好吧,关于中芯国际28nm工艺上线的二手消息:国产首台28 ...

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/27 12:30:50
国产首台28纳米等离子硅刻蚀机通过验证并实现销售

链接:北京市经济和信息化委员会http://www.bjeit.gov.cn/gyfz/dzxxcyc/201401/t20140108_31475.htm

       近日,在国家02科技重大专项的支持下,北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司自主研发的12英寸28纳米等离子硅刻蚀机全面通过中芯国际生产线全流程工艺验证,在刻蚀工艺、产品良率等关键指标上均达到国际先进水平,并获得客户订单,标志着中国集成电路高端装备国产化取得新的突破,打破了美国、日本对28纳米集成电路生产设备的技术封锁和市场垄断。

  北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司成立于2001年,一直从事高端刻蚀设备的自主开发和产业化。2006年研发成功我国第一台100纳米高密度等离子刻蚀机,填补了我国高端集成电路装备领域的空白,获得国家科技进步二等奖。2012年完成了国内第一台65纳米硅刻蚀机的大生产线销售。此次将28纳米硅刻蚀设备推向市场,真正实现了与主流生产线的需求同步。

北方微电子NMC612B-28硅刻蚀机获得中芯国际采购订单

链接:北方微电子官网http://www.bj-nmc.cn/

      辞旧迎新之际,我国集成电路高端装备产业再传捷报,由北方微电子公司自主研发的12英寸28纳米等离子硅刻蚀机全面通过中芯国际生产线全流程工艺验证,并获得客户订单,标志着中国集成电路高端装备国产化取得新的突破。

      近年来,我国集成电路产业在国家重大专项的支持下不断取得丰硕成果,北方微电子研发的等离子硅刻蚀机便是其中之一。集成电路产业是支撑当今科学技术发展的基础产业,其制造水平是衡量一个国家高科技发展水平的重要标志,而用来加工制造集成电路芯片的工艺设备更占据着整个产业链的高端,成为先进国家科技竞争能力的标志。目前国际上代工业进入规模量产的最高水平是28纳米技术,相比40纳米技术,可使集成电路的功耗更小、速度更快、成本更低,主要应用于CPU、存储器、移动通信、数字音视频等高端芯片产品,目前这类高端芯片还主要依赖进口。值得欣慰的是,我国集成电路制造技术依靠多年的艰辛努力也实现了飞跃发展,即将迎来28纳米技术时代。
   
      等离子刻蚀设备是众多集成电路制造设备中最核心装备之一,其目的是完整的将电路设计图案复制到硅片表面,在硅片表面实现三维精细加工,形成各种形状的槽和孔,加工槽的宽度最小尺寸在28纳米尺度。加工一片12英寸硅片,晶体管栅极刻蚀的数量大于一万亿个,且成功率要高于99.999%,才能保证整个芯片的成品率高于98%,这万亿个栅极宽度的变化不能大于3纳米,而深度的控制更是在几个原子层的厚度,因此对系统的工艺能力和稳定性要求极高。

      在今天没有任何一个集成电路芯片能在缺乏等离子刻蚀技术情况下完成,刻蚀设备也在整个芯片厂的设备投资中占据高达近15%以上的比重。最先进的等离子硅刻蚀设备凝聚着数十个科技领域的菁华,涵盖超洁净技术、射频等离子体技术、高真空技术、材料技术、磁场控制和屏蔽技术、软件与控制技术、机器人与自动化技术、高纯气体与化学腐蚀技术、计算机模拟仿真等诸多领域。目前国际上也仅有美国和日本各一家企业能够提供满足28纳米生产线的成熟设备。长期以来,高端刻蚀设备一直是制约我国集成电路产业发展的瓶颈,目前20纳米以下技术西方国家仍然对我国进行技术封锁和使用限制。

      北方微电子成立于2001年,一直致力于高端刻蚀设备的自主开发和产业化,2006年就研发成功我国第一台8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机,填补了我国高端集成电路装备领域的空白,因此而获得国家科技进步二等奖的殊荣。2012年又完成了国内第一台65纳米硅刻蚀机的大生产线销售,此次将28纳米硅刻蚀设备推向市场标志着我国在高端集成电路装备领域第一次实现与主流生产线的需求同步。

      北方微电子正式发布的面向28纳米的硅刻蚀设备,不但突破了精密等离子体控制、更高精确的硅片表面温度控制、更高的气流均匀控制等多项关键技术,以全新的硬件设计满足了客户在STI以及未来Double patterning、HKMG等先进制程中对刻蚀工艺提出的高速率、高均匀性、低损伤和低缺陷、精确尺寸和形貌控制、低颗粒污染等要求,在多项工艺、特别是产品良率等关键指标上达到国际先进水平。

      历经十余年的耕耘,北方微电子在中国集成电路产业成绩卓著,无论8英寸或12英寸硅刻蚀设备,都以先进的工艺指标、竞争力的价格和完善的客户服务打破了进口设备的垄断局面。同时在先进封装、LED、MEMS等泛半导体相关领域也成绩斐然,获得越来越高的产业认可度和市场占有率。
   
     新的一年,新的开始,中国集成电路装备产业会与中国集成电路芯片制造产业一道谱写新的篇章。

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      查了一下北方微电子公司相关资料,NMC612B-28 12英寸高密度等离子硅刻蚀机是在NMC612B基础上开发的用于28nm干法硅蚀刻机,应用于300mm尺寸的硅片加工,能够满足32-22nm技术节点的关键刻蚀工艺需求,用于逻辑电路、闪存、动态随机存储器的半导体前道(FEOL)工艺,包括:Gate、STI、SPT、Spacer、Offset等,也可用于Zero mark、前道硬掩模膜刻蚀工艺等。

    国产首台28纳米等离子硅刻蚀机通过验证并实现销售

链接:北京市经济和信息化委员会http://www.bjeit.gov.cn/gyfz/dzxxcyc/201401/t20140108_31475.htm

       近日,在国家02科技重大专项的支持下,北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司自主研发的12英寸28纳米等离子硅刻蚀机全面通过中芯国际生产线全流程工艺验证,在刻蚀工艺、产品良率等关键指标上均达到国际先进水平,并获得客户订单,标志着中国集成电路高端装备国产化取得新的突破,打破了美国、日本对28纳米集成电路生产设备的技术封锁和市场垄断。

  北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司成立于2001年,一直从事高端刻蚀设备的自主开发和产业化。2006年研发成功我国第一台100纳米高密度等离子刻蚀机,填补了我国高端集成电路装备领域的空白,获得国家科技进步二等奖。2012年完成了国内第一台65纳米硅刻蚀机的大生产线销售。此次将28纳米硅刻蚀设备推向市场,真正实现了与主流生产线的需求同步。

北方微电子NMC612B-28硅刻蚀机获得中芯国际采购订单

链接:北方微电子官网http://www.bj-nmc.cn/

      辞旧迎新之际,我国集成电路高端装备产业再传捷报,由北方微电子公司自主研发的12英寸28纳米等离子硅刻蚀机全面通过中芯国际生产线全流程工艺验证,并获得客户订单,标志着中国集成电路高端装备国产化取得新的突破。

      近年来,我国集成电路产业在国家重大专项的支持下不断取得丰硕成果,北方微电子研发的等离子硅刻蚀机便是其中之一。集成电路产业是支撑当今科学技术发展的基础产业,其制造水平是衡量一个国家高科技发展水平的重要标志,而用来加工制造集成电路芯片的工艺设备更占据着整个产业链的高端,成为先进国家科技竞争能力的标志。目前国际上代工业进入规模量产的最高水平是28纳米技术,相比40纳米技术,可使集成电路的功耗更小、速度更快、成本更低,主要应用于CPU、存储器、移动通信、数字音视频等高端芯片产品,目前这类高端芯片还主要依赖进口。值得欣慰的是,我国集成电路制造技术依靠多年的艰辛努力也实现了飞跃发展,即将迎来28纳米技术时代。
   
      等离子刻蚀设备是众多集成电路制造设备中最核心装备之一,其目的是完整的将电路设计图案复制到硅片表面,在硅片表面实现三维精细加工,形成各种形状的槽和孔,加工槽的宽度最小尺寸在28纳米尺度。加工一片12英寸硅片,晶体管栅极刻蚀的数量大于一万亿个,且成功率要高于99.999%,才能保证整个芯片的成品率高于98%,这万亿个栅极宽度的变化不能大于3纳米,而深度的控制更是在几个原子层的厚度,因此对系统的工艺能力和稳定性要求极高。

      在今天没有任何一个集成电路芯片能在缺乏等离子刻蚀技术情况下完成,刻蚀设备也在整个芯片厂的设备投资中占据高达近15%以上的比重。最先进的等离子硅刻蚀设备凝聚着数十个科技领域的菁华,涵盖超洁净技术、射频等离子体技术、高真空技术、材料技术、磁场控制和屏蔽技术、软件与控制技术、机器人与自动化技术、高纯气体与化学腐蚀技术、计算机模拟仿真等诸多领域。目前国际上也仅有美国和日本各一家企业能够提供满足28纳米生产线的成熟设备。长期以来,高端刻蚀设备一直是制约我国集成电路产业发展的瓶颈,目前20纳米以下技术西方国家仍然对我国进行技术封锁和使用限制。

      北方微电子成立于2001年,一直致力于高端刻蚀设备的自主开发和产业化,2006年就研发成功我国第一台8英寸100纳米高密度等离子刻蚀机,填补了我国高端集成电路装备领域的空白,因此而获得国家科技进步二等奖的殊荣。2012年又完成了国内第一台65纳米硅刻蚀机的大生产线销售,此次将28纳米硅刻蚀设备推向市场标志着我国在高端集成电路装备领域第一次实现与主流生产线的需求同步。

      北方微电子正式发布的面向28纳米的硅刻蚀设备,不但突破了精密等离子体控制、更高精确的硅片表面温度控制、更高的气流均匀控制等多项关键技术,以全新的硬件设计满足了客户在STI以及未来Double patterning、HKMG等先进制程中对刻蚀工艺提出的高速率、高均匀性、低损伤和低缺陷、精确尺寸和形貌控制、低颗粒污染等要求,在多项工艺、特别是产品良率等关键指标上达到国际先进水平。

      历经十余年的耕耘,北方微电子在中国集成电路产业成绩卓著,无论8英寸或12英寸硅刻蚀设备,都以先进的工艺指标、竞争力的价格和完善的客户服务打破了进口设备的垄断局面。同时在先进封装、LED、MEMS等泛半导体相关领域也成绩斐然,获得越来越高的产业认可度和市场占有率。
   
     新的一年,新的开始,中国集成电路装备产业会与中国集成电路芯片制造产业一道谱写新的篇章。

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      查了一下北方微电子公司相关资料,NMC612B-28 12英寸高密度等离子硅刻蚀机是在NMC612B基础上开发的用于28nm干法硅蚀刻机,应用于300mm尺寸的硅片加工,能够满足32-22nm技术节点的关键刻蚀工艺需求,用于逻辑电路、闪存、动态随机存储器的半导体前道(FEOL)工艺,包括:Gate、STI、SPT、Spacer、Offset等,也可用于Zero mark、前道硬掩模膜刻蚀工艺等。

   
PS:根据网上消息分析,貌似北方微电子的NMC612B-28 不算兔子最好的干法硅刻蚀机,最好的是上海中微半导体的PrimoSSCAD-RIE二代机型PrimoSSCAD-RIE™。
      
      消息如下:中微的PrimoSSCAD-RIE™蚀刻设备在韩国领先的半导体制造企业中完成了20纳米及以下关键闪存晶片的生产验证。该韩国客户已正式下单订购, 除了韩国客户以外,台湾、日本和其他地区的晶片生产厂商也对中微的PrimoSSCAD-RIE™蚀刻设备表示了极大的兴趣,目前正在进行15纳米晶片蚀刻的验证。同时,公司也在和部分客户合作开发15纳米闪存晶片加工工艺和VNAND工艺。中微韩国区总经理KIYoon表示,目前中微正在进行包括第三代CCP介质蚀刻设备、ICP蚀刻设备以及18英寸蚀刻设备的开发。

       2013年中微半导体的设备订单比2012年增加了一倍,截至2013年年底,中微半导体已有多个等离子体刻蚀设备产品的240个反应台,在20多个国内外先进的芯片生产线实现量产。在国内高端介质刻蚀设备市场达到30%以上的市场占有率,在先进封装硅通孔刻蚀超过了50%的市场占有率。在台湾的一流生产线上已超过100台进入量产,包括40纳米到28纳米量产。在韩国先进生产线最关键的20纳米前端接触孔刻蚀上,已实现每月3万片以上晶圆的量产,并在15纳米接触孔刻蚀的研发上,超过美国Lam公司设备,成为下一代的首选设备。
额,查到中芯国际的28nm量产可靠时间鸟,消息如下:

      2013年11月30日,中芯国际二期主体厂房成功封顶。该项目自2012年9月25日破土打桩施工,到2013年3月1日主体建筑施工,均按计划顺利实施。主体厂房封顶后,内部装修、动力设施、超净间施工相继开展。
  
      中芯国际二期项目总投资72亿美元,计划建设两条月产能各为3.5万片、技术水平在20-28纳米的12英寸集成电路生产线。目前启动的第一阶段总投资35.9亿美元,建设主体厂房、配套设施和一条产能3.5万片/月的12英寸集成电路生产线。项目预计于2014年底可实现7000片/月的产能,2015年底达产。
  
      该项目的顺利实施,将为国家极大规模集成电路制造技术及成套工艺重大科技专项的研究成果提供验证平台,推动专项成果在我市实现产业化,带动我市集成电路产业上下游整体发展。进一步促进我市产业结构升级,培育新的经济增长点,对保障首都经济平稳较快发展具有重要意义。开发区张伯旭同志、市经信委梁胜同志以及国家发改委、市有关委办局同志共同见证了项目封顶时刻。


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中芯,你丫的真心墨迹{:soso_e119:} {:soso_e155:}
给力 总是惊喜不断
这个投入要很大的。
光刻机不知怎样了。
zxd1981 发表于 2014-1-22 09:11
PS:根据网上消息分析,貌似北方微电子的NMC612B-28 不算兔子最好的干法硅刻蚀机,最好的是上海中微半导体 ...
问个问题,月产3万片是啥概念?一片能出几块芯片?
liwei18604 发表于 2014-1-22 13:08
问个问题,月产3万片是啥概念?一片能出几块芯片?
每月3万片12英寸晶圆,至于出多少芯片那要由所要生产的芯片尺寸、工艺和良率来定了
离子硅刻蚀机国内的水平确实是提升了,不过光刻嘛!!90纳米吹了这些年还是没有消息了。
中芯不是说28nm 13年底试产吗
jeciq 发表于 2014-1-22 16:26
中芯不是说28nm 13年底试产吗
对呀,根据这个消息应该是已经试产了,14年底是量产,15年底是满产
中国在关键的问题是曝光机搞不出来
商品税 发表于 2014-1-22 18:40
中国在关键的问题是曝光机搞不出来
asml的28nm是可以用的  那也还没搞定啊

jeciq 发表于 2014-1-22 18:54
asml的28nm是可以用的  那也还没搞定啊


就连最基本的曝光设备还停留在90nm,侵润试的影都没有。早就落了别人几条街了
jeciq 发表于 2014-1-22 18:54
asml的28nm是可以用的  那也还没搞定啊


就连最基本的曝光设备还停留在90nm,侵润试的影都没有。早就落了别人几条街了
商品税 发表于 2014-1-22 21:46
就连最基本的曝光设备还停留在90nm,侵润试的影都没有。早就落了别人几条街了
浸润搞定了 直接就可以挺近28了
商品税 发表于 2014-1-22 21:46
就连最基本的曝光设备还停留在90nm,侵润试的影都没有。早就落了别人几条街了

这东西确实是高精尖 能够搞定的就欧美 日本的其实就佳能的水平 nikon完全就是美国研发的
2014年底可实现7000片/月的产能,2015年底达产,这个28微米台积电是算2012年底到2013年中之间满载吗?如果这样落后还是很大啊
jeciq 发表于 2014-1-22 22:02
这东西确实是高精尖 能够搞定的就欧美 日本的其实就佳能的水平 nikon完全就是美国研发的
真的假的,不是说nikon比佳能NB吗,而且INTEL的1xnm用的就是nikon的光刻机
ecgz88 发表于 2014-1-23 14:40
2014年底可实现7000片/月的产能,2015年底达产,这个28微米台积电是算2012年底到2013年中之间满载吗?如果这 ...
肯定落后甚多啊,台积电搞代工都是20多年前的事了,现在又是晶圆代工方面的霸主,除了INTEL就它的制程最先进,中芯国际才建立十年多点,基础还是太弱,感觉目前中芯需要追赶的目标不应该是台积电,而是联电,这样才适合,不过IP库开发方面不能学不思自主的联电,还是应该向台积电学习
zxd1981 发表于 2014-1-23 14:52
肯定落后甚多啊,台积电搞代工都是20多年前的事了,现在又是晶圆代工方面的霸主,除了INTEL就它的制程最 ...
和联电营收上已经差不多了 28nm搞定后超过联电应该没问题 联电已无力搞20nm了  联电我估计得被台积电收购
加油,等待中国芯
不管如何,还是要支持一下的
ecgz88 发表于 2014-1-23 14:40
2014年底可实现7000片/月的产能,2015年底达产,这个28微米台积电是算2012年底到2013年中之间满载吗?如果这 ...
台积电2012年底, 28nm月产超过10万片~~(只算占多数产量的的fab15/位于台中, 台积电第三座12吋晶圆厂)
至于, 20nm将于2014年1月份量产, 初始产能1万片/月, 16nm同年(2014)5月投产,
台积电规划2014年底16/20nm达到月产11万片;(月产10万片28nm的12吋晶圆厂,建厂成本约100亿美金)
airbear 发表于 2014-1-24 13:19
台积电2012年底, 28nm月产超过10万片~~(只算占多数产量的的fab15/位于台中, 台积电第三座12吋晶圆厂)
至 ...
20nm估计良品率会很低

airbear 发表于 2014-1-24 13:19
台积电2012年底, 28nm月产超过10万片~~(只算占多数产量的的fab15/位于台中, 台积电第三座12吋晶圆厂)
至 ...


那算下来差距在3+年

可惜早几年内存条大跌时湾湾精英叫了一阵,但没人动手把棒子现代内存条买下来,要不现在也是个金鸡母,南棒三爽现在不就靠内存条在积累发家吗
airbear 发表于 2014-1-24 13:19
台积电2012年底, 28nm月产超过10万片~~(只算占多数产量的的fab15/位于台中, 台积电第三座12吋晶圆厂)
至 ...


那算下来差距在3+年

可惜早几年内存条大跌时湾湾精英叫了一阵,但没人动手把棒子现代内存条买下来,要不现在也是个金鸡母,南棒三爽现在不就靠内存条在积累发家吗
http://diy.zol.com.cn/430/4304942.html

http://news.mydrivers.com/1/289/289456.htm