东芝已经发布19nm工艺NAND,SMIC能赶上世界先进水平吗?
来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/28 06:50:20
日本东芝公司于周四对外宣布,该公司已经完成了19nmNAND闪存生产工艺的开发工作,该公司计划将会在首款64Gb (8GB)闪存产品上使用该项技术。根据计划,东芝公司将会在今年三季度正式商业化投产19nm节点技术。
19nmNAND闪存生产工艺是目前世界上最先进的生产工艺,而目前只有Intel Micron Flash Technologies (IMFT)在不久前推出的20nm工艺方可与其竞争。这项技术目前已经在2-bit-per-cell 64Gb芯片上得到应用。东芝公司同样会将19nm技术引入到3-bit-per-cell (3bpc)产品。
19nm工艺的使用将会进一步减小芯片的尺寸,从而可以使得东芝公司能够将16颗64Gbit NAND闪存进行单一封装,从而带来128G的存储空间,这样将可以更好得满足当前智能手机和平板电脑日益高涨的存储空间的需求。另外基于19nm工艺的产品同样会支持Toggle DDR2.0技术,从而可以带来更高的数据传输速率。
首批2-bit-per-cell 64Gb芯片样品将会于本月底推出,而量产则定在了今年三季度。
http://www.inpai.com.cn/doc/hard/147562.htm
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日本东芝公司于周四对外宣布,该公司已经完成了19nmNAND闪存生产工艺的开发工作,该公司计划将会在首款64Gb (8GB)闪存产品上使用该项技术。根据计划,东芝公司将会在今年三季度正式商业化投产19nm节点技术。
19nmNAND闪存生产工艺是目前世界上最先进的生产工艺,而目前只有Intel Micron Flash Technologies (IMFT)在不久前推出的20nm工艺方可与其竞争。这项技术目前已经在2-bit-per-cell 64Gb芯片上得到应用。东芝公司同样会将19nm技术引入到3-bit-per-cell (3bpc)产品。
19nm工艺的使用将会进一步减小芯片的尺寸,从而可以使得东芝公司能够将16颗64Gbit NAND闪存进行单一封装,从而带来128G的存储空间,这样将可以更好得满足当前智能手机和平板电脑日益高涨的存储空间的需求。另外基于19nm工艺的产品同样会支持Toggle DDR2.0技术,从而可以带来更高的数据传输速率。
首批2-bit-per-cell 64Gb芯片样品将会于本月底推出,而量产则定在了今年三季度。
http://www.inpai.com.cn/doc/hard/147562.htm
这个logic的产品memory NAND FLASH还是不能比的,比如你现在用.13的8吋晶圆做logic依然可以赚钱的,但是.13的DRAM NAND FLASH可就亏钱了。。
另外SMIC现在可以量产的最先进制程大概是55纳米。。40纳米以下正在开发。。
另外SMIC现在可以量产的最先进制程大概是55纳米。。40纳米以下正在开发。。
这个logic的产品memory NAND FLASH还是不能比的,比如你现在用.13的8吋晶圆做logic依然可以赚钱的,但是.13 ...
gnome2130 发表于 2011-4-22 19:53
我一直在关注中芯国际,
其他的大陆芯片公司工艺太落后了,
还在用10年前的工艺,不能指望。
我在一些论坛上看了一些中芯的情况,
他们有自己的研发团队,能自行开发新工艺,
只要国家投入资金,要追赶国际先进水平也不是不可能。
集成电路和飞机发动机一样重要,
现在国家加大投入还来得及,
不要等到和外国差距拉大几十年再后悔。
PS:我觉得中国应该学习欧盟保护自己的产业,
中国市场这么大,比韩国(三星)当年起步的条件好多了,
半导体市场白白让给外国企业太可惜了。
这个logic的产品memory NAND FLASH还是不能比的,比如你现在用.13的8吋晶圆做logic依然可以赚钱的,但是.13 ...
gnome2130 发表于 2011-4-22 19:53
我一直在关注中芯国际,
其他的大陆芯片公司工艺太落后了,
还在用10年前的工艺,不能指望。
我在一些论坛上看了一些中芯的情况,
他们有自己的研发团队,能自行开发新工艺,
只要国家投入资金,要追赶国际先进水平也不是不可能。
集成电路和飞机发动机一样重要,
现在国家加大投入还来得及,
不要等到和外国差距拉大几十年再后悔。
PS:我觉得中国应该学习欧盟保护自己的产业,
中国市场这么大,比韩国(三星)当年起步的条件好多了,
半导体市场白白让给外国企业太可惜了。
19nm的3bitMLC,我的天,这可擦写次数估计不会超过500次,NAND flash快发展到尽头了。
lilun0080 发表于 2011-4-23 00:29
128G啊,擦写500次也够了,128G*500=50T的写入总量啊。
128G啊,擦写500次也够了,128G*500=50T的写入总量啊。
所以是快到头了,而不是已经到头了,随着工艺继续萎缩,这个次数还会继续下降的。
请教为什么尺寸小了可擦写次数也少了
FLASH这东西的原理是在一个栅极里面存电荷来记录数据的,工艺进步后,那玩意越来越薄,擦来擦去的,这个是栅极更容易挂掉了。具体的你可以去找找相关文档。
外行表示一点不懂,觉得好像很厉害的样子~~~
newdc 发表于 2011-4-26 22:24
这是均衡磨损的情况,而这一点并不总能被保证。
这是均衡磨损的情况,而这一点并不总能被保证。
实力很强,市场战略不好。
这块是最BKC的,我在这块里,深有体会,太深刻了
SMIC的开发人员就是韩国人,本土的别指望了
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