计下跌了3％，但他们在十强销售额所占的比例却从2004年的42％增长到了2005年的43％。　　日本公司继续扩大份额的同时，美国半导体设备商的份额继续下降，其在10强销售额中的比重下跌了两个百分点，为44％。据悉，美国设备商延续了最近几年的跌势，其10强销售比重从2002年以来已经跌去了10个百分点。　　ASML是十强中的惟一一个欧洲厂商，其份额从2004年的12％增长到了13％。　　总体上看，2005年对于半导体设备厂商来说是一个低迷的年度，前十强的销售收入总和下跌了6％，而在2004年，销售增长了68％. </td></tr></tbody></table>

富士通发布新一代双内核结构SPARC芯片详情  <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/10/051027spa.jpg" border="0" alt=""/>在2005年10月25日于美国圣诺塞开幕的“秋季处理器论坛（Fall Processor Forum）”上，富士通日前公布了定于2006年推出的基于SPARC架构的新一代微处理器“SPARC64 VI”详情。该处理器采用了集成2个CPU内核和6MB二级缓存的双核心结构，最大工作频率为2.4GHz，采用90nm工艺设计，晶体管为5万4000万个，芯片尺寸达到了20.38mm×20.67mm，耗电量达120W。 　　新微处理器集成了每个CPU内核最大可并行处理2个线程的多线程功能。当2个内核处理的线程数超过2个时，自动起动多线程功能。没有命中二级缓存或者产生中断时在同一个CPU内核中进行线程切换。此外，还可利用控制计时器和多线程处理的指令进行切换。 　　SPARC V9架构定义了156点输入的通用晶体管。切换线程时，由于很难在一个周期中避开所有输入，因此准备了称为“Current Window Register”的用于拷贝正在访问的数据的48点晶体管，并利用其来避免关联转换的开销。通过嵌入可并行处理双线程的功能，性能最高提升了20％。CPU内核的门电路规模只增加了不到2％

松下展示利用生物纳米工艺制成的半导体内存  <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2006/02/060224pans.jpg" border="0" alt=""/>松下电器产业以展板方式展出了浮游栅型半导体内存元件的开发内容（图），该元件含有利用“生物纳米工艺”（由基于遗传工程的生物技术和nm级微细加工技术融合而成的工艺）制成的纳米粒子。松下与日本奈良先端科技大学于2005年底进行了发表（<a href="http://www.naist.jp/japanese/shinchaku/news/20051222.htm" target="_blank">发布资料</a>）。为表明其应用前景，松下此次展出了将薄膜型显示器等便携终端贴到身上使用的示意图。 　　展台上放置了电脑，结合动画内容简明地介绍了“生物纳米工艺”。最初的原料是一种名为“铁蛋白”的蛋白质。通过基因操作，以DNA为模型对其进行合成。铁蛋白的一个分子形成了“串珠状”，多个分子汇集在一起就会形成球状分子。在球状分子的内部形成了直径约7nm的空洞。将这种分子浸入含有金属离子的水溶液以后，金属离子从铁蛋白球状分子的“串珠”与“串珠”的缝隙之间进入内部的空洞后，就会析出金属，按照空洞的形状形成直径6～7nm的纳米粒子。 　　将这种含有金属的球状铁蛋白分子溶液铺到硅底板上，在“自组装”的作用下就会自然排列并漂亮地排列成二维形状。只要经过氧化处理等过程去除蛋白质部分，就能形成金属纳米粒子的排列图案。球状铁蛋白分子的直径约为13nm，因此金属点是约3nm的间隔排列的。过去的工艺早在大约5年前就已经发表过。 　　此次发表的新内容是指，使用这种金属点，试制了浮游栅型半导体内存元件，而且还让它进行了实际运行。据称，“在全球首次成功运行了含有采用生物技术制作的纳米粒子的浮游栅内存”。 　　试制半导体内存元件的过程中，金属材料使用的是氧化钴，将含有氧化钴的球状铁蛋白分子整齐地排列在硅底板上以后，通过照射紫外线去除蛋白质成分，就形成了只排列有氧化钴粒子的底板。 　　在氧化钴上粒子上利用普通半导体微加工工艺形成氧化硅膜，试制出了MOS型晶体管。浮游栅型半导体内存元件是一种根据有无电荷来记忆信息的非挥发性内存，通过使用纳米粒子，可使得电荷的保持性能得到提高。展板上还展出了具有迟滞性的电流-电压特性示意图，据称“首次确认了纳米粒子的电子与空穴充放电特性”。目前已经确认其基本工作特性，今后准备深入研究如何低成本制作高速、低耗电的逻辑元件和内存元件

尼康NA超过1的液浸曝光设备大型半导体厂商正式采用   尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 　　这家大型半导体厂商的名字，尼康没有公布，估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。 　　作为全折射型液浸曝光设备，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技术，能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题，据称利用名为“Local-fill（局部液浸）”的自主技术已经得到解决。另外，还利用“Random Stage”技术提高了吞吐量。 　　该设备原计划2005年底至2006年初开始供货，因此看来开发工作基本上是按计划进行的。所供应的设备正在安装调试。而荷兰ASML则计划2006年第2季度供应NA1.2的曝光设备，可以想象竞争将会非常激烈。 <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2006/02/060220na.jpg" border="0" alt=""/>

NEC等发表移动终端用多内核处理器详情  <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/02/050209isc2.jpg" border="0" alt=""/>NEC和NEC电子日前发布了面向移动终端的应用处理器“MP211”的详细情况。MP211是一种集成了3个CPU内核等的LSI。按计划，相关技术详情将于当地时间2月7日上午在美国召开的国际半导体技术会议“ISSCC 2005”（2月6日～10日）上发表（演讲序号为7.5），不过在此次发表之前，两公司率先在日本做了发表。MP211的技术概要已在2004年10月的“CEATEC JAPAN 2004”等展会上公开过。此次双方进一步公开了有关总线架构和安全特性的详细内容 在多内核方面力争实现45nm工艺 　　NEC和NEC电子还公布了多内核技术今后的开发蓝图。这次的多内核技术属于名为“任务处理型”的最基本型号，处理各任务的CPU内核预先已经确定。而称为SMP（对称多处理）型的产品也在开发之中。SMP型不需给每个CPU内核排序，即可进行资源的有效利用。这是通过与任务处理型相比，缩小了称为“粒度”的软件处理单位的大小，然后将其均等地分配给CPU内核而实现的。此时采用的设计是通过改变内存架构，由多个CPU内核共享同一内存。 　　在CPU内核设计工具升级之时，希望每次都能将CPU内核数提高一位，在控制耗电量增大的情况下提高其性能（图2）。比如，“假设90nm工艺为4内核，45nm～65nm工艺为8内核～16内核，那么始终就能把LSI耗电量控制到300mW以下”（NEC）。90nm以下的设计工艺将采用CPU内核工作频率各不相同的“DVFS（dynamic voltage and frequency scaling，动态电压和频率调整）技术”。“假如能够通过为每个CPU内核选择最佳的工作频率，进行精确控制，那么就能进一步降低其耗电量。即使工作频率不同，假如预先规定经过某个整数倍周期后时钟相位达到一致，那么就能使不同的CPU内核实现同步”（NEC福间）。据称，两公司已经试制完成DVFS专用的时钟发生器（图3

爱普生使用柔性底板上的8位非同步处理器演示液晶设备 <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/06/050601fre3.jpg" border="0" alt=""/>在日前举行的“2005年显示信息学会（SID 2005）”上，精工爱普生使用柔性底板上的8位非同步微处理器，进行了文本编辑、计算器和图像浏览等功能的演示。使用非同步电路的8位微处理器是在玻璃底板上利用低温多晶硅（p-Si）TFT形成以后，再利用该公司开发的制造技术“SUFTLA”转印到柔性底板上的。 　　精工爱普生此次使用配备了试制的非同步微处理器、FPGA、内存、液晶面板等配件的测试卡，利用微处理器控制地址和滚屏速度等，通过FPGA内部的DMA控制器，进行了数据传输演示（点击<a href="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/06/050601eps.mpg" target="_blank">此处</a>观看MPEG格式视频文件。约3.7MB）。在图像浏览演示中，播放了动画等视频图像，表明能够顺利地进行数据传输。另外，在文本编辑和计算器演示中，使用测试卡上的6按钮式简易输入装置，进行了文字输入和运算等演示。 　　非同步微处理器不像普通的同步处理器那样使用时钟，而是在电路块之间以通信方式来工作。由于没有时钟，因此其优点是不仅能在低耗电下工作，而且电磁辐射噪音也很低。此次试制的非同步微处理器与采用普通同步产品时相比，耗电量可减少70％，噪音可减轻21dB。而且在使用像低温多晶硅TFT等个体性能不均匀的元件设计微处理器时，不需使用时钟的非同步微处理器更具优势。 　　此次试制的非同步微处理器的晶体管数量为3.2万个，晶体管尺寸方面，n通道为4μm×12μm，p通道为4μm×36μm。在5V电压下工作时耗电电流为180μA。使用非同步电路设计描述语言“Verilog+”进行设计。据称，为了这次的微处理器试制工作，还完善了逻辑合成工具等开发环境。

富士通研开发成功采用多孔低介电膜的45nm布线技术 <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/06/050608iits.jpg" border="0" alt=""/> <table cellspacing="0" cellpadding="0" width="100%" border="0"><tbody><tr valign="top"><td align="right">2005/06/08 </td></tr><tr valign="top"><td><img height="3" src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/img/hx.gif" width="450" vspace="3" alt=""/></td></tr></tbody></table><table cellspacing="4" cellpadding="0" width="100%" border="0"><tbody></tbody></table><table cellspacing="0" cellpadding="1" width="100%" border="0"><tbody><tr valign="top"><td><img height="4" alt="spacer" src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/img/auto_leaf_space.gif" width="1"/> <img height="4" alt="spacer" src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/img/auto_leaf_space.gif" width="1"/> 　　【日经BP社报道】 <table align="right" border="0"><tbody><tr><td><a href="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/06/050608iit.html" target="_blank"><img height="147" alt="" src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/06/050608iits.jpg" width="170" border="1"/></a></td></tr><tr><td>试制成功的3层布线</td></tr></tbody></table>　　富士通研究所和富士通日前联合开发成功了正式采用多孔低介电（low-k）膜“纳米聚类硅石（NCS）”的45nm工艺（hp65）多层布线技术。详细情况将在6月6～8日于美国举行的布线技术国际会议“2005年IEEE国际互连技术大会（2005 IITC）”上发表。 　　富士通此前也曾在65nm工艺（hp90）方面，在下层布线的布线中间采用过NCS，不过当时中间层使用的是原有材料SiOC。而此次的45nm工艺则在下层布线的布线中间和中间层均采用了NCS。虽然这种构造存在布线机械强度不足的缺陷，不过此次通过将NCS的平均空孔尺寸从原来的2nm缩小至1nm，并同时降低空孔尺寸的不均匀性，加强了机械强度。布线的寄生容量与原布线相比，大约减少了23.5％。另外，由于NCS的热膨胀系数比SiOC更接近于Cu（铜），所以此次的构造可将热阻降得更低（<a href="http://pr.fujitsu.com/jp/news/2005/06/6-1.html" target="_blank">发布新闻，日文</a>）。（记者：木村雅秀） </td></tr></tbody></table>

奥林巴斯将推出可观察IC芯片图案的共焦扫描红外激光显微镜 <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2005/11/051130ics1.jpg" border="0" alt=""/>林巴斯将于2006年1月5日推出共焦扫描红外激光显微镜（Confocal Laser Scanning Microscope）“LEXT OLS3000-IR”，能够对FCB（Flip Chip Bonding，倒装焊接）后的IC芯片图案及其背面，以及MEMS内部结构进行详细观察。同时还可用作SiP（系统级封装）技术的无损检测工具。含税价为1207万5000日元。 　　利用老式红外显微镜对IC芯片的背面等进行观察时，根据芯片背面的研磨状态，外部可见光会因芯片表面而发生散射，因而不易进行观察。而LEXT OLS3000-IR由于使用了共焦扫描光学系统，因此能够清楚地观察到芯片背面聚焦的位置。平面显示分辨率为1024×1024像素。 　　作为LEXT OLS3000-IR，通过在过去的共焦光学系统上配备红外光学系统，能够对IC芯片背面进行立体形状测定。除倒装封装后的无损检测外，还可在Chip On Chip中进行间隙测量，因此有助于提高成品率和新产品的开发效率。 　　共焦方式为针孔方式，受光元件采用了光电探测器。半导体激光的波长为1310mm。将在2005年12月7～9日举办的“Semicon Japan 2005”（

夏普新型CMOS图像传感器可检测拍摄物体的距离  <img src="http://china.nikkeibp.co.jp/china/image2006/03/060327moss.jpg" border="0" alt=""/>2006年3月23日，夏普宣布开发出了不仅能够获取拍摄物体的形状，而且还可检测拍摄物体距离的CMOS图像传感器“距离图像CMOS传感器”。测距方法采用根据光的飞行时间反推距离的TOF(飞行时间)法。同时实现了2种功能。该公司预计除家电外，还有望应用于汽车和安全等领域，今后准备推向市场。 　　测距原理如下。利用安装在CMOS传感器附近的LED按照一定的间隔向拍摄物体照射近红外光。再由CMOS传感器的各像素捕获该反射光。因为根据照射光与反射光的相位差便可算出近红外光的飞行时间，因此只能在飞行时间上乘上光速，即可得到拍摄物体的距离。还可显示根据拍摄物体的距离进行分色的图像。传感器部分的有效像素为320×240，帧速率为30帧/秒。 　　在同时获取距离与图像的手段方面，除TOF法外，还有利用使用2台相机的立体相机，以及连续向拍摄物体照射缝隙光的光切法（light section method）。TOF法的优点是可缩小系统体积。作为利用TOF法的例子，松下电工于2004年2月发表了结合使用CCD图像传感器和近红外光的系统，并于2005年2月作为“距离图像传感器”投入生产。

奇怪，为什么放到水区？

<div class="quote">以下是引用天蓝色在2006-1-15 12:32:00的发言： 日本设计生产一些图形图像芯片和工控芯片等，我接触过的有瑞萨半导体。日本没有像龙芯那样的通用CPU。日本有很雄厚的半导体设备厂商，我接触横河电机和尼康。地球模拟器用的是美国CPU，和我国很多超级计算机一样，不少板子从美国进口，地球模拟器目前排名已经不是第一了</div>同意，连欧洲毛子霉菌都不肯给，整个亚洲没又正尔巴经的CPU技术，龙新也是上一代技术的基础上凿的

日本与芯片，请教？请教dx关于这个日本官衔-与冲绳有关请教，甲午中日战争前后中国与日本的船舶工业情况日本芯片巨头申请破产保护请教，这个芯片在国际上处于什么水平？请教一个问题：咱们大陆现在芯片制造水平如何？发个大家不多关注的：zt工业级芯片与汽车级芯片再次请教各位高手，关于向日本出口F-22可能加剧该机与F- ... 请教一下：中国坚持说要与日本谈判解决钓鱼岛，为什么啊 ... 请教个问题，中国海军与日本海上自卫队谁厉害一些？展讯强化与三星合作芯片供应翻番传台积电与苹果签署3年芯片代工协议