武汉薪芯32层12英寸晶圆将在今年8月完成测试随后量产

武汉新芯的新产品32层12英寸晶圆，将在今年8月完成测试，而后进入小批量生产，再进入量产。

“我得到的消息是，三星不仅完成了32层产品的量产，还开发出48层的产品。”王继增表示，三星的产品占到全球四成以上，武汉新芯有信心全力追赶芯片制造世界第一方阵。

“位列世界第一方阵的是包括三星在内的4家公司，我们预计2020年产量达到30万片，进入主流方阵，与国际大公司平起平坐。2020年到2030年，不说世界第一，世界第二是可以实现的。”王继增说，但要实现这一点，还需要芯片产业链的配套完善，除人才输送，还有芯片设计、芯片测试等全产业链的配套，这需要一段时间。

拿钱砸，亏了也是亏给国内

具体产品有吗？没有就好好干活。

240x6=1440亿投资，产值才100亿

将…还仅仅是测试产线，连小批量试制都不是

还是等8月好消息出来先吧

武汉薪芯32nm闪存工艺前年就已经下线了，9层的3D nand去年就已经验证了，32层的正在实验，技术上问题不大。

武汉薪芯基本上是纯国资背景，国开行和湖北科投控制，这次大基金注入打造存储器基地，看来是有很大信心的。技术来源一开始就是两手准备，一方面自研，一方面引进合作，而且存储器的技术难度较低，大基金投入更容易获得成功。

武汉薪芯32nm闪存工艺前年就已经下线了，9层的3D nand去年就已经验证了，32层的正在实验，技术上问题不大。

武汉薪芯基本上是纯国资背景，国开行和湖北科投控制，这次大基金注入打造存储器基地，看来是有很大信心的。技术来源一开始就是两手准备，一方面自研，一方面引进合作，而且存储器的技术难度较低，大基金投入更容易获得成功。

土生土长的武汉新芯 凭啥和一流厂商叫板3D NAND？ XMC有自己的3D NAND闪存知识产权吗？

中国正急于建立自己的存储器芯片产业，这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景，却仍旧是个迷——日本的几位半导体行业知情人士在接受《EETimes》美国版采访时指出。

中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力，而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“内存梦”一步步成为现实。

不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的存储器产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。

中国代工厂商武汉新芯（XMC）于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆代工厂，旨在制造3D
NAND闪存芯片。整个建设计划预计耗资240亿美元，资金来源则包括集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金以及中国发展投资基金等多个财团，XMC方面指出。

一位日本半导体设备专家表示，这笔交付XMC的投资“极其巨大”。他同时语带讽刺地指出：“这意味着项目必须得取得成功。”不过在被问及XMC将使用哪家企业的3D NAND闪存技术时，他的回答是“他们说使用的是自有IP。不过我对此并不了解。”




三星 vs. 东芝

IHS 技术公司半导体价值链主管Akira Minamikawa也表达了类似的谨慎态度。说起XMC的3D NAND闪存制造起步工作，他认为“非常艰难”。以三星为例，他指出尽管三星公司在其3D NAND闪存项目当中投入了大量资源，但仍然耗费相当长的时间才构建完成。

东芝公司据称同样饱受3D NAND闪存开发难题的困扰。Minamikawa发现东芝公司的3D NAND闪存记忆体进程较三星方面“至少延后了一年时间”。“诚然，东芝公司表示其3D NAND已经开始发布样品。但一般来讲，样品制造与批量生产之间仍然有着很大距离。”

可以肯定的是，XMC也将面临着同样的挑战——事实证明，3D NAND闪存技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术都需要长时间打磨方可实现。“当然，整个过程至少需要三到四年，”Minmikawa表示，“甚至更久。”

而更令各位专家费解的是，XMC是否真的拥有自己的3D NAND闪存知识产权。


中国在半导体工艺技术层面缺乏人才储备

一种可能的解释来自Spansion公司一年前发布的声明（此后该公司被Cypress所收购）。Spansion方面表示，其将与XMC合作开发3D NAND技术。

不过问题在于，Spansion的闪存记忆体开发工作并非主要指出NAND，而是NOR闪存，Takashi Yunokami在采访中解释称。

Yunogami是一位工程师出身的顾问，并出版过多部关于日本半导体行业的论著。在日立公司效力期间，他专门负责干蚀刻技术的开发。

总而言之，没人见到过Spansion的3D NAND亲戚，Yunogami解释道。这意味着XMC与Spansion——或者说现在的Cypress——的合作成果始终难以捉摸。

迎头赶上
不过在接受《电子工程专辑》采访时，武汉XMC公司给出了完全不同的3D NAND闪存技术发展纲要。XMC公司的一位发言人通过电子邮件对采访做出了答复：

XMC公司于2014年开始推进3D NAND项目。在此之后，XMC与Spansion（现已被Cypress收购）则共同签订了面向3D NAND闪存研发工作的合作协议及交叉授权许可，意味着双方将共享相关知识产权。

XMC方面宣称，该公司于2015年5月“在3D NAND项目上取得了重大进展”，当时该公司的第一款测试芯片“通过电气验证”。这位发言人同时补充称，“从那时开始，XMC不断在记忆体单元性能与可靠性优化方面取得改进。”

XMC 公司深谙3D NAND市场上的竞争格局。在去年11月召开的集成电路行业促进大会上，XMC公司首席运营官洪沨在演讲中指出，NAND闪存技术“为XMC提供了千载难 逢的发展机会。”他同时补充称，“三星主导3D NAND开发市场不过两年左右。立足于当下，我们仍然很有可能迎头赶上并跻身一线集团。”

另外还有与Spansion的合作关系。尽管已经被Cypress公司所收购，但XMC坚信“双方的合作关系并未受到影响。”

回顾Spansion与XMC在去年2月发布的声明，时任Spansion公司战略联盟高级副总裁的Ali Pourkeramati指出：

3D NAND将彻底转变未来数据的存储效率。我们拥有领先的MirrorBit技术，这是我们过去十年以来的努力结晶，而其将成为3D NAND创新工作中的核心优势并带来无可匹敌的高性能数据存储方案。

IHS公司的Minamikawa表示，日本各半导体企业都曾经冲击过NAND这一技术难题，不过具体时间点大概是在十年前。部分日本工程师对于NAND非常精通——然而，他们所开发了的NAND技术与如今的3D NAND闪存可谓截然不同，他坦言。

这就带来了新的问题，XMC能否吸引到充足且经验丰富的工程师，以肩负起中国发展自有3D NAND的野心？这恐怕正是瓶颈所在，Minamikawa表示。

同样的，中国在工艺技术层面同样缺乏人才储备，Yunogami立足于客观评论道，“就个人而言，我认为这会令XMC相当被动。”

自行开发存储器是中国“不可避免的战斗”

投资思路毫无问题

不过考虑到大数据时代下对存储器资源的迫切需求，Yunogami认为中国建立自己的存储器业务是非常明智的。
为了证明实际经济效应，Sanford C. Bernstein公司研究人员预测称，中国2013年用于采购芯片的开销甚至高于石油进口总额。

XMC公司CEO杨士宁在去年11月于中国召开的存储器与数据存储技术峰会上做出了主题演讲。

北XMC公司CEO杨士宁
当时，杨士宁总结称“存储器开发工作将成为一场‘不可避免的战斗’，特别是考虑到中国需要争取在集成电路产业与国内供应能力领域实现快速突破。”
与CPU业务进行比较——其需要“一套相当复杂的生态系统”，杨士宁指出，“存储器技术同样很难实现突破，但只要能够解决瓶颈并维持产量，所能产出的总存储容量将快速提升。”

杨士宁就XMC的此次积极投资提出了三点理由。

目前全世界存储器市场需求的55%来自中国。只要产品质量过硬，产品将能够顺利吸引到国内企业客户的注意。第二，记忆体开发工作需要由政府出资并提供政策扶持。第三，好的项目能够吸引大量技术人才进入中国。
其它响应中国存储器产品号召的供应商还包括三星，其3D V-NAND闪存芯片工厂已经于西安建成并投入使用；还有英特尔，其于去年10月宣布将升级位于大连的300毫米逻辑芯片工厂以用于生产3D NAND。

Sino King迅速跟进
来自台湾的Sino King Technology（由Elpida公司前任CEO Yukio Sakamoto执掌）公司亦在积极追随中国的存储器发展野心与集成电路行业投资基金带来的巨款。

Yukio Sakamoto
日本经济报刊《Nikkei》于2月底报道称，Sino King正计划成为“中国在合肥投资8000亿日元（折合70亿美元）所建立的新项目中的一部分”，旨在面向物联网设备开发低功耗DRAM。
但随后官方发布声明，称中国并没有最终拍板这一项目规划。
日本存储器技术观察家们则猜测，Sakamoto可能是在等待官方意见的过程中心情过分急切，而他泄露出消息则是为了向中方施压。
《Nikkei》同时报道称，Sino King公司计划“最早到2017年下半年实现批量生产能力。”

Making Yunogami对Sino King的计划表示怀疑，该公司宣称“将从日本、台湾及中国招聘约1000名设计与生产技术工程师。”

Sino King公司在最初建立起只拥有10名来自日本与台湾的工程师。诚然，Sakamoto可以动用自己的关系吸引更多日本工程师，但建立“1000名工程师”的作法在存储器技术领域“几乎不可能”，Yunogami表示。

但原本曾任职于Renesas的工程师是否有可能批量加入呢？恐怕不行，Yunogami指出。“这批工程师中大部分已经投奔东芝，并继续从事3D NAND闪存开发工作。

作者:Junko Yoshida
转载自：电子工程专辑”

是时候了