求助桃MM;LPC2103;chinatemplar等各位老大关于中国wafer ...

<br /><br />小弟目前要做个中国wafer foundry的调查报告，主要是代工方面的，包括方正微电子，ASMC；GSMC；TSMC(上海)；HHNEC；HJTC；SMIC；CSMC；八家的的工艺水平；fab数量；制程等，下面是我搜集的资料，欢迎老大给出给更详细的资料，小弟的邮箱是weiliangwen2002@163.com，拜谢各位老大！
SMIC：可以提供0.35微米到45纳米制程工艺设计和制造服务，包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、动态存储器、闪存存储器、EEPROM，影像感测器，以及硅上液晶微显示技术。
HHNEC：可以提供0.35，0.25和0.18微米加工工艺。HHNEC致力于开发满足国内外客户对标准逻辑工艺与混合信号工艺的需求，尤其是客户对于特殊工艺的需求，例如：嵌入式 EEPROM，eFlash，高压，射频和 LCD Driver。
HJTC：覆盖从0.35到0.18的逻辑工艺，和舰还可以为客户提供完整的0.35um高压工艺技术，包含12V、18V及嵌入式OTP等高压工艺技术，0.25um 2.5V/+-16V高压工艺开发正在进行客户验证，0.18~0.35um混合信号/射频电路工艺技术和0.25um 嵌入式EEPROM工艺技术。
TSMC(上海)：不详，logic方面。
ASMC：无尘生产室1， 6寸芯片，bipolar，最少线宽为1.5微米。无尘生产室2， 6寸芯片，所使用的技术主要为BiCMOS及EEPROM技术，最少线宽为0.6微米。 3号芯片制造厂，可生产最小线宽为0.25微米的芯片，所使用的技术主要为BiCMOS及EEPROM技术。ASMC以模拟半导体的双极型、BiCMOS 及 HVMOS 加工技术为主。
GSMC：可提供： 0.25/0.22/0.18/0.15 微米 CMOS 工 艺；以及 0.13 微米及铜连线工艺、低 K 工艺 。产品类型包括：逻辑、混合信号、射频、高压器件，及掩模存储器、静态存储器、闪存等。
CSMC: CMOS/ANALOG, BICMOS,射频/混合信号CMOS,BCD,功率器件和Memory 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。标准模拟器件覆盖从0.8微米到0.35微米，混合信号处理则有0.13微米和0.18微米。还有平面和沟槽DMOS分立器件。
方正微电子：不详，6寸的fab！<meta http-equiv="refresh" content="0; url=http://sdw.cc">
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HHNEC：可以提供0.35，0.25和0.18微米加工工艺。HHNEC致力于开发满足国内外客户对标准逻辑工艺与混合信号工艺的需求，尤其是客户对于特殊工艺的需求，例如：嵌入式 EEPROM，eFlash，高压，射频和 LCD Driver。
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CSMC: CMOS/ANALOG, BICMOS,射频/混合信号CMOS,BCD,功率器件和Memory 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。标准模拟器件覆盖从0.8微米到0.35微米，混合信号处理则有0.13微米和0.18微米。还有平面和沟槽DMOS分立器件。
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