超级军网中芯国际：到2020年，16/14nm 制造工艺实现规模量产
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 20:36:51
《推进纲要》对整体的技术发展提出了明确的目标，到2015 年，32/28nm 制造工艺实现规模量产，到 2020 年，16/14nm 制造工艺实现规模量产，到2030 年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。对中芯国际来说，我们坚持先进工艺和特色工艺两条腿走路。
去年年底我们成功制造 28nm 高通骁龙 410 处理器，目前我们着力于 28nm 的量产。我们是中国大陆首个能够提供 28nm PS 和 HKMG 先进制程技术为海外及国内客户提供完整的28nm 制程服务的纯晶圆代工企业。中芯国际在28nm 方面能够提供完整的服务，涵盖技术研发、设计服务和 IP、光罩制造、晶圆制造、测试、凸块加工，以及与OSAT 伙伴合作提供的后段服务。28 纳米工艺能够应用于移动计算、无线连接、电子家居以及云计算市场。此外，我们同时也在先进的 14 纳米制程上，持续进行开发和 FinFET 晶体管验证。中芯国际在14 纳米 Fin-FET 专利拥有数量已达全球十强，在中国处于领先地位。
除了先进工艺上的进阶，随着未来IoT 市场的兴起，特色工艺的重要性也日渐凸显。IoT 产品设计和制程模式在成熟工艺制程下将非常匹配中国国内企业。我们应对市场的策略是专注先进制程开发，同时在特色工艺上深耕细作，坚持两条腿走路，确保在业界的竞争优势。 我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、38 纳米独立 NAND 闪存、为 TDDIC（显示驱动 IC）而开发的 MTE（成熟技术优化）95 纳米以及MEMS-IMU（惯性测量装置）制程技术等。
作为中国第一家12 英寸纯晶圆代工厂商，中芯国际也在持续提升自身先进工艺能力并积极扩充12 英寸产能及一站式服务，2011 年底 12 英寸产能为2.9 万片/月，预期到2015 年底产能将达6 万片/月。
官网链接 http://www.smics.com/chn/press/media_reports_details.php?id=271282《推进纲要》对整体的技术发展提出了明确的目标，到2015 年，32/28nm 制造工艺实现规模量产，到 2020 年，16/14nm 制造工艺实现规模量产，到2030 年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。对中芯国际来说，我们坚持先进工艺和特色工艺两条腿走路。
去年年底我们成功制造 28nm 高通骁龙 410 处理器，目前我们着力于 28nm 的量产。我们是中国大陆首个能够提供 28nm PS 和 HKMG 先进制程技术为海外及国内客户提供完整的28nm 制程服务的纯晶圆代工企业。中芯国际在28nm 方面能够提供完整的服务，涵盖技术研发、设计服务和 IP、光罩制造、晶圆制造、测试、凸块加工，以及与OSAT 伙伴合作提供的后段服务。28 纳米工艺能够应用于移动计算、无线连接、电子家居以及云计算市场。此外，我们同时也在先进的 14 纳米制程上，持续进行开发和 FinFET 晶体管验证。中芯国际在14 纳米 Fin-FET 专利拥有数量已达全球十强，在中国处于领先地位。
除了先进工艺上的进阶，随着未来IoT 市场的兴起，特色工艺的重要性也日渐凸显。IoT 产品设计和制程模式在成熟工艺制程下将非常匹配中国国内企业。我们应对市场的策略是专注先进制程开发，同时在特色工艺上深耕细作，坚持两条腿走路，确保在业界的竞争优势。 我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、38 纳米独立 NAND 闪存、为 TDDIC（显示驱动 IC）而开发的 MTE（成熟技术优化）95 纳米以及MEMS-IMU（惯性测量装置）制程技术等。
作为中国第一家12 英寸纯晶圆代工厂商，中芯国际也在持续提升自身先进工艺能力并积极扩充12 英寸产能及一站式服务，2011 年底 12 英寸产能为2.9 万片/月，预期到2015 年底产能将达6 万片/月。
官网链接 http://www.smics.com/chn/press/media_reports_details.php?id=271282
去年年底我们成功制造 28nm 高通骁龙 410 处理器，目前我们着力于 28nm 的量产。我们是中国大陆首个能够提供 28nm PS 和 HKMG 先进制程技术为海外及国内客户提供完整的28nm 制程服务的纯晶圆代工企业。中芯国际在28nm 方面能够提供完整的服务，涵盖技术研发、设计服务和 IP、光罩制造、晶圆制造、测试、凸块加工，以及与OSAT 伙伴合作提供的后段服务。28 纳米工艺能够应用于移动计算、无线连接、电子家居以及云计算市场。此外，我们同时也在先进的 14 纳米制程上，持续进行开发和 FinFET 晶体管验证。中芯国际在14 纳米 Fin-FET 专利拥有数量已达全球十强，在中国处于领先地位。
除了先进工艺上的进阶，随着未来IoT 市场的兴起，特色工艺的重要性也日渐凸显。IoT 产品设计和制程模式在成熟工艺制程下将非常匹配中国国内企业。我们应对市场的策略是专注先进制程开发，同时在特色工艺上深耕细作，坚持两条腿走路，确保在业界的竞争优势。 我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、38 纳米独立 NAND 闪存、为 TDDIC（显示驱动 IC）而开发的 MTE（成熟技术优化）95 纳米以及MEMS-IMU（惯性测量装置）制程技术等。
作为中国第一家12 英寸纯晶圆代工厂商，中芯国际也在持续提升自身先进工艺能力并积极扩充12 英寸产能及一站式服务，2011 年底 12 英寸产能为2.9 万片/月，预期到2015 年底产能将达6 万片/月。
官网链接 http://www.smics.com/chn/press/media_reports_details.php?id=271282《推进纲要》对整体的技术发展提出了明确的目标，到2015 年，32/28nm 制造工艺实现规模量产，到 2020 年，16/14nm 制造工艺实现规模量产，到2030 年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。对中芯国际来说，我们坚持先进工艺和特色工艺两条腿走路。
去年年底我们成功制造 28nm 高通骁龙 410 处理器，目前我们着力于 28nm 的量产。我们是中国大陆首个能够提供 28nm PS 和 HKMG 先进制程技术为海外及国内客户提供完整的28nm 制程服务的纯晶圆代工企业。中芯国际在28nm 方面能够提供完整的服务，涵盖技术研发、设计服务和 IP、光罩制造、晶圆制造、测试、凸块加工，以及与OSAT 伙伴合作提供的后段服务。28 纳米工艺能够应用于移动计算、无线连接、电子家居以及云计算市场。此外，我们同时也在先进的 14 纳米制程上，持续进行开发和 FinFET 晶体管验证。中芯国际在14 纳米 Fin-FET 专利拥有数量已达全球十强，在中国处于领先地位。
除了先进工艺上的进阶，随着未来IoT 市场的兴起，特色工艺的重要性也日渐凸显。IoT 产品设计和制程模式在成熟工艺制程下将非常匹配中国国内企业。我们应对市场的策略是专注先进制程开发，同时在特色工艺上深耕细作，坚持两条腿走路，确保在业界的竞争优势。 我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、38 纳米独立 NAND 闪存、为 TDDIC（显示驱动 IC）而开发的 MTE（成熟技术优化）95 纳米以及MEMS-IMU（惯性测量装置）制程技术等。
作为中国第一家12 英寸纯晶圆代工厂商，中芯国际也在持续提升自身先进工艺能力并积极扩充12 英寸产能及一站式服务，2011 年底 12 英寸产能为2.9 万片/月，预期到2015 年底产能将达6 万片/月。
官网链接 http://www.smics.com/chn/press/media_reports_details.php?id=271282
还差得远，同志们还需努力
差距太大啊
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、38 纳米独立 NAND 闪存、
将来
内存 和摄像头 CMOS 全国产化的节奏？
将来
内存 和摄像头 CMOS 全国产化的节奏？
scxtx 发表于 2015-4-20 10:39
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
武汉XMC那边已经代工采用晶圆级3D键合（3D Bonding）技术生产的背照式影像传感器（BSI）芯片累计出货超过1亿颗，覆盖500万到2300万像素的中高端产品线。同时，采用更先进的3D堆栈式（3D Stacking）技术生产的影像传感器（CIS）产品也已经投入生产。
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
武汉XMC那边已经代工采用晶圆级3D键合（3D Bonding）技术生产的背照式影像传感器（BSI）芯片累计出货超过1亿颗，覆盖500万到2300万像素的中高端产品线。同时，采用更先进的3D堆栈式（3D Stacking）技术生产的影像传感器（CIS）产品也已经投入生产。
scxtx 发表于 2015-4-20 10:39
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
武汉XMC那边已经代工采用晶圆级3D键合（3D Bonding）技术生产的背照式影像传感器（BSI）芯片累计出货超过1亿颗，覆盖500万到2300万像素的中高端产品线。同时，采用更先进的3D堆栈式（3D Stacking）技术生产的影像传感器（CIS）产品也已经投入生产。
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
武汉XMC那边已经代工采用晶圆级3D键合（3D Bonding）技术生产的背照式影像传感器（BSI）芯片累计出货超过1亿颗，覆盖500万到2300万像素的中高端产品线。同时，采用更先进的3D堆栈式（3D Stacking）技术生产的影像传感器（CIS）产品也已经投入生产。
看到16/14nm 2020年量产 醉了 制造工艺差距被越拉越大。
scxtx 发表于 2015-4-20 10:39
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
内存 你指的是DRAM？还有CMOS 国内格科微电子早就有了好吧 DRAM工艺落后了 浪潮旗下的华芯半导体就是设计DRAM的厂家有SMIC代工。
scxtx 发表于 2015-4-20 10:39
我们在特色工艺上也有很多突破，包括 CIS-BSI（背照式 CMOS 图像传感器）、55 纳米eFlash（嵌入式闪存）、3 ...
内存 你指的是DRAM？还有CMOS 国内格科微电子早就有了好吧 DRAM工艺落后了 浪潮旗下的华芯半导体就是设计DRAM的厂家有SMIC代工。
差距有點大，還需努力啊！
内存 你指的是DRAM？还有CMOS 国内格科微电子早就有了好吧 DRAM工艺落后了 浪潮旗下的华芯半导体就是设 ...
国内 内存 和 cmos和 索尼 三星差多少？
国产手机用的多么？
国内 内存 和 cmos和 索尼 三星差多少？
国产手机用的多么？
scxtx 发表于 2015-4-20 12:11
国内 内存 和 cmos和 索尼 三星差多少？
国产手机用的多么？
差距很大都是低端产品使用,消费电子类的CMOS国内一般只是在低端手机或者高端手机前置摄像头上使用 笔记本 摄像头上使用国产的。DRAM浪潮自己用也有用在国产白牌平板上。从技术和市场占有率和三星索尼不可比，当然国内有公司设计1亿像素以上的CMOS在以色列制造。性能的差距侧面反映国内制造工艺上的差距。
国内 内存 和 cmos和 索尼 三星差多少？
国产手机用的多么？
差距很大都是低端产品使用,消费电子类的CMOS国内一般只是在低端手机或者高端手机前置摄像头上使用 笔记本 摄像头上使用国产的。DRAM浪潮自己用也有用在国产白牌平板上。从技术和市场占有率和三星索尼不可比，当然国内有公司设计1亿像素以上的CMOS在以色列制造。性能的差距侧面反映国内制造工艺上的差距。
在这样搞下去光工艺就落后5年以上台积电7nm估计在2017年量产。
rendong 发表于 2015-4-20 12:50
在这样搞下去光工艺就落后5年以上台积电7nm估计在2017年量产。
2017年能量产10NM就不错了，16纳米当初还说要赶超英特尔，结果呢？
在这样搞下去光工艺就落后5年以上台积电7nm估计在2017年量产。
2017年能量产10NM就不错了，16纳米当初还说要赶超英特尔，结果呢？
还是比较客观的，不像台积电放嘴炮。
没有放嘴炮，时间节点不算过份。台积电那篇文章把坛子里所有人都吓尿了
一步步来吧，短期追上一流水平不现实
这个制定纲要的也有问题吧，2015年28nm 量产比台积电落后3年，2020年量产16nm 算台积电明年16nm全面达厂反倒落后4年？？？
等到量产28nm，主流已经是16nm
等到量产16nm主流已经是7nm
永远只能吃人家剩饭
等到量产16nm主流已经是7nm
永远只能吃人家剩饭
1771964382 发表于 2015-4-20 12:53
2017年能量产10NM就不错了，16纳米当初还说要赶超英特尔，结果呢？
TSMC到17年底能量产10nm就不错了。
不过Intel也不行。毕竟TSMC和Intel比的是代工。Intel的14nm除掉自己的CPU还没听说哪家成功流片，连之前的大客户Altera也还要纠结会不会被收购。现在看代工业务很可能落后TSMC。
1771964382 发表于 2015-4-20 12:53
2017年能量产10NM就不错了，16纳米当初还说要赶超英特尔，结果呢？
TSMC到17年底能量产10nm就不错了。
不过Intel也不行。毕竟TSMC和Intel比的是代工。Intel的14nm除掉自己的CPU还没听说哪家成功流片，连之前的大客户Altera也还要纠结会不会被收购。现在看代工业务很可能落后TSMC。
水果派派88 发表于 2015-4-20 15:19
TSMC到17年底能量产10nm就不错了。
不过Intel也不行。毕竟TSMC和Intel比的是代工。Intel的14nm除掉自 ...
英特尔本来就不是以代工业务为主的，再说就算同为10NM英特尔肯定的工艺肯定比TSMC强
TSMC到17年底能量产10nm就不错了。
不过Intel也不行。毕竟TSMC和Intel比的是代工。Intel的14nm除掉自 ...
英特尔本来就不是以代工业务为主的，再说就算同为10NM英特尔肯定的工艺肯定比TSMC强
其他的不说三星最近是啥情况
台巴子没活路啦～
英特尔本来就不是以代工业务为主的，再说就算同为10NM英特尔肯定的工艺肯定比TSMC强
Intel是想做代工做不起来。14nm出来以后绝大多数厂家都还是跑到TSMC的16nm代工，甚至包括Intel自己的部分产品线，这就很能说明问题了。
10nm情况如何现在还很难说。大家起点差不多，瓶颈都不在自己身上，最多就是优化方向不同。
Intel是想做代工做不起来。14nm出来以后绝大多数厂家都还是跑到TSMC的16nm代工，甚至包括Intel自己的部分产品线，这就很能说明问题了。
10nm情况如何现在还很难说。大家起点差不多，瓶颈都不在自己身上，最多就是优化方向不同。
1x纳米已经差不多接近极限了，再往下走实际意义并没有想象的大，而且投入和收益比会比较较难看。
水果派派88 发表于 2015-4-20 21:43
Intel是想做代工做不起来。14nm出来以后绝大多数厂家都还是跑到TSMC的16nm代工，甚至包括Intel自己的部分 ...
台积电的16可是没有英特尔的14好，包括三星的，英特尔完全可以开发22NM呀
我觉得10NM应该在17年初吧，毕竟越来越难了
Intel是想做代工做不起来。14nm出来以后绝大多数厂家都还是跑到TSMC的16nm代工，甚至包括Intel自己的部分 ...
台积电的16可是没有英特尔的14好，包括三星的，英特尔完全可以开发22NM呀
我觉得10NM应该在17年初吧，毕竟越来越难了
饭要一口一口的吃，技术上没有捷径。如果真的能按照这个时间节点完成，其实也很不容易了。
台积电的16可是没有英特尔的14好，包括三星的，英特尔完全可以开发22NM呀
我觉得10NM应该在17年初吧，毕 ...
江湖传言，三星台积电的14/16工艺也就是intel的22水平，一般都是如此
我觉得10NM应该在17年初吧，毕 ...
江湖传言，三星台积电的14/16工艺也就是intel的22水平，一般都是如此
softy 发表于 2015-4-21 10:32
江湖传言，三星台积电的14/16工艺也就是intel的22水平，一般都是如此
差距可能没有那么大，但确实是不如英特尔
江湖传言，三星台积电的14/16工艺也就是intel的22水平，一般都是如此
差距可能没有那么大，但确实是不如英特尔
江湖传言，三星台积电的14/16工艺也就是intel的22水平，一般都是如此
那是Intel的广告做得好。
你看用户分布就知道了，正经的客户没人会拿自己的千万美金级别的投资开玩笑。
那是Intel的广告做得好。
你看用户分布就知道了，正经的客户没人会拿自己的千万美金级别的投资开玩笑。
26楼正解。应该禁止进口人家限制的高技术，下决心自己搞出来，不要形成依赖人家的心理惯性。
差距可能没有那么大，但确实是不如英特尔
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化，打了TSMC一个措手不及。结果就是TSMC急急忙忙转向16FF+，损失了时间被三爽得利。
从结果来看，TSMC的16FF+密度比Intel差10%左右，性能比Intel高。整体来看还是差不多的。
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化，打了TSMC一个措手不及。结果就是TSMC急急忙忙转向16FF+，损失了时间被三爽得利。
从结果来看，TSMC的16FF+密度比Intel差10%左右，性能比Intel高。整体来看还是差不多的。
我爱海军噢 发表于 2015-4-21 11:14
26楼正解。应该禁止进口人家限制的高技术，下决心自己搞出来，不要形成依赖人家的心理惯性。
人家限制了还能进口，限制只在纸面上？
26楼正解。应该禁止进口人家限制的高技术，下决心自己搞出来，不要形成依赖人家的心理惯性。
人家限制了还能进口，限制只在纸面上？
水果派派88 发表于 2015-4-21 11:16
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化， ...
还是等台积电的产品出来再说吧，纸面的数据永远比不过事物，目前看来还要等半年左右，到时候英特尔的X7手机处理器应该也有产品了，到时候再一教高下。
台积电的密度比英特尔低，为什么性能还比它高？
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化， ...
还是等台积电的产品出来再说吧，纸面的数据永远比不过事物，目前看来还要等半年左右，到时候英特尔的X7手机处理器应该也有产品了，到时候再一教高下。
台积电的密度比英特尔低，为什么性能还比它高？
rendong 发表于 2015-4-20 12:00
看到16/14nm 2020年量产 醉了 制造工艺差距被越拉越大。
确实拉的有点大
看到16/14nm 2020年量产 醉了 制造工艺差距被越拉越大。
确实拉的有点大
我只要求国产耳机能达到森海和AKG的80%的水平就很谢天谢地了
水果派派88 发表于 2015-4-21 11:16
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化， ...
即使硬件达得到，没有主流软件支持，一切白搭
优化方向不同。
Intel在22nm和之前都是向晶体管性能方向优化的，到14nm突然转向往晶体管密度方向优化， ...
即使硬件达得到，没有主流软件支持，一切白搭
还是等台积电的产品出来再说吧，纸面的数据永远比不过事物，目前看来还要等半年左右，到时候英特尔的X7手 ...
制程的性能指晶体管速度和漏电流对电压的曲线。不同工艺有代差，同一代工艺密度和性能是冲突的。
这个和最终产品的性能没法直接比较，因为性能不够可以用加压弥补，当然耗电也更高。另外不同设计的面积也不一样，不好直接比。
制程的性能指晶体管速度和漏电流对电压的曲线。不同工艺有代差，同一代工艺密度和性能是冲突的。
这个和最终产品的性能没法直接比较，因为性能不够可以用加压弥补，当然耗电也更高。另外不同设计的面积也不一样，不好直接比。
水果派派88 发表于 2015-4-21 12:12
制程的性能指晶体管速度和漏电流对电压的曲线。不同工艺有代差，同一代工艺密度和性能是冲突的。
这个和 ...
哦，谢谢科普
但是不是密度越小，能塞得晶体管就越多嘛，性能就越强吗？我觉得英特尔的思路是对的，不能光一味地提高制程。
制程的性能指晶体管速度和漏电流对电压的曲线。不同工艺有代差，同一代工艺密度和性能是冲突的。
这个和 ...
哦，谢谢科普
但是不是密度越小，能塞得晶体管就越多嘛，性能就越强吗？我觉得英特尔的思路是对的，不能光一味地提高制程。
哦，谢谢科普
但是不是密度越小，能塞得晶体管就越多嘛，性能就越强吗？我觉得英特尔的思路是对的，不能 ...
这当中关系很复杂的。就好比照相的CMOS，一般都认为像素越高越好，但苹果反其道行之说我虽然分辨率不高，但像素大动态范围好。TSMC现在就类似苹果的位置。
其实同一代的工艺真的差不多，最后还是看设计水平和价格。
但是不是密度越小，能塞得晶体管就越多嘛，性能就越强吗？我觉得英特尔的思路是对的，不能 ...
这当中关系很复杂的。就好比照相的CMOS，一般都认为像素越高越好，但苹果反其道行之说我虽然分辨率不高，但像素大动态范围好。TSMC现在就类似苹果的位置。
其实同一代的工艺真的差不多，最后还是看设计水平和价格。
水果派派88 发表于 2015-4-21 12:27
这当中关系很复杂的。就好比照相的CMOS，一般都认为像素越高越好，但苹果反其道行之说我虽然分辨率不高， ...
到那么为什么英特尔不开放代工呢？
这当中关系很复杂的。就好比照相的CMOS，一般都认为像素越高越好，但苹果反其道行之说我虽然分辨率不高， ...
到那么为什么英特尔不开放代工呢？
中芯国际：到2020年，16/14nm 制造工艺实现规模量产
中芯国际：20nm、14nm节点的前期开发工作也已全面展开， ...
华为/高通/中芯国际合推14nm：中国芯要爆发
华为/高通/中芯国际合推14nm：中国芯要爆发
习大大见证：华为+高通+中芯国际=14nm！
华为＋高通＋中芯国际＝14nm！习大大亲自见证
核高基系列之：国产当自强！中芯国际2013年量产28nm
中芯国际2012年业绩创新高，全年实现盈利。28nm四季度完 ...
中芯国际：2013年中28nm工艺基本完成
中芯国际的28nm生产线厂房封顶
中芯国际成功制造28nm骁龙410处理器
中芯国际28nm制程销售额出来了