超级军网锐迪科LTE五模及三模射频芯片
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 19:01:02
RDA15日宣布针对LTE智能手机市场推出LTE-TDD/LTE-FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM五模多频射频单芯片产品RDA8210，以及TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模多频射频单芯片产品RDA8211。
RDA8210/RDA8211 采用55nm工艺在单一芯片上集成了射频收发器、模拟基带以及32kHz振荡器，极大降低了客户成本。该芯片还同时支持JESD207标准数字接口和模拟接口两种常用数据接口，芯片集成度及技术水平达到国际领先水平。RDA8210是为4G LTE移动终端所设计的射频收发芯片，该芯片不仅支持LTE-TDD、LTE-FDD、WCDMA、TD-SCDMA、GSM五种通信标准，同时也支持包括band1、2、3、5、7、8、34、38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段，以及450MHz专网频段。RDA8211是专门为 4G TD-LTE移动终端所设计的射频收发芯片，支持TD-TDD、TD-SCDMA、GSM三种通信标准，同时也支持包括band2、3、5、8、34、 38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段。针对支持语音和数据双模双通应用，RDA8210/RDA8211集成了独立的GSM/EDGE 射频收发单元，即支持2G语音业务和3G/4G数据业务相互独立的双模双通工作模式，使移动终端可以支持真正意义上的双通。
“我们很高兴推出RDA首款LTE射频芯片解决方案，一颗全集成单芯片的解决方案，它可以帮我们极大地拓展LTE目标市场，”锐迪科微电子的首席执行官魏述然表示：“在今天的新兴市场，比如中国，用户持续将转换到更快速的4G手机终端，因此LTE手机的市场需求强烈增长。RDA8210/RDA8211采用我们市场领先的射频芯片技术，使手机制造商能够快速轻松地切换到LTE手机平台。通过提供低成本全集成系统芯片解决方案，RDA再次成为强劲增长市场的价格领导者。”RDA15日宣布针对LTE智能手机市场推出LTE-TDD/LTE-FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM五模多频射频单芯片产品RDA8210，以及TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模多频射频单芯片产品RDA8211。
RDA8210/RDA8211 采用55nm工艺在单一芯片上集成了射频收发器、模拟基带以及32kHz振荡器，极大降低了客户成本。该芯片还同时支持JESD207标准数字接口和模拟接口两种常用数据接口，芯片集成度及技术水平达到国际领先水平。RDA8210是为4G LTE移动终端所设计的射频收发芯片，该芯片不仅支持LTE-TDD、LTE-FDD、WCDMA、TD-SCDMA、GSM五种通信标准，同时也支持包括band1、2、3、5、7、8、34、38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段，以及450MHz专网频段。RDA8211是专门为 4G TD-LTE移动终端所设计的射频收发芯片，支持TD-TDD、TD-SCDMA、GSM三种通信标准，同时也支持包括band2、3、5、8、34、 38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段。针对支持语音和数据双模双通应用，RDA8210/RDA8211集成了独立的GSM/EDGE 射频收发单元，即支持2G语音业务和3G/4G数据业务相互独立的双模双通工作模式，使移动终端可以支持真正意义上的双通。
“我们很高兴推出RDA首款LTE射频芯片解决方案，一颗全集成单芯片的解决方案，它可以帮我们极大地拓展LTE目标市场，”锐迪科微电子的首席执行官魏述然表示：“在今天的新兴市场，比如中国，用户持续将转换到更快速的4G手机终端，因此LTE手机的市场需求强烈增长。RDA8210/RDA8211采用我们市场领先的射频芯片技术，使手机制造商能够快速轻松地切换到LTE手机平台。通过提供低成本全集成系统芯片解决方案，RDA再次成为强劲增长市场的价格领导者。”
RDA8210/RDA8211 采用55nm工艺在单一芯片上集成了射频收发器、模拟基带以及32kHz振荡器，极大降低了客户成本。该芯片还同时支持JESD207标准数字接口和模拟接口两种常用数据接口，芯片集成度及技术水平达到国际领先水平。RDA8210是为4G LTE移动终端所设计的射频收发芯片，该芯片不仅支持LTE-TDD、LTE-FDD、WCDMA、TD-SCDMA、GSM五种通信标准，同时也支持包括band1、2、3、5、7、8、34、38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段，以及450MHz专网频段。RDA8211是专门为 4G TD-LTE移动终端所设计的射频收发芯片，支持TD-TDD、TD-SCDMA、GSM三种通信标准，同时也支持包括band2、3、5、8、34、 38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段。针对支持语音和数据双模双通应用，RDA8210/RDA8211集成了独立的GSM/EDGE 射频收发单元，即支持2G语音业务和3G/4G数据业务相互独立的双模双通工作模式，使移动终端可以支持真正意义上的双通。
“我们很高兴推出RDA首款LTE射频芯片解决方案，一颗全集成单芯片的解决方案，它可以帮我们极大地拓展LTE目标市场，”锐迪科微电子的首席执行官魏述然表示：“在今天的新兴市场，比如中国，用户持续将转换到更快速的4G手机终端，因此LTE手机的市场需求强烈增长。RDA8210/RDA8211采用我们市场领先的射频芯片技术，使手机制造商能够快速轻松地切换到LTE手机平台。通过提供低成本全集成系统芯片解决方案，RDA再次成为强劲增长市场的价格领导者。”RDA15日宣布针对LTE智能手机市场推出LTE-TDD/LTE-FDD/WCDMA/TD-SCDMA/GSM五模多频射频单芯片产品RDA8210，以及TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模多频射频单芯片产品RDA8211。
RDA8210/RDA8211 采用55nm工艺在单一芯片上集成了射频收发器、模拟基带以及32kHz振荡器，极大降低了客户成本。该芯片还同时支持JESD207标准数字接口和模拟接口两种常用数据接口，芯片集成度及技术水平达到国际领先水平。RDA8210是为4G LTE移动终端所设计的射频收发芯片，该芯片不仅支持LTE-TDD、LTE-FDD、WCDMA、TD-SCDMA、GSM五种通信标准，同时也支持包括band1、2、3、5、7、8、34、38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段，以及450MHz专网频段。RDA8211是专门为 4G TD-LTE移动终端所设计的射频收发芯片，支持TD-TDD、TD-SCDMA、GSM三种通信标准，同时也支持包括band2、3、5、8、34、 38、39、40、41等目前国际上已商用的十几个频段。针对支持语音和数据双模双通应用，RDA8210/RDA8211集成了独立的GSM/EDGE 射频收发单元，即支持2G语音业务和3G/4G数据业务相互独立的双模双通工作模式，使移动终端可以支持真正意义上的双通。
“我们很高兴推出RDA首款LTE射频芯片解决方案，一颗全集成单芯片的解决方案，它可以帮我们极大地拓展LTE目标市场，”锐迪科微电子的首席执行官魏述然表示：“在今天的新兴市场，比如中国，用户持续将转换到更快速的4G手机终端，因此LTE手机的市场需求强烈增长。RDA8210/RDA8211采用我们市场领先的射频芯片技术，使手机制造商能够快速轻松地切换到LTE手机平台。通过提供低成本全集成系统芯片解决方案，RDA再次成为强劲增长市场的价格领导者。”
N年前的东西，E教主还要说RDA只有GSM功放吗？
RDA6577
Download: For Datasheet
RDA6577 is a high-power, high-efficiency front-end Module. This device is designed for GSM /EDGE/ TD-SCDMA /WCDMA handheld digital cellular equipment. The module consists of GSM/EDGE /TD-SCDMA multi-mode PA and SP7T antenna switch. The switch in RDA6577 has three throws for external UMTS ports. The power amplifiers, switch and their controller are fabricated with GaAs HBT and CMOS respectively.
The device package is 5mm×5mm×1.0mm 32-pins LGA. The input and output are realized on-chip matched to 50Ω. The RDA6577 requires few external components, simplifying PCB layout and reducing PCB board space.
Features
lUltra-Small 5mm×5mm Package
lGSM/EDGE/TD-SCDMA dual-mode Power Amplifier with SP7T
lESD protection at Antenna
lComplete Power Control Solution
lHigh efficiency
lLow supply voltage (3~4.5V)
lInput/Output matched @ 50 Ω
lAdvanced HBT/CMOS process
RDA6577
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RDA6577 is a high-power, high-efficiency front-end Module. This device is designed for GSM /EDGE/ TD-SCDMA /WCDMA handheld digital cellular equipment. The module consists of GSM/EDGE /TD-SCDMA multi-mode PA and SP7T antenna switch. The switch in RDA6577 has three throws for external UMTS ports. The power amplifiers, switch and their controller are fabricated with GaAs HBT and CMOS respectively.
The device package is 5mm×5mm×1.0mm 32-pins LGA. The input and output are realized on-chip matched to 50Ω. The RDA6577 requires few external components, simplifying PCB layout and reducing PCB board space.
Features
lUltra-Small 5mm×5mm Package
lGSM/EDGE/TD-SCDMA dual-mode Power Amplifier with SP7T
lESD protection at Antenna
lComplete Power Control Solution
lHigh efficiency
lLow supply voltage (3~4.5V)
lInput/Output matched @ 50 Ω
lAdvanced HBT/CMOS process
LTE也不是没有
RDA8240
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General Description
The RDA8240 is a monolithically integrated power amplifier Module. The PA is manufactured on Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process and has been designed for TD-LTE Band40 handheld equipment in the 2300MHz ~ 2400MHz band. The package of this chip is 3mm×3 mm×1.1mm LGA with 10 pins. The input and output are internally matched to 50Ω to simplify the system design.
Features
1.Advanced HBT process
2.Good linearity, high efficiency
3.4-mode power control
4.3.2~4.2 V Power supply voltage
5.Integrated coupler
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RDA8240
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General Description
The RDA8240 is a monolithically integrated power amplifier Module. The PA is manufactured on Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process and has been designed for TD-LTE Band40 handheld equipment in the 2300MHz ~ 2400MHz band. The package of this chip is 3mm×3 mm×1.1mm LGA with 10 pins. The input and output are internally matched to 50Ω to simplify the system design.
Features
1.Advanced HBT process
2.Good linearity, high efficiency
3.4-mode power control
4.3.2~4.2 V Power supply voltage
5.Integrated coupler
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没看懂，估计是来黑兔子的。
中国又成最大输家。。。。。。。。。。。
中国又成最大输家。。。。。。。。。。。
事实上RDA都是国内流片了，可是有些人偏偏认为55所要去国外流片
锐迪科RDA8605射频收发器芯片是一款基于3GPP协议TD-SCDMA和GSM标准的单芯片、全集成的双模射频收发器芯片，支持TD-SCDMA和GSM两种制式，把传统方案中所有的大的元器件比如射频VCO、环形滤波器和可调电感都集成到一个单芯片上，不仅是完整的TD-SCDMA单芯片解决方案，还是完整的GSM/DCS/PCS解决方案。该芯片是锐迪科公司最新推出的具有完全中国自主知识产权的射频收发器芯片，在性能方面比较突出。其关键指标发射通道EVM小于2%、噪声系数小于4dB、接收电路(包括频综锁相+消除DC Offset)稳定时间小于20μs，从而可以有效支持HSDPA，完全可以替代国外同类产品。该芯片的设计、研发、封装、流片、测试等全部环节均在国内完成。该芯片采用了0.18微米标准CMOS工艺制造，架构先进，具有高集成度、高性能、低成本、低功耗等特点。
锐迪科RDA8605射频收发器芯片是一款基于3GPP协议TD-SCDMA和GSM标准的单芯片、全集成的双模射频收发器芯片，支持TD-SCDMA和GSM两种制式，把传统方案中所有的大的元器件比如射频VCO、环形滤波器和可调电感都集成到一个单芯片上，不仅是完整的TD-SCDMA单芯片解决方案，还是完整的GSM/DCS/PCS解决方案。该芯片是锐迪科公司最新推出的具有完全中国自主知识产权的射频收发器芯片，在性能方面比较突出。其关键指标发射通道EVM小于2%、噪声系数小于4dB、接收电路(包括频综锁相+消除DC Offset)稳定时间小于20μs，从而可以有效支持HSDPA，完全可以替代国外同类产品。该芯片的设计、研发、封装、流片、测试等全部环节均在国内完成。该芯片采用了0.18微米标准CMOS工艺制造，架构先进，具有高集成度、高性能、低成本、低功耗等特点。
不支持CDMA就是一个渣……
ahaome 发表于 2015-1-20 18:18
没看懂，估计是来黑兔子的。
中国又成最大输家。。。。。。。。。。。
我只是反驳说兔子根本挤不进民用射频市场，外加手机射频模块远难于AESA的神论
ahaome 发表于 2015-1-20 18:18
没看懂，估计是来黑兔子的。
中国又成最大输家。。。。。。。。。。。
我只是反驳说兔子根本挤不进民用射频市场，外加手机射频模块远难于AESA的神论
基带和射频这方面华为已经很领先了，CDMA也不是不能做，而是实在是没有价值去做。
LTE也不是没有
RDA8240
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卖出去几个？和aky avago比如何？
作为一家以pa为主的厂家才出一款lte功放。
丢脸啊。主力产品还是2g 3g 二十几美分一个。
cmos soi功放也没出来。以后怎么混？
RDA8240
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卖出去几个？和aky avago比如何？
作为一家以pa为主的厂家才出一款lte功放。
丢脸啊。主力产品还是2g 3g 二十几美分一个。
cmos soi功放也没出来。以后怎么混？
好，有突破就是好事。
基带和射频这方面华为已经很领先了，CDMA也不是不能做，而是实在是没有价值去做。
华为4G功放和低噪放还是外国的
华为4G功放和低噪放还是外国的
这个话题发在军事畅谈有点不适宜吧！
用奔四烧水 发表于 2015-1-20 18:21
我只是反驳说兔子根本挤不进民用射频市场，外加手机射频模块远难于AESA的神论
华为在向你招手， 海思balong 710芯片，2011年，支持LTE TDD/FDD/TD-SCDMA/WCDMA/GSM/EDGE/GPRS
用奔四烧水 发表于 2015-1-20 18:21
我只是反驳说兔子根本挤不进民用射频市场，外加手机射频模块远难于AESA的神论
华为在向你招手， 海思balong 710芯片，2011年，支持LTE TDD/FDD/TD-SCDMA/WCDMA/GSM/EDGE/GPRS
我鳖电子技术甘草美帝啊
卖出去几个？和aky avago比如何？
作为一家以pa为主的厂家才出一款lte功放。
你又认为没SOI了
General Description
RDA’s RDASW321 is a SOI CMOS MMIC single pole three throw (SP3T) high power switch in a low cost miniature 2.0mm×2.0mm package. The RDASW321 is ideally suited for applications where high power, high linearity, low insertion loss, and small size are required. Typical applications are for handset systems that connect separate transmit and receive functions to a common antenna, as well as other related handset and general purpose applications. This part can be used in all systems operating up to 6 GHz requiring high power at low control voltage.
Features
1.Low Insertion Loss
2.High linearity
3.High isolation
4.Broadband frequency up to 6GHz
5.ESD Protection at all ports
6.SOI CMOS Process
作为一家以pa为主的厂家才出一款lte功放。
你又认为没SOI了
General Description
RDA’s RDASW321 is a SOI CMOS MMIC single pole three throw (SP3T) high power switch in a low cost miniature 2.0mm×2.0mm package. The RDASW321 is ideally suited for applications where high power, high linearity, low insertion loss, and small size are required. Typical applications are for handset systems that connect separate transmit and receive functions to a common antenna, as well as other related handset and general purpose applications. This part can be used in all systems operating up to 6 GHz requiring high power at low control voltage.
Features
1.Low Insertion Loss
2.High linearity
3.High isolation
4.Broadband frequency up to 6GHz
5.ESD Protection at all ports
6.SOI CMOS Process
事实上RDA都是国内流片了，可是有些人偏偏认为55所要去国外流片
锐迪科RDA8605射频收发器芯片是一款基于3G ...
科普一下目前绝大多数收发芯片都是集成的vco 锁相环。很一般的技术。
收发芯片以cmos工艺为主 可以在smic流片。
但是55所做GaAs芯片。国内没有专业代工厂
就只能到台湾做。
55所自己的foundary只能做军品。量小 良率也差 先进工艺更是差triquint winchip一大节。
锐迪科RDA8605射频收发器芯片是一款基于3G ...
科普一下目前绝大多数收发芯片都是集成的vco 锁相环。很一般的技术。
收发芯片以cmos工艺为主 可以在smic流片。
但是55所做GaAs芯片。国内没有专业代工厂
就只能到台湾做。
55所自己的foundary只能做军品。量小 良率也差 先进工艺更是差triquint winchip一大节。
你又认为没SOI了
General Description
RDA’s RDASW321 is a SOI CMOS MMIC single pole three throw ( ...
shut up 那是一个rf开关 最简单的大路货。
单刀三支。很老的规格了。估计是基站用的。
我说的是power amplifier。
自己百度一下soi cmos power amplifier skyworks
General Description
RDA’s RDASW321 is a SOI CMOS MMIC single pole three throw ( ...
shut up 那是一个rf开关 最简单的大路货。
单刀三支。很老的规格了。估计是基站用的。
我说的是power amplifier。
自己百度一下soi cmos power amplifier skyworks
我只是反驳说兔子根本挤不进民用射频市场，外加手机射频模块远难于AESA的神论
做手机功放的就剩四家了。sky rfmd avago triquint。 其它的都只能吃他们剩下的骨头。
至于手机滤波器 sawf fbar 几乎被murata epcosavago垄断。
开关国内只有55所出货。但是量不大。
未来随着soi cmos技术进展 前段射频全部集成
国内企业更没希望了。
至于技术门槛。哈哈 开发soi cmos 功放都是千万级别的（美元）至于军品功放。大学老师都敢做。成电好多老师都干这个
做手机功放的就剩四家了。sky rfmd avago triquint。 其它的都只能吃他们剩下的骨头。
至于手机滤波器 sawf fbar 几乎被murata epcosavago垄断。
开关国内只有55所出货。但是量不大。
未来随着soi cmos技术进展 前段射频全部集成
国内企业更没希望了。
至于技术门槛。哈哈 开发soi cmos 功放都是千万级别的（美元）至于军品功放。大学老师都敢做。成电好多老师都干这个
shut up 那是一个rf开关 最简单的大路货。
单刀三支。很老的规格了。估计是基站用的。
荣耀六不还是用HBT功放吗？
单刀三支。很老的规格了。估计是基站用的。
荣耀六不还是用HBT功放吗？
做手机功放的就剩四家了。sky rfmd avago triquint。 其它的都只能吃他们剩下的骨头。
至于手机滤波器 ...
别高兴得太早，美帝再搞，兔子也没歇着
前两年被收购案拖着，现在再搞也是很快的
SOI PA也没进展有多快
至于手机滤波器 ...
别高兴得太早，美帝再搞，兔子也没歇着
前两年被收购案拖着，现在再搞也是很快的
SOI PA也没进展有多快
做手机功放的就剩四家了。sky rfmd avago triquint。 其它的都只能吃他们剩下的骨头。
至于手机滤波器 ...
还有IBM把晶圆厂卖了，我看SOI也前途未卜
至于手机滤波器 ...
还有IBM把晶圆厂卖了，我看SOI也前途未卜
还有IBM把晶圆厂卖了，我看SOI也前途未卜
卖给了global foundry。 继续赚钱。
soi已经是业界都在追求的工艺。卖给谁都一样。
卖给了global foundry。 继续赚钱。
soi已经是业界都在追求的工艺。卖给谁都一样。
别高兴得太早，美帝再搞，兔子也没歇着
前两年被收购案拖着，现在再搞也是很快的
SOI PA也没进展有多快
skyworks有sky one 功放 soicmos。
peregrone 有global one soicmos
都已经上市。不快？高通已经有了soi全集成
rf前端。
在消费类电子市场。几个月市场就没了。
rda已经是过去式
前两年被收购案拖着，现在再搞也是很快的
SOI PA也没进展有多快
skyworks有sky one 功放 soicmos。
peregrone 有global one soicmos
都已经上市。不快？高通已经有了soi全集成
rf前端。
在消费类电子市场。几个月市场就没了。
rda已经是过去式
荣耀六不还是用HBT功放吗？
你分清楚功放和开关。
你分清楚功放和开关。
你分清楚功放和开关。
我是说SOI并没有占据功放市场
荣耀六用的就是这货
http://www.triquintchina.com/products/p/TQP9058
我是说SOI并没有占据功放市场
荣耀六用的就是这货
http://www.triquintchina.com/products/p/TQP9058
都会有的，欧美的工业技术遮羞布会被一块一块撕下来
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