超级军网以后有可能会用砷化镓做cpu吗？
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 14:10:30
现在cpu的制程快到顶，估计以后还是要找到提高频率这条路上来，到时会用砷化镓吗？石墨烯什么得感觉不靠谱现在cpu的制程快到顶，估计以后还是要找到提高频率这条路上来，到时会用砷化镓吗？石墨烯什么得感觉不靠谱
特殊cpu肯定有，大众普通消费品很难，主要是成本问题。
石墨烯和硫化钼最有可能应用在10nm以下制程。其中硫化钼已经在实验室中制出集成电路。
3D封装是趋势，平面上难以缩微的情况下，会往立体发展，这样，晶体管数量依然会翻倍往上走很多年。
石墨烯和硫化钼最有可能应用在10nm以下制程。其中硫化钼已经在实验室中制出集成电路。
3D封装是趋势，平面上难以缩微的情况下，会往立体发展，这样，晶体管数量依然会翻倍往上走很多年。
沙特嫌我长的帅 发表于 2013-9-11 18:50
特殊cpu肯定有，大众普通消费品很难，主要是成本问题。
石墨烯和硫化钼最有可能应用在10nm以下制程。其 ...
石墨烯真心觉得不靠谱，3d封装，散热会不会有问题呢？
特殊cpu肯定有，大众普通消费品很难，主要是成本问题。
石墨烯和硫化钼最有可能应用在10nm以下制程。其 ...
石墨烯真心觉得不靠谱，3d封装，散热会不会有问题呢？
化合物半导体具有高电子迁移率的特性，适合做功率射频器件，
3d封装满足不了相对高性能的核心互连要求
3d封装满足不了相对高性能的核心互连要求
说反了吧。3D封装能提供额外连线资源，对互连有利。但散热没解决，不利于提高主频。
说反了吧。3D封装能提供额外连线资源，对互连有利。但散热没解决，不利于提高主频。
水果派派88 发表于 2013-9-12 16:41
说反了吧。3D封装能提供额外连线资源，对互连有利。但散热没解决，不利于提高主频。
前面没说清楚，满足不了核心内部逻辑的关键互联要求，核心之间互联靠封装引线，性能快不起来，只是看着像一块芯片罢了
说反了吧。3D封装能提供额外连线资源，对互连有利。但散热没解决，不利于提高主频。
前面没说清楚，满足不了核心内部逻辑的关键互联要求，核心之间互联靠封装引线，性能快不起来，只是看着像一块芯片罢了
前面没说清楚，满足不了核心内部逻辑的关键互联要求，核心之间互联靠封装引线，性能快不起来，只是看着像 ...
对多核以及SoC非常有利。
对多核以及SoC非常有利。
石墨烯真心觉得不靠谱，3d封装，散热会不会有问题呢？
石墨烯替代硅是因为他的物理特性，不是因为现在面临多少困难。
不过石墨烯不是天然的半导体，比起硫化钼来，困难自然是要更多些。问题没有解决之前，风险自然是要冒的，领先领域的研究，这些不可避免。
石墨烯替代硅是因为他的物理特性，不是因为现在面临多少困难。
不过石墨烯不是天然的半导体，比起硫化钼来，困难自然是要更多些。问题没有解决之前，风险自然是要冒的，领先领域的研究，这些不可避免。
砷化镓好像当年CRAY用过。。。。。
砷化镓过时了，现在应该会用氮化镓做芯片。。
砷化镓过时了，现在应该会用氮化镓做芯片。。
氮化镓更贵。。。
沙特嫌我长的帅 发表于 2013-9-12 20:58
对多核以及SoC非常有利。
依靠封装的那是伪多核吧
对多核以及SoC非常有利。
依靠封装的那是伪多核吧
石墨烯的热功耗很低，散热不是问题
依靠封装的那是伪多核吧
真多核和伪多核看的是能否同步工作，比如三星s4那个伪八核，俗称胶水多核。3d封装后的多核能做到同步，关键看架构。
真多核和伪多核看的是能否同步工作，比如三星s4那个伪八核，俗称胶水多核。3d封装后的多核能做到同步，关键看架构。
石墨烯肯定不靠谱，
目前应该是走more than moore的路
目前应该是走more than moore的路
石墨烯是未来。。。。。
据说理论截止频率可以到10THZ。。。。。
意味着可以做实际达到1-3THZ的超高频CPU。。。。。
据说理论截止频率可以到10THZ。。。。。
意味着可以做实际达到1-3THZ的超高频CPU。。。。。
沙特嫌我长的帅 发表于 2013-9-17 10:56
真多核和伪多核看的是能否同步工作，比如三星s4那个伪八核，俗称胶水多核。3d封装后的多核能做到同步，关 ...
真是无语。。胶水多核也比3d封装多核强...起码是同一个die上的互连
真多核和伪多核看的是能否同步工作，比如三星s4那个伪八核，俗称胶水多核。3d封装后的多核能做到同步，关 ...
真是无语。。胶水多核也比3d封装多核强...起码是同一个die上的互连
三五的材料太贵了，现在光子集成这块都在往硅上做，因为硅便宜啊
低调做人 发表于 2013-9-17 22:52
真是无语。。胶水多核也比3d封装多核强...起码是同一个die上的互连
首先，在同主频的情况下，就以三星那个4+4伪八核来举例，它由4个A15和4个A7组成，当A15工作时，A7闲置。这就意味着，这款芯片的最大性能，就是4个A15同时运行时的性能。那么很显然，任何一款能与4个A15同时运行的芯片，性能都会比它强。
其次，你居然认为二维Die下的芯片，比3D封装的快。看几个图
![]()
AMD四核皓龙，每个核心间的距离，单位是mm。
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每一层间的距离，单位是um。
3D封装可以使得cpu核之间，以及cpu与寄存器之间的通信距离大大缩短，起码在200倍，假如材料和频率相同，速度将大大提高。
真是无语。。胶水多核也比3d封装多核强...起码是同一个die上的互连
首先，在同主频的情况下，就以三星那个4+4伪八核来举例，它由4个A15和4个A7组成，当A15工作时，A7闲置。这就意味着，这款芯片的最大性能，就是4个A15同时运行时的性能。那么很显然，任何一款能与4个A15同时运行的芯片，性能都会比它强。
其次，你居然认为二维Die下的芯片，比3D封装的快。看几个图
AMD四核皓龙，每个核心间的距离，单位是mm。
每一层间的距离，单位是um。
3D封装可以使得cpu核之间，以及cpu与寄存器之间的通信距离大大缩短，起码在200倍，假如材料和频率相同，速度将大大提高。
3D IC是未来的方向，如何在立体空间上布局各种模块，复杂度远超现有二维结构，到时才是最考验各IC设计公司的时候。
石墨烯的二维单原子层特性，超高的电子迁移率，非常高的热导率，使得它成为现在发现的最好半导体材料，而且原料充足，暂时的昂贵只是因为工艺不成熟，就跟当年的铝一样；而镓的昂贵，是本身地球储量就不多。
现在虽然离实用还很远，面临的困难非常多，但在理论物理的推理中都是能解决的，只是时间问题。这也是国内高校和研究所拼命搞石墨烯的原因，不是瞎起哄追热点，是有理论支撑的，参与的单位多了，总能撞出几个来。
石墨烯的二维单原子层特性，超高的电子迁移率，非常高的热导率，使得它成为现在发现的最好半导体材料，而且原料充足，暂时的昂贵只是因为工艺不成熟，就跟当年的铝一样；而镓的昂贵，是本身地球储量就不多。
现在虽然离实用还很远，面临的困难非常多，但在理论物理的推理中都是能解决的，只是时间问题。这也是国内高校和研究所拼命搞石墨烯的原因，不是瞎起哄追热点，是有理论支撑的，参与的单位多了，总能撞出几个来。