Intel发明3D晶体管技术 22nm工艺采用
来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/29 10:11:00
http://www.pcpop.com/doc/0/658/658587.shtml
2011年05月05日 09:12 泡泡网 【编译】 作者:张伟(实习) 编辑:张伟(实习)
在本页阅读全文(共6页)
泡泡网CPU频道5月5日 Intel宣布在微处理器晶体管设计上取得了一项重大的突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,Intel将其命名Tri-Gate。
其实早在2002年Intel即发现了这一技术,现在Intel把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
3D Tri-Gate晶体管架构将取代现有的2D架构,不仅仅在CPU领域,手机和消费电子等都将应用这一技术。
有效提高单位面积晶体管的数量
Intel3D Tri-Gate晶体管机构技术的实现,使得单位面积内的晶体管数量得到极大的提高,以往芯片受限于面积限制而无法设计更高性能的产品将不会存在了。
3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。
这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。
显著提升供电效率,降低能耗
全新的3D Tri-Gate能够提供同等性能的同时,功耗降低一半。新的接口极大的减少了漏电率。阈值电压可以得到极大的降低。
晶体管工作在更低的电压下,功耗也会得到显著下降,而我们关心的处理器的工作频率也会得到相应的提高。
相比现在的32nm制程,处理器电压可降低0.2V。
即使在同等电压下,新的22nm 3D Tri-Gate晶体管架构性能也可提升37%。
加速移动处理芯片的步伐
我们知道移动芯片严重的依赖功耗和体积,Intel 3D Tri-Gate将会在未来应用到这一领域。
相对于传统的2D晶体管结构,晶体管的数量将得到极大提高,我们印象中的嵌入式芯片的性能将媲美传统处理器。而移动设备的续航时间也会随着芯片功耗的降低得到提高。 在新的3D Tri-Gate晶体管架构的带动下,移动设备将迎来新的黄金发展时期,技术的更新速度将明显加快,同时将会有越来越多的产品面世,届时整个行业将会出现欣欣向荣的局面。
延续摩尔定律
平面晶体管数量的提升只能纯粹的依靠新的工艺,3D Tri-Gate技术的引入,晶体管数量提升就变得非常容易了,摩尔定律将会依旧成立。
从Intel这份路线图上面我们可以看到不仅仅是22nm,更新的14nm,10nm技术也在不久的未来推出。
之前单鳍片晶体管、多鳍片晶体管、三栅极SRAM单元、三栅极后栅极(RMG)终于摆脱实验,步入了真实轨道, Intel可将这一技术用于大批量的微处理器芯片生产流水线,有效提高产品质量和降低成本。
“晶体管将变得更小、更便宜也更加高效”,摩尔定律也有望迎来新的发展篇章。
3D Tri-Gate试水Ivy Bridge
按照Intel的规划,Ivy Bridge芯片将首次使用这一技术,之前我们关于Ivy Bridge介绍时提到芯片的架构改变不大。而现在Intel给Ivy Bridge注入3D Tri-Gate这一元素后,相信我们认识的22nm版本“Sandy Bridge”将会获得质的飞跃。
22nm 3D Tri-Gate成功的实现了性能的飞跃,同时功耗也得到极大降低,在晶体管关闭状态将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。
22nm的3D Tri-Gate晶体管立体结构在单位面积承载更多的晶体管数量,助Ivy Bridge晶体管数量成功突破10亿。
伴随处理性能提升,显示性能的增强,22nm Ivy Bridge无疑会成为Intel的划时代意义的产品,我们将拭目以待。■http://www.pcpop.com/doc/0/658/658587.shtml
2011年05月05日 09:12 泡泡网 【编译】 作者:张伟(实习) 编辑:张伟(实习)
在本页阅读全文(共6页)
泡泡网CPU频道5月5日 Intel宣布在微处理器晶体管设计上取得了一项重大的突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,Intel将其命名Tri-Gate。
其实早在2002年Intel即发现了这一技术,现在Intel把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
3D Tri-Gate晶体管架构将取代现有的2D架构,不仅仅在CPU领域,手机和消费电子等都将应用这一技术。
有效提高单位面积晶体管的数量
Intel3D Tri-Gate晶体管机构技术的实现,使得单位面积内的晶体管数量得到极大的提高,以往芯片受限于面积限制而无法设计更高性能的产品将不会存在了。
3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。
这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。
显著提升供电效率,降低能耗
全新的3D Tri-Gate能够提供同等性能的同时,功耗降低一半。新的接口极大的减少了漏电率。阈值电压可以得到极大的降低。
晶体管工作在更低的电压下,功耗也会得到显著下降,而我们关心的处理器的工作频率也会得到相应的提高。
相比现在的32nm制程,处理器电压可降低0.2V。
即使在同等电压下,新的22nm 3D Tri-Gate晶体管架构性能也可提升37%。
加速移动处理芯片的步伐
我们知道移动芯片严重的依赖功耗和体积,Intel 3D Tri-Gate将会在未来应用到这一领域。
相对于传统的2D晶体管结构,晶体管的数量将得到极大提高,我们印象中的嵌入式芯片的性能将媲美传统处理器。而移动设备的续航时间也会随着芯片功耗的降低得到提高。 在新的3D Tri-Gate晶体管架构的带动下,移动设备将迎来新的黄金发展时期,技术的更新速度将明显加快,同时将会有越来越多的产品面世,届时整个行业将会出现欣欣向荣的局面。
延续摩尔定律
平面晶体管数量的提升只能纯粹的依靠新的工艺,3D Tri-Gate技术的引入,晶体管数量提升就变得非常容易了,摩尔定律将会依旧成立。
从Intel这份路线图上面我们可以看到不仅仅是22nm,更新的14nm,10nm技术也在不久的未来推出。
之前单鳍片晶体管、多鳍片晶体管、三栅极SRAM单元、三栅极后栅极(RMG)终于摆脱实验,步入了真实轨道, Intel可将这一技术用于大批量的微处理器芯片生产流水线,有效提高产品质量和降低成本。
“晶体管将变得更小、更便宜也更加高效”,摩尔定律也有望迎来新的发展篇章。
3D Tri-Gate试水Ivy Bridge
按照Intel的规划,Ivy Bridge芯片将首次使用这一技术,之前我们关于Ivy Bridge介绍时提到芯片的架构改变不大。而现在Intel给Ivy Bridge注入3D Tri-Gate这一元素后,相信我们认识的22nm版本“Sandy Bridge”将会获得质的飞跃。
22nm 3D Tri-Gate成功的实现了性能的飞跃,同时功耗也得到极大降低,在晶体管关闭状态将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。
22nm的3D Tri-Gate晶体管立体结构在单位面积承载更多的晶体管数量,助Ivy Bridge晶体管数量成功突破10亿。
伴随处理性能提升,显示性能的增强,22nm Ivy Bridge无疑会成为Intel的划时代意义的产品,我们将拭目以待。■
2011年05月05日 09:12 泡泡网 【编译】 作者:张伟(实习) 编辑:张伟(实习)
在本页阅读全文(共6页)
泡泡网CPU频道5月5日 Intel宣布在微处理器晶体管设计上取得了一项重大的突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,Intel将其命名Tri-Gate。
32nm二维晶体管与22nm三维晶体管对比
其实早在2002年Intel即发现了这一技术,现在Intel把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
3D Tri-Gate晶体管架构将取代现有的2D架构,不仅仅在CPU领域,手机和消费电子等都将应用这一技术。
有效提高单位面积晶体管的数量
Intel3D Tri-Gate晶体管机构技术的实现,使得单位面积内的晶体管数量得到极大的提高,以往芯片受限于面积限制而无法设计更高性能的产品将不会存在了。
22nm 3D Tri-Gate晶体管模型图
3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。
3D Tri-Gate晶体管结构的优势
这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。
显著提升供电效率,降低能耗
全新的3D Tri-Gate能够提供同等性能的同时,功耗降低一半。新的接口极大的减少了漏电率。阈值电压可以得到极大的降低。
晶体管工作在更低的电压下,功耗也会得到显著下降,而我们关心的处理器的工作频率也会得到相应的提高。
电压降低0.2V
相比现在的32nm制程,处理器电压可降低0.2V。
即使在同等电压下,新的22nm 3D Tri-Gate晶体管架构性能也可提升37%。
加速移动处理芯片的步伐
我们知道移动芯片严重的依赖功耗和体积,Intel 3D Tri-Gate将会在未来应用到这一领域。
相对于传统的2D晶体管结构,晶体管的数量将得到极大提高,我们印象中的嵌入式芯片的性能将媲美传统处理器。而移动设备的续航时间也会随着芯片功耗的降低得到提高。 在新的3D Tri-Gate晶体管架构的带动下,移动设备将迎来新的黄金发展时期,技术的更新速度将明显加快,同时将会有越来越多的产品面世,届时整个行业将会出现欣欣向荣的局面。
延续摩尔定律
平面晶体管数量的提升只能纯粹的依靠新的工艺,3D Tri-Gate技术的引入,晶体管数量提升就变得非常容易了,摩尔定律将会依旧成立。
从Intel这份路线图上面我们可以看到不仅仅是22nm,更新的14nm,10nm技术也在不久的未来推出。
Tick-Tock成功延伸
之前单鳍片晶体管、多鳍片晶体管、三栅极SRAM单元、三栅极后栅极(RMG)终于摆脱实验,步入了真实轨道, Intel可将这一技术用于大批量的微处理器芯片生产流水线,有效提高产品质量和降低成本。
“晶体管将变得更小、更便宜也更加高效”,摩尔定律也有望迎来新的发展篇章。
3D Tri-Gate试水Ivy Bridge
按照Intel的规划,Ivy Bridge芯片将首次使用这一技术,之前我们关于Ivy Bridge介绍时提到芯片的架构改变不大。而现在Intel给Ivy Bridge注入3D Tri-Gate这一元素后,相信我们认识的22nm版本“Sandy Bridge”将会获得质的飞跃。
22nm 3D Tri-Gate成功的实现了性能的飞跃,同时功耗也得到极大降低,在晶体管关闭状态将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。
22nm的3D Tri-Gate晶体管立体结构在单位面积承载更多的晶体管数量,助Ivy Bridge晶体管数量成功突破10亿。
伴随处理性能提升,显示性能的增强,22nm Ivy Bridge无疑会成为Intel的划时代意义的产品,我们将拭目以待。■http://www.pcpop.com/doc/0/658/658587.shtml
2011年05月05日 09:12 泡泡网 【编译】 作者:张伟(实习) 编辑:张伟(实习)
在本页阅读全文(共6页)
泡泡网CPU频道5月5日 Intel宣布在微处理器晶体管设计上取得了一项重大的突破,沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构,Intel将其命名Tri-Gate。
32nm二维晶体管与22nm三维晶体管对比
其实早在2002年Intel即发现了这一技术,现在Intel把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片,Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
3D Tri-Gate晶体管架构将取代现有的2D架构,不仅仅在CPU领域,手机和消费电子等都将应用这一技术。
有效提高单位面积晶体管的数量
Intel3D Tri-Gate晶体管机构技术的实现,使得单位面积内的晶体管数量得到极大的提高,以往芯片受限于面积限制而无法设计更高性能的产品将不会存在了。
22nm 3D Tri-Gate晶体管模型图
3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。
3D Tri-Gate晶体管结构的优势
这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。
显著提升供电效率,降低能耗
全新的3D Tri-Gate能够提供同等性能的同时,功耗降低一半。新的接口极大的减少了漏电率。阈值电压可以得到极大的降低。
晶体管工作在更低的电压下,功耗也会得到显著下降,而我们关心的处理器的工作频率也会得到相应的提高。
电压降低0.2V
相比现在的32nm制程,处理器电压可降低0.2V。
即使在同等电压下,新的22nm 3D Tri-Gate晶体管架构性能也可提升37%。
加速移动处理芯片的步伐
我们知道移动芯片严重的依赖功耗和体积,Intel 3D Tri-Gate将会在未来应用到这一领域。
相对于传统的2D晶体管结构,晶体管的数量将得到极大提高,我们印象中的嵌入式芯片的性能将媲美传统处理器。而移动设备的续航时间也会随着芯片功耗的降低得到提高。 在新的3D Tri-Gate晶体管架构的带动下,移动设备将迎来新的黄金发展时期,技术的更新速度将明显加快,同时将会有越来越多的产品面世,届时整个行业将会出现欣欣向荣的局面。
延续摩尔定律
平面晶体管数量的提升只能纯粹的依靠新的工艺,3D Tri-Gate技术的引入,晶体管数量提升就变得非常容易了,摩尔定律将会依旧成立。
从Intel这份路线图上面我们可以看到不仅仅是22nm,更新的14nm,10nm技术也在不久的未来推出。
Tick-Tock成功延伸
之前单鳍片晶体管、多鳍片晶体管、三栅极SRAM单元、三栅极后栅极(RMG)终于摆脱实验,步入了真实轨道, Intel可将这一技术用于大批量的微处理器芯片生产流水线,有效提高产品质量和降低成本。
“晶体管将变得更小、更便宜也更加高效”,摩尔定律也有望迎来新的发展篇章。
3D Tri-Gate试水Ivy Bridge
按照Intel的规划,Ivy Bridge芯片将首次使用这一技术,之前我们关于Ivy Bridge介绍时提到芯片的架构改变不大。而现在Intel给Ivy Bridge注入3D Tri-Gate这一元素后,相信我们认识的22nm版本“Sandy Bridge”将会获得质的飞跃。
22nm 3D Tri-Gate成功的实现了性能的飞跃,同时功耗也得到极大降低,在晶体管关闭状态将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。
22nm的3D Tri-Gate晶体管立体结构在单位面积承载更多的晶体管数量,助Ivy Bridge晶体管数量成功突破10亿。
伴随处理性能提升,显示性能的增强,22nm Ivy Bridge无疑会成为Intel的划时代意义的产品,我们将拭目以待。■
intel 威武
INTEL还是牛啊,龙芯什么的啥时候能V5一把呢。
嗯,我就等IVY这一代了
有钱投入,赚钱,良性循环
rexhe 发表于 2011-5-5 16:11
意法半导体更倾向于FD-SOI技术
意法半导体更倾向于FD-SOI技术
推土机估计要悲剧了
好牛的技术啊
回复 4# mfkiwl
最好的东西永远都是下一个!
最好的东西永远都是下一个!
硅工艺的潜力无限啊
图
被硬件商绑架了
真是绝望啊啊啊啊
GF要是给力点,AMD也不会落后英特尔1年时间。
3d技术不过鳌头。。。
立体晶体管技术只要是个大厂应该大家都能不费劲的做出来,良率估计差点
这只是为了拉长新技术的投放时间,到现在才把它拿来产业化
估计其他厂商会很快跟进
立体晶体管技术只要是个大厂应该大家都能不费劲的做出来,良率估计差点
这只是为了拉长新技术的投放时间,到现在才把它拿来产业化
估计其他厂商会很快跟进
回复 9# panda123
哈哈,这个是真理
哈哈,这个是真理
INTEL果然厉害。
强者恒强啊!
技术的进步真是惊人啊。
现在农企和英特尔的差距越来越大了啊
回复 1# 东方亮
终结者不远了!很快我就会有我自己的cameron了!
终结者不远了!很快我就会有我自己的cameron了!
回复 7# liwei960067495
不见得,更不希望谁悲剧。
不见得,更不希望谁悲剧。
病人:“医生,我现在脑子越来越不好使了,总犯糊涂”
医生:“哦,年纪大了都这样。”
病人:“那怎么办啊?”
医生:“小意思,你是要Intel的还是AMD的?2纳米的还是1.5的?3D的还是4D的?”
:D
医生:“哦,年纪大了都这样。”
病人:“那怎么办啊?”
医生:“小意思,你是要Intel的还是AMD的?2纳米的还是1.5的?3D的还是4D的?”
:D
miaomiaomiao 发表于 2011-5-6 14:59
以后脑科医生都得是电子工程出身的
以后脑科医生都得是电子工程出身的
JB这个牛13了
我们这些真要潜心研究了
这个性能不只是提高几倍,几何数字级别增长
哦,看错鸟,我以为是3D立体芯片的,原来还是2D的平面连接,吓一跳。
JB这个牛13了
我们这些真要潜心研究了
这个性能不只是提高几倍,几何数字级别增长
哦,看错鸟,我以为是3D立体芯片的,原来还是2D的平面连接,吓一跳。
那超微怎么办呢....
ak777 发表于 2011-5-5 21:08
良率+1
这年头8nm工艺造出来了- -只不过工业化完全不可能……
良率+1
这年头8nm工艺造出来了- -只不过工业化完全不可能……
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