055的大盾有没有可能用上氮化镓的T/R组件?

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/05/01 00:33:18
052D上的346A用的是砷化镓组件这个应该是共识了吧!而052C上巨大的散热罩预示着早期的346可能用的是发热严重的硅二极管!所以由C到D的进步还是很明显的,那么意淫一下!未来055的大盾会不会更上一层楼,采用更加高端先进的GaN呢?如果是的话,双波段……氮化镓……万多吨的体量……鼻血狂飙啊!052D上的346A用的是砷化镓组件这个应该是共识了吧!而052C上巨大的散热罩预示着早期的346可能用的是发热严重的硅二极管!所以由C到D的进步还是很明显的,那么意淫一下!未来055的大盾会不会更上一层楼,采用更加高端先进的GaN呢?如果是的话,双波段……氮化镓……万多吨的体量……鼻血狂飙啊!
不懂,看热闹
時間問題吧        
052d是液冷,052c是风冷,346A只会更热
052d是液冷,052c是风冷,346A只会更热
你的意思是346A也是硅二极管?
052d是液冷,052c是风冷,346A只会更热
你的意思是346A也是硅二极管?
估计055来不及了,要等到055A吧。
鬼子的FCS3上已经采用了GaN的TR
组件,不得不佩服小日本在半导体方面的功力!
楼主 什么叫做硅二极管 氮化镓是什么?
楼主 什么叫做硅二极管 氮化镓是什么?
半导体啊!
应该不会
055去年才下水,技术状态只会冻结更早
055A估计有可能
应该不会
055去年才下水,技术状态只会冻结更早
055A估计有可能
你没搞错吧!是去年开工的,应该还没下水呢吧!
电子产品最开始使用的半导体衬底大多是硅元素和硼元素、磷元素掺杂,因技术难度低且便宜,商用和民用的很多电子产品仍然在采用。但在制作军用高功率微波器件时,这些显然无法使用。后来采取了GaAs(砷化镓)衬底,其电子漂移速率和击穿电压比硅元素器件高10倍以上,F-22上的相控阵雷达便使用这种衬底的元器件。最新的衬底材料超越了GaAs一个数量级,这就是GaN(氮化镓)和SiC,这方面美国和日本目前走在了前面,这两种衬底已经到了工程运用阶段,而我国目前只有中科院制造出来了单晶SiC,还无法进行实际上的工程大规模生产运用。

夏洛很烦恼 发表于 2016-3-31 11:27
电子产品最开始使用的半导体衬底大多是硅元素和硼元素、磷元素掺杂,因技术难度低且便宜,商用和民用的很多 ...


http://military.china.com/import ... 2/19197435_all.html
楼主火星了,大尺寸碳化硅很多民企都能玩得转。
夏洛很烦恼 发表于 2016-3-31 11:27
电子产品最开始使用的半导体衬底大多是硅元素和硼元素、磷元素掺杂,因技术难度低且便宜,商用和民用的很多 ...


http://military.china.com/import ... 2/19197435_all.html
楼主火星了,大尺寸碳化硅很多民企都能玩得转。
思恋忧愁 发表于 2016-3-31 11:23
应该不会
055去年才下水,技术状态只会冻结更早
055A估计有可能
055去年下水了?
有可能;

还看成本。
这种问题太专业了,也涉及军事机密了,还是不要讨论了。
055去年下水了?
去年切钢板吧?

夏洛很烦恼 发表于 2016-3-31 11:27
电子产品最开始使用的半导体衬底大多是硅元素和硼元素、磷元素掺杂,因技术难度低且便宜,商用和民用的很多 ...


能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山大天岳、华进创威等等

夏洛很烦恼 发表于 2016-3-31 11:27
电子产品最开始使用的半导体衬底大多是硅元素和硼元素、磷元素掺杂,因技术难度低且便宜,商用和民用的很多 ...


能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山大天岳、华进创威等等
能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山 ...
天科合达算不算?
能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山 ...
人家会看不见的~,这类贴子~每鬲一段时间就会出现!
风雨江城 发表于 2016-3-31 14:25
能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山 ...
有没有上市的?
HhJjKcScS 发表于 2016-3-31 16:08
有没有上市的?
要炒股?可以观察三安光电,正在搞砷化镓和氮化镓晶圆及其器件的融资
banma 发表于 2016-3-31 16:00
天科合达算不算?
算,天科合达后面是中科院的技术,已经有后来居上超过山大天岳的意思了
鬼子的FCS3上已经采用了GaN的TR
组件,不得不佩服小日本在半导体方面的功力!
那是日粉拿一张ppt在胡说八道
人家会看不见的~,这类贴子~每鬲一段时间就会出现!
有必要这么阴阳怪气么?
能商业化规模制造SiC晶圆的国内有N家,其中能量产用于制造半导体器件的半绝缘SiC晶圆的有瀚海天成、山 ...
SIC和GaN相比有什么优劣呢?能不能用在相控阵上?
氮化镓估计会很贵,等到工艺成熟,成品率提高到可以批产的水平,还需要一段时间了。
fight_shan 发表于 2016-3-31 11:18
楼主 什么叫做硅二极管 氮化镓是什么?
一种电子设备的基础材料,性能极好。是砷化镓的下代产品。
思恋忧愁 发表于 2016-3-31 11:23
应该不会
055去年才下水,技术状态只会冻结更早
055A估计有可能
你这消息来源是哪里?证据链接?
交给民企分分钟搞出来。现在也在搞军品民进,估计大大对国企效率也是头疼得紧的。
首艘055目前还在分段建造阶段,估计前几艘还是会沿用052D的神盾,后续的055会用上氮化镓T/R组件的
夏洛很烦恼 发表于 2016-4-1 04:56
SIC和GaN相比有什么优劣呢?能不能用在相控阵上?
碳化硅是氮化镓常用的衬底材料之一。
考据 发表于 2016-3-31 16:44
那是日粉拿一张ppt在胡说八道
那個ppt是日本防衛省拿來說明fcs-3改已經用了GaN
交给民企分分钟搞出来。现在也在搞军品民进,估计大大对国企效率也是头疼得紧的。
那民企咋不做呢?实验室也行啊。少在这吹牛。一群代工厂还有脸说雷达。
碳化硅是氮化镓常用的衬底材料之一。
不是说碳化硅衬底的氮化镓和砷化镓还是没能拉开技术差距吗?
21271173 发表于 2016-4-1 09:17
不是说碳化硅衬底的氮化镓和砷化镓还是没能拉开技术差距吗?
     砷化镓当然也有优点,但氮化镓总体性能占优是没问题的,尤其是输出功率密度上的优势使之成为大势所趋。
楼上惊现教主
鬼子的FCS3上已经采用了GaN的TR
组件,不得不佩服小日本在半导体方面的功力!
智商,注意智商!
那就是日杂狗拿着ppt打手枪罢了,这种蠢话你也信?
http://military.china.com/important/11132797/20150112/19197435_all.html
楼主火星了,大尺寸碳化 ...
你说的这么专业,楼主看不懂怎么办啊?