超级军网[讨论]关于国内砷化钾大规模集成电路水平及用途
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/30 18:43:59
<P> 根据可靠消息，南京14研究所（地球人都知道他们干什么！）通过某种渠道获得国外二手0。25微米工艺，6英寸砷化钾芯片生产线，据称生产军工微波芯片，现在试产，请高手指点。该芯片用于何处？根据，了解其实该水平在国际上已经算可以。可以推断出我国微波组件和先进水平的差距多少？鬼子的F2JJ上的雷达的砷化钾大规模集成电路是什么水平？</P><P> 根据可靠消息，南京14研究所（地球人都知道他们干什么！）通过某种渠道获得国外二手0。25微米工艺，6英寸砷化钾芯片生产线，据称生产军工微波芯片，现在试产，请高手指点。该芯片用于何处？根据，了解其实该水平在国际上已经算可以。可以推断出我国微波组件和先进水平的差距多少？鬼子的F2JJ上的雷达的砷化钾大规模集成电路是什么水平？</P>
是砷化镓 不是钾 ~
<P>当然是T-R组件了</P>
我是做IC材料的，不过对T-R组件不是很了解，不过可惜他们还在试产阶段，不久的将来，呵呵------
砷化镓集成电路
用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。
用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。
但是成品率低，尤其在国内极不专业的管理下，每次model都不一样。
<P>楼上所说就是为什么还在试产阶段的原因了：）</P><P>且，14所因此可是获得了大量资金的哦：）</P>
<P>不是做大规模集成电路的啊？我们的华心设计出来还要台湾加工，郁闷</P>
<B>以下是引用<I>落单的</I>在2004-11-19 14:34:00的发言：</B>
<P>楼上所说就是为什么还在试产阶段的原因了：）</P>
<P>且，14所因此可是获得了大量资金的哦：）</P>
<P>
<P>谣传而已，13所的HBT,55所的HBT都一样，根本无法量产。好不容易培养出几个牛人，全走了。为什么？管他们的人全是门外汉＋饭桶。</P>
<P>14所真正干活的，哪个不骂娘！这就是事实。</P>
<P>嘿嘿，诸位兄弟。看样子我的砖还是抛对了，着就是我喜欢CD的原因啊！！哈哈</P><P>由于14所目前已经是我相控阵雷达的主要研制单位，-------四代机的雷达研制也靠他们了哦！不过，相信很快我们T-R组件的成本问题！！！嘿嘿时间吧！小可单位也有幸为他们提供光致抗蚀剂，用于刻线工艺实验。可惜我不懂电子，不然可以多弄点大家分析！</P><P>[em04]</P><P>另外 由于我国的任务计算机也达到国际90末水平了！可惜零件 有了就是不能很好 的整合！时间问题 啊！经验问题啊！反正就是问题多！要是都象大预一样逼他们就好了！可惜！</P>[em06][em06][em06]
看了楼上几位的发言很是郁闷呀
607所也在奋斗中呢！
<B>以下是引用<I>pupu</I>在2004-11-20 23:17:00的发言：</B>
607所也在奋斗中呢！
个人更看好607，原电子部的企业好的实在不多。
<P>好</P>
砷化镓在物理性能上的确比硅要好，但现在的问题还是成品率低，成本高
oukkjkj
关键时生产管理，不然良品率太低了也没用
<B>以下是引用<I>丝路花雨</I>在2004-11-19 5:09:00的发言：</B>
砷化镓集成电路
用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。
U是做前端还是后端的？[em06]