超级军网沃浦光电成功研制出320×256像元的量子阱(QWIP)红外焦平 ...
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/30 09:16:54
http://www.coema.org.cn/oenews/product/20140228/093929.html
近日，位于江苏无锡的沃浦光电传感科技有限公司成功研制出320×256像元的量子阱红外焦平面芯片，并成功完成小批量试制。首批小批量产品经过实验室的相关测试，其测试结果令人振奋，产品主要技术参数均已达到并超越国际同类产品。
据悉，无锡沃浦光电传感科技有限公司总投资超过5000万人民币，拥有800㎡的超净车间和一条全进口的III-V族生产线，主要开展研发、生产和销售量子阱(QWIP)等红外光电核心器件业务。
量子阱红外焦平面技术(QWIP)是20世纪90年代发展起来的高新技术，与其他红外技术相比，QWIP具备响应速度快，均匀性好，易制成多色大面阵阵列，且探测波长可通过量子阱参数的调整加以控制等优点，是目前第三代红外焦平面的主流技术之一。
量子阱红外焦平面芯片(QWIP)是制冷型红外探测系统中技术含量最高的核心器件，该技术一直为美国、法国、瑞典等少数几个国家垄断。此前，国内除了国营的科研院所拥有部分用于军事国防的红外技术储备之外，其余所需红外探测产品均从国外进口，因此成本很高，每片制冷型红外焦平面芯片售价都在10000美金以上，这严重阻碍了国内红外探测技术在各行业的发展和应用。
此次无锡沃浦光电的量子阱红外焦平面芯片的研制成功，填补国内量子阱产业化领域的空白，同时降低该类产品在国内各领域应用的成本，在替代进口产品方面具有重要价值。这也标志着民营企业在红外核心器件的制备技术方面实现了巨大跨越。
下附QWIP芯片的成像照片及部分参数
像元数：320×256
像元间距：30μm
像元有效率：＞99.8%
NETD：≤25 mK
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http://www.coema.org.cn/oenews/product/20140228/093929.html
近日，位于江苏无锡的沃浦光电传感科技有限公司成功研制出320×256像元的量子阱红外焦平面芯片，并成功完成小批量试制。首批小批量产品经过实验室的相关测试，其测试结果令人振奋，产品主要技术参数均已达到并超越国际同类产品。
据悉，无锡沃浦光电传感科技有限公司总投资超过5000万人民币，拥有800㎡的超净车间和一条全进口的III-V族生产线，主要开展研发、生产和销售量子阱(QWIP)等红外光电核心器件业务。
量子阱红外焦平面技术(QWIP)是20世纪90年代发展起来的高新技术，与其他红外技术相比，QWIP具备响应速度快，均匀性好，易制成多色大面阵阵列，且探测波长可通过量子阱参数的调整加以控制等优点，是目前第三代红外焦平面的主流技术之一。
量子阱红外焦平面芯片(QWIP)是制冷型红外探测系统中技术含量最高的核心器件，该技术一直为美国、法国、瑞典等少数几个国家垄断。此前，国内除了国营的科研院所拥有部分用于军事国防的红外技术储备之外，其余所需红外探测产品均从国外进口，因此成本很高，每片制冷型红外焦平面芯片售价都在10000美金以上，这严重阻碍了国内红外探测技术在各行业的发展和应用。
此次无锡沃浦光电的量子阱红外焦平面芯片的研制成功，填补国内量子阱产业化领域的空白，同时降低该类产品在国内各领域应用的成本，在替代进口产品方面具有重要价值。这也标志着民营企业在红外核心器件的制备技术方面实现了巨大跨越。
下附QWIP芯片的成像照片及部分参数
像元数：320×256
像元间距：30μm
像元有效率：＞99.8%
NETD：≤25 mK
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近日，位于江苏无锡的沃浦光电传感科技有限公司成功研制出320×256像元的量子阱红外焦平面芯片，并成功完成小批量试制。首批小批量产品经过实验室的相关测试，其测试结果令人振奋，产品主要技术参数均已达到并超越国际同类产品。
据悉，无锡沃浦光电传感科技有限公司总投资超过5000万人民币，拥有800㎡的超净车间和一条全进口的III-V族生产线，主要开展研发、生产和销售量子阱(QWIP)等红外光电核心器件业务。
量子阱红外焦平面技术(QWIP)是20世纪90年代发展起来的高新技术，与其他红外技术相比，QWIP具备响应速度快，均匀性好，易制成多色大面阵阵列，且探测波长可通过量子阱参数的调整加以控制等优点，是目前第三代红外焦平面的主流技术之一。
量子阱红外焦平面芯片(QWIP)是制冷型红外探测系统中技术含量最高的核心器件，该技术一直为美国、法国、瑞典等少数几个国家垄断。此前，国内除了国营的科研院所拥有部分用于军事国防的红外技术储备之外，其余所需红外探测产品均从国外进口，因此成本很高，每片制冷型红外焦平面芯片售价都在10000美金以上，这严重阻碍了国内红外探测技术在各行业的发展和应用。
此次无锡沃浦光电的量子阱红外焦平面芯片的研制成功，填补国内量子阱产业化领域的空白，同时降低该类产品在国内各领域应用的成本，在替代进口产品方面具有重要价值。这也标志着民营企业在红外核心器件的制备技术方面实现了巨大跨越。
下附QWIP芯片的成像照片及部分参数
像元数：320×256
像元间距：30μm
像元有效率：＞99.8%
NETD：≤25 mK
近日，位于江苏无锡的沃浦光电传感科技有限公司成功研制出320×256像元的量子阱红外焦平面芯片，并成功完成小批量试制。首批小批量产品经过实验室的相关测试，其测试结果令人振奋，产品主要技术参数均已达到并超越国际同类产品。
据悉，无锡沃浦光电传感科技有限公司总投资超过5000万人民币，拥有800㎡的超净车间和一条全进口的III-V族生产线，主要开展研发、生产和销售量子阱(QWIP)等红外光电核心器件业务。
量子阱红外焦平面技术(QWIP)是20世纪90年代发展起来的高新技术，与其他红外技术相比，QWIP具备响应速度快，均匀性好，易制成多色大面阵阵列，且探测波长可通过量子阱参数的调整加以控制等优点，是目前第三代红外焦平面的主流技术之一。
量子阱红外焦平面芯片(QWIP)是制冷型红外探测系统中技术含量最高的核心器件，该技术一直为美国、法国、瑞典等少数几个国家垄断。此前，国内除了国营的科研院所拥有部分用于军事国防的红外技术储备之外，其余所需红外探测产品均从国外进口，因此成本很高，每片制冷型红外焦平面芯片售价都在10000美金以上，这严重阻碍了国内红外探测技术在各行业的发展和应用。
此次无锡沃浦光电的量子阱红外焦平面芯片的研制成功，填补国内量子阱产业化领域的空白，同时降低该类产品在国内各领域应用的成本，在替代进口产品方面具有重要价值。这也标志着民营企业在红外核心器件的制备技术方面实现了巨大跨越。
下附QWIP芯片的成像照片及部分参数
像元数：320×256
像元间距：30μm
像元有效率：＞99.8%
NETD：≤25 mK
头发眉毛温度高？那不是容易散热，这人类肿么进化滴
一条全进口的III-V族生产线
进口生产线上生产出来的产品也算自主研发?
进口生产线上生产出来的产品也算自主研发?
一条全进口的III-V族生产线
进口生产线上生产出来的产品也算自主研发?
可以算的，并非所有一切是国产
进口生产线上生产出来的产品也算自主研发?
可以算的，并非所有一切是国产
国外FLIR公司已经快批产QDIP芯片了，QDIP批产那天就是QWIP大卖的那天，所以国内公司在QWIP这块要抓紧时间了，民营企业可以买国产芯片先从医疗和工控产品切入市场。
国内方面中电集团十三所和中科院上海所的理论实力最强，热成像仪整机方面现在广州飒特、高德、大立都不错，如果国产芯片能够工程化批量投入生产，那么有条件替代进口。
国内方面中电集团十三所和中科院上海所的理论实力最强，热成像仪整机方面现在广州飒特、高德、大立都不错，如果国产芯片能够工程化批量投入生产，那么有条件替代进口。
http://www.ofweek.com/print/PrintNews.do?detailid=23854001
量子点允许垂直入射成像
作者：John Wallace 译者：蒙红云
量子井红外光电探测器（QWIP）用来作为焦平面阵列（FPA）相机元件，FPA相机用来获取中波和长波红外图像。除了在军事方面的价值，基于量子QWIP的FPA在微光摄像电视中也有应用价值。但是，由于垂直入射的光不能进行光学转换，因此QWIP几乎不吸收垂直入射的光。可以利用光栅或者其他方法避免这个问题，但是附加元件增加了成本。
一个克服QWIP缺点的可选方法就是量子点红外探测器（QDIP），这种探测器可以吸收垂直入射的光。目前，由西北大学（Evanston，IL）、 空气动力研究实验室（Wright-Patterson AFB，OH）和导弹防御处（Washington，D.C.）等三个部门组成的小组已经开始开发和试验第一代QDIP FPA。
利用低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，他们开发出了一块256X256像素的砷化镓铟（InGaAs）量子点FPA。这块FPA 以磷化镓铟（InGaP）为基片，像素材料是用砷化镓（GaAs）。采用倒装芯片技术，裸片与读出芯片上装在一起，直到它们之间的空隙被填满，GaAs衬底的厚度只有30μm 。
西北大学科学家Manijeh Razeghi说：“FPA开发过程的最大困难就是如何实现低的等噪声温度差分（NEFT，或者NEDT），这是红外PFA的最重要参数。QDIP FPA的开发是一个相当艰难的过程。它涉及到许多技术，比如MOCVD外延技术、照相平版技术、等离子体蚀刻术、倒装芯片技术等等。对QDIP FPA的开发来说，要实现比较小的NEDT，高密度和高均匀性自组装量子点是关键。”
在 300K环境温度下，以53Hz的帧速率，利用一个f/2.3成像镜头对QDIP FPA进行了测试。通过处理90%的像素，得到了很好的图像，如图所示。光响应的峰值在4.7μm 波长位置，在5.2μm 波长处截止。理论估计NEDT值是87mK，但是实际结果是509mK，这种差异可能是像素不均匀引起的。10%没有处理的像素从非常薄（2μm ）的铟肿块（在覆晶接合时用到）中显现出来，对读出单元导致一些非常弱的连接。当偏压为-1.6V时，注入电流效率接近90%。
除了由量子点3-D幽禁效应产生的垂直入射作用的优点之外，QDIP与QWIP相比，在原型方面的优点也是相当明显的。据Razeghi介绍，性能相当的QWIP只能在低于67K环境温度下运行，而即使在120K温度下，QDIP FPA原型成像的效果也相当好。
Razeghi介绍说：“目前，大部分红外FPA是利用QWIP或者碲镉汞（MCT）内置光电探测器。由于MCT材料的原因，很难得到高均匀 MCT探测器阵列，所以基于MCT的FPA价格昂贵，成品率低。”Razeghi还指出，除了QWIP的垂直入射问题，QWIP和MCT FPA都不适合在高温环境下运行。她补充到:“通过进一步研究开发，期望在比较高的温度条件下其性能可以与MCT或者QWIP FPA相当，或者比QDIP FPA更好！”。
（编辑：小曾）
量子点允许垂直入射成像
作者：John Wallace 译者：蒙红云
量子井红外光电探测器（QWIP）用来作为焦平面阵列（FPA）相机元件，FPA相机用来获取中波和长波红外图像。除了在军事方面的价值，基于量子QWIP的FPA在微光摄像电视中也有应用价值。但是，由于垂直入射的光不能进行光学转换，因此QWIP几乎不吸收垂直入射的光。可以利用光栅或者其他方法避免这个问题，但是附加元件增加了成本。
一个克服QWIP缺点的可选方法就是量子点红外探测器（QDIP），这种探测器可以吸收垂直入射的光。目前，由西北大学（Evanston，IL）、 空气动力研究实验室（Wright-Patterson AFB，OH）和导弹防御处（Washington，D.C.）等三个部门组成的小组已经开始开发和试验第一代QDIP FPA。
利用低压金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法，他们开发出了一块256X256像素的砷化镓铟（InGaAs）量子点FPA。这块FPA 以磷化镓铟（InGaP）为基片，像素材料是用砷化镓（GaAs）。采用倒装芯片技术，裸片与读出芯片上装在一起，直到它们之间的空隙被填满，GaAs衬底的厚度只有30μm 。
西北大学科学家Manijeh Razeghi说：“FPA开发过程的最大困难就是如何实现低的等噪声温度差分（NEFT，或者NEDT），这是红外PFA的最重要参数。QDIP FPA的开发是一个相当艰难的过程。它涉及到许多技术，比如MOCVD外延技术、照相平版技术、等离子体蚀刻术、倒装芯片技术等等。对QDIP FPA的开发来说，要实现比较小的NEDT，高密度和高均匀性自组装量子点是关键。”
在 300K环境温度下，以53Hz的帧速率，利用一个f/2.3成像镜头对QDIP FPA进行了测试。通过处理90%的像素，得到了很好的图像，如图所示。光响应的峰值在4.7μm 波长位置，在5.2μm 波长处截止。理论估计NEDT值是87mK，但是实际结果是509mK，这种差异可能是像素不均匀引起的。10%没有处理的像素从非常薄（2μm ）的铟肿块（在覆晶接合时用到）中显现出来，对读出单元导致一些非常弱的连接。当偏压为-1.6V时，注入电流效率接近90%。
除了由量子点3-D幽禁效应产生的垂直入射作用的优点之外，QDIP与QWIP相比，在原型方面的优点也是相当明显的。据Razeghi介绍，性能相当的QWIP只能在低于67K环境温度下运行，而即使在120K温度下，QDIP FPA原型成像的效果也相当好。
Razeghi介绍说：“目前，大部分红外FPA是利用QWIP或者碲镉汞（MCT）内置光电探测器。由于MCT材料的原因，很难得到高均匀 MCT探测器阵列，所以基于MCT的FPA价格昂贵，成品率低。”Razeghi还指出，除了QWIP的垂直入射问题，QWIP和MCT FPA都不适合在高温环境下运行。她补充到:“通过进一步研究开发，期望在比较高的温度条件下其性能可以与MCT或者QWIP FPA相当，或者比QDIP FPA更好！”。
（编辑：小曾）
这个公司我去过，蛮小的。呵呵。化合物半导体
制冷型的这个参数还可以，记得前一段看的大立，高德，广微，睿创都有国产的了，非制冷的也做的很好了
大家好，我是无锡沃浦光电传感科技有限公司市场部的孙际德，如果大家对公司的QWIP产品有兴趣的话，可以与我交流，Email：jdsun@wopuopto.com, 手机：13771079546.
我所知道的是大立科技一直在做这个阿
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