微电子所铟镓砷MOSFET射频开关芯片研究获进展

http://www.cas.cn/syky/201604/t20160414_4552911.shtml
　近日，中国科学院微电子研究所科研成果——铟镓砷（InGaAs）MOSFET射频开关芯片被国际半导体杂志Semiconductor Today 进行了专题报道。
　　高迁移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基础上引入高K介质金属栅技术发展起来的新一代半导体器件，被国际学术界和半导体产业界认为是延展摩尔定律至5纳米节点的主要技术选择。微电子所高频高压器件与集成研发中心研究员刘洪刚课题组长期致力于InGaAs MOSFET器件及其应用研究，在国家科技重大专项、“973”计划、国家自然科学基金等多项国家级课题的支持下，先后在量子阱沟道设计、高K介质与界面态控制、关键工艺与硅基异质集成、器件模型与电路模拟等方面取得重要进展，相关成果已成功应用于面向4G/5G移动通信的射频开关芯片的研究。课题组研制的InGaAs MOSFET射频开关芯片，在移动通信频段表现出优越的射频开关特性，在0.1-3GHz无线通信频段内插入损耗为0.27-0.49dB，隔离度达到35-68dB，比传统InGaAs HEMT射频开关具有更高的射频输出功率和功率附件效率。该特性使InGaAs MOSFET技术在5G智能手机与高速WiFi中具有广阔的应用前景。
http://www.cas.cn/syky/201604/t20160414_4552911.shtml
　近日，中国科学院微电子研究所科研成果——铟镓砷（InGaAs）MOSFET射频开关芯片被国际半导体杂志Semiconductor Today 进行了专题报道。
　　高迁移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基础上引入高K介质金属栅技术发展起来的新一代半导体器件，被国际学术界和半导体产业界认为是延展摩尔定律至5纳米节点的主要技术选择。微电子所高频高压器件与集成研发中心研究员刘洪刚课题组长期致力于InGaAs MOSFET器件及其应用研究，在国家科技重大专项、“973”计划、国家自然科学基金等多项国家级课题的支持下，先后在量子阱沟道设计、高K介质与界面态控制、关键工艺与硅基异质集成、器件模型与电路模拟等方面取得重要进展，相关成果已成功应用于面向4G/5G移动通信的射频开关芯片的研究。课题组研制的InGaAs MOSFET射频开关芯片，在移动通信频段表现出优越的射频开关特性，在0.1-3GHz无线通信频段内插入损耗为0.27-0.49dB，隔离度达到35-68dB，比传统InGaAs HEMT射频开关具有更高的射频输出功率和功率附件效率。该特性使InGaAs MOSFET技术在5G智能手机与高速WiFi中具有广阔的应用前景。