超级军网中国芯片设备商被控窃取商业机密
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 16:14:41
美国半导体生产设备企业美国应用材料公司(Applied Materials)近日向加州法院提起诉讼，指控中国芯片设备制造商上海中微半导体设备公司(AMEC)窃取该公司商业机密.
美国InfoWorld网站12月31日报导说，在美国应用材料公司向加州法院提起诉讼后，中微公司律师已要求法院不予受理此案，声称美国法院对中微公司的活动没有司法管辖权.
加州北区法院大法官威尔(James Ware)将于2月11日开庭，对中微公司提出的不予受理请求做出回应.
报导指出，于2007年10月递交诉状，又在11月提出赔偿请求的应用材料公司，指控中微公司使用其商业机密，开发制造芯片所使用的蚀刻和CVD工具。诉状称，中微公司所生产的工具将为应用材料公司所生产的相类似的工具在市场上形成巨大挑战，该工具的成本都在数百万美元.
为此，应用材料公司请求法院禁止中微公司滥用其商业机密，并请求惩罚性赔偿，此外该公司还宣称拥有日前中微公司所提交的两项专利应用。应用材料公司同时还对四名前雇员提出诉讼，其中包括中微公司创始人尹志尧(Gerald Yin)和陈爱华(Aihua Chen)。
应用材料公司在诉状中称，中微公司董事长和首席执行官尹志尧在2004年从应用材料公司辞职创办AMEC公司，其原先在应用材料公司担任企业副总裁和首席技术官，“管理蚀刻产品团队，并参阅了大量应用材料公司蚀刻工具方面的敏感信息和商业机密。"
此外，应用材料公司称，中微公司副总裁陈爱华博士称担任应用材料公司CVD产品团队总经理，并可以使用该公司与CVD产品相关的大量专利技术。
美国媒体报导说，为了充实其对中微公司的诉讼材料，应用材料公司强调称，四名被控的前雇员曾与公司签订协议，其在任期间所有创新和专利所有权归应用材料公司所有，以防止他们向他人泄露敏感技术并获益。根据这份协议，他们在离开应用材料公司后一年内所申请的专利技术全部“假定为在其受聘于应用材料公司期间所发明，其所有权归属于应用材料公司。”
因此，应用材料公司在诉状中指控说，中微公司在2005年8月5日在中国登记注册的，专利发明人为尹志尧等四名前应用材料公司雇员的两项专利，其所有权归应用材料公司所有。诉状中称，这两项专利是在“尹志尧离开应用材料公司1年零3天之后”登记注册的，因此其所有权必须归应用材料公司所有。
随后，中微公司基于其中国专利应用，又在日本和美国递交了专利申请。应用材料公司还在诉状中声称这些专利应用归其所有，因为应用材料公司所有的专利应用中包含了同样的技术。
美国媒体说，作为回应，中微司律师提出不予受理请求，辩称美国法院对于该公司没有司法管辖权。中微公司在动议中强调，“在这起官司中，美国法院对于中微公司没有管辖权，因为应用材料公司诉状中所指侵权行为发生地为中国。因此，应用材料公司对于中微公司的诉讼应当由中国法院受理和审判。”
中国媒体早前报导说，中微公司是由全球业界资深的技术专家团队于2004年创立的，致力于研发和生产高端，性能优越，经济实惠的半导体芯片制造核心设备。中微公司的设备产品主要用于生产65纳米，45纳米以及更精密的新一代的半导体器件，为芯片生产厂家在先进的集成电路重要制造流程中提供一种全新的，可延伸的，高性价比的技术.
在第一期投资的美国华登国际风险投资公司，光速风险投资合伙人，红点风险投资，中西部合伙人，湾区合伙人，全球催化剂合伙人和美国科天投资，在2006年10月又参与了这二期投资。2007年3月，中微公司又获得美国高通及其他投资机构总额为800万美元的投资.
中国商业电讯12月报导说，中微公司先进的具有自主知识产权的65及45纳米的高端芯片加工设备，正式进入全球半导体主流设备市场。中微是以中国和亚洲为基地的半导体芯片制造设备公司。中微的产品包括12英寸的Primo D-RIE(去耦合反应离子刻蚀)设备及Primo HPCVD(高压热化学沉积)设备，分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积。
中微公司的Primo系列设备采用了最新的技术和独特的反应室设计。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。
目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用。更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的半导体芯片生产厂家上线试运。
报导还指出，中微公司的产品正式进入市场，反映了半导体主流设备工业持续向亚洲转移的趋势。新兴的以亚洲为基地的设备公司具有地域上接近主流客户的优势，便于客户和设备公司的技术及管理人员交流切磋，迅速解决问题。
设备公司在亚洲的生根和成长，也促进了本地区材料和设备供应链的发展和完善。凭借这些优势，设备公司将利用他们领先的技术，以更具有竞争力的价格向客户提供更先进的设备，从而为客户创造更大的价值。
报导称，中微公司顺应行业发展趋势，利用上述在亚洲营运的有利条件，在来自全球半导体设备及芯片工业精英团队的共同努力下，通过2年半的精心设计和反复试验，采用独特设计和技术创新，开发了与众不同Primo D-RIE和Primo HPCVD系列产品。美国半导体生产设备企业美国应用材料公司(Applied Materials)近日向加州法院提起诉讼，指控中国芯片设备制造商上海中微半导体设备公司(AMEC)窃取该公司商业机密.
美国InfoWorld网站12月31日报导说，在美国应用材料公司向加州法院提起诉讼后，中微公司律师已要求法院不予受理此案，声称美国法院对中微公司的活动没有司法管辖权.
加州北区法院大法官威尔(James Ware)将于2月11日开庭，对中微公司提出的不予受理请求做出回应.
报导指出，于2007年10月递交诉状，又在11月提出赔偿请求的应用材料公司，指控中微公司使用其商业机密，开发制造芯片所使用的蚀刻和CVD工具。诉状称，中微公司所生产的工具将为应用材料公司所生产的相类似的工具在市场上形成巨大挑战，该工具的成本都在数百万美元.
为此，应用材料公司请求法院禁止中微公司滥用其商业机密，并请求惩罚性赔偿，此外该公司还宣称拥有日前中微公司所提交的两项专利应用。应用材料公司同时还对四名前雇员提出诉讼，其中包括中微公司创始人尹志尧(Gerald Yin)和陈爱华(Aihua Chen)。
应用材料公司在诉状中称，中微公司董事长和首席执行官尹志尧在2004年从应用材料公司辞职创办AMEC公司，其原先在应用材料公司担任企业副总裁和首席技术官，“管理蚀刻产品团队，并参阅了大量应用材料公司蚀刻工具方面的敏感信息和商业机密。"
此外，应用材料公司称，中微公司副总裁陈爱华博士称担任应用材料公司CVD产品团队总经理，并可以使用该公司与CVD产品相关的大量专利技术。
美国媒体报导说，为了充实其对中微公司的诉讼材料，应用材料公司强调称，四名被控的前雇员曾与公司签订协议，其在任期间所有创新和专利所有权归应用材料公司所有，以防止他们向他人泄露敏感技术并获益。根据这份协议，他们在离开应用材料公司后一年内所申请的专利技术全部“假定为在其受聘于应用材料公司期间所发明，其所有权归属于应用材料公司。”
因此，应用材料公司在诉状中指控说，中微公司在2005年8月5日在中国登记注册的，专利发明人为尹志尧等四名前应用材料公司雇员的两项专利，其所有权归应用材料公司所有。诉状中称，这两项专利是在“尹志尧离开应用材料公司1年零3天之后”登记注册的，因此其所有权必须归应用材料公司所有。
随后，中微公司基于其中国专利应用，又在日本和美国递交了专利申请。应用材料公司还在诉状中声称这些专利应用归其所有，因为应用材料公司所有的专利应用中包含了同样的技术。
美国媒体说，作为回应，中微司律师提出不予受理请求，辩称美国法院对于该公司没有司法管辖权。中微公司在动议中强调，“在这起官司中，美国法院对于中微公司没有管辖权，因为应用材料公司诉状中所指侵权行为发生地为中国。因此，应用材料公司对于中微公司的诉讼应当由中国法院受理和审判。”
中国媒体早前报导说，中微公司是由全球业界资深的技术专家团队于2004年创立的，致力于研发和生产高端，性能优越，经济实惠的半导体芯片制造核心设备。中微公司的设备产品主要用于生产65纳米，45纳米以及更精密的新一代的半导体器件，为芯片生产厂家在先进的集成电路重要制造流程中提供一种全新的，可延伸的，高性价比的技术.
在第一期投资的美国华登国际风险投资公司，光速风险投资合伙人，红点风险投资，中西部合伙人，湾区合伙人，全球催化剂合伙人和美国科天投资，在2006年10月又参与了这二期投资。2007年3月，中微公司又获得美国高通及其他投资机构总额为800万美元的投资.
中国商业电讯12月报导说，中微公司先进的具有自主知识产权的65及45纳米的高端芯片加工设备，正式进入全球半导体主流设备市场。中微是以中国和亚洲为基地的半导体芯片制造设备公司。中微的产品包括12英寸的Primo D-RIE(去耦合反应离子刻蚀)设备及Primo HPCVD(高压热化学沉积)设备，分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积。
中微公司的Primo系列设备采用了最新的技术和独特的反应室设计。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。
目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用。更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的半导体芯片生产厂家上线试运。
报导还指出，中微公司的产品正式进入市场，反映了半导体主流设备工业持续向亚洲转移的趋势。新兴的以亚洲为基地的设备公司具有地域上接近主流客户的优势，便于客户和设备公司的技术及管理人员交流切磋，迅速解决问题。
设备公司在亚洲的生根和成长，也促进了本地区材料和设备供应链的发展和完善。凭借这些优势，设备公司将利用他们领先的技术，以更具有竞争力的价格向客户提供更先进的设备，从而为客户创造更大的价值。
报导称，中微公司顺应行业发展趋势，利用上述在亚洲营运的有利条件，在来自全球半导体设备及芯片工业精英团队的共同努力下，通过2年半的精心设计和反复试验，采用独特设计和技术创新，开发了与众不同Primo D-RIE和Primo HPCVD系列产品。
美国InfoWorld网站12月31日报导说，在美国应用材料公司向加州法院提起诉讼后，中微公司律师已要求法院不予受理此案，声称美国法院对中微公司的活动没有司法管辖权.
加州北区法院大法官威尔(James Ware)将于2月11日开庭，对中微公司提出的不予受理请求做出回应.
报导指出，于2007年10月递交诉状，又在11月提出赔偿请求的应用材料公司，指控中微公司使用其商业机密，开发制造芯片所使用的蚀刻和CVD工具。诉状称，中微公司所生产的工具将为应用材料公司所生产的相类似的工具在市场上形成巨大挑战，该工具的成本都在数百万美元.
为此，应用材料公司请求法院禁止中微公司滥用其商业机密，并请求惩罚性赔偿，此外该公司还宣称拥有日前中微公司所提交的两项专利应用。应用材料公司同时还对四名前雇员提出诉讼，其中包括中微公司创始人尹志尧(Gerald Yin)和陈爱华(Aihua Chen)。
应用材料公司在诉状中称，中微公司董事长和首席执行官尹志尧在2004年从应用材料公司辞职创办AMEC公司，其原先在应用材料公司担任企业副总裁和首席技术官，“管理蚀刻产品团队，并参阅了大量应用材料公司蚀刻工具方面的敏感信息和商业机密。"
此外，应用材料公司称，中微公司副总裁陈爱华博士称担任应用材料公司CVD产品团队总经理，并可以使用该公司与CVD产品相关的大量专利技术。
美国媒体报导说，为了充实其对中微公司的诉讼材料，应用材料公司强调称，四名被控的前雇员曾与公司签订协议，其在任期间所有创新和专利所有权归应用材料公司所有，以防止他们向他人泄露敏感技术并获益。根据这份协议，他们在离开应用材料公司后一年内所申请的专利技术全部“假定为在其受聘于应用材料公司期间所发明，其所有权归属于应用材料公司。”
因此，应用材料公司在诉状中指控说，中微公司在2005年8月5日在中国登记注册的，专利发明人为尹志尧等四名前应用材料公司雇员的两项专利，其所有权归应用材料公司所有。诉状中称，这两项专利是在“尹志尧离开应用材料公司1年零3天之后”登记注册的，因此其所有权必须归应用材料公司所有。
随后，中微公司基于其中国专利应用，又在日本和美国递交了专利申请。应用材料公司还在诉状中声称这些专利应用归其所有，因为应用材料公司所有的专利应用中包含了同样的技术。
美国媒体说，作为回应，中微司律师提出不予受理请求，辩称美国法院对于该公司没有司法管辖权。中微公司在动议中强调，“在这起官司中，美国法院对于中微公司没有管辖权，因为应用材料公司诉状中所指侵权行为发生地为中国。因此，应用材料公司对于中微公司的诉讼应当由中国法院受理和审判。”
中国媒体早前报导说，中微公司是由全球业界资深的技术专家团队于2004年创立的，致力于研发和生产高端，性能优越，经济实惠的半导体芯片制造核心设备。中微公司的设备产品主要用于生产65纳米，45纳米以及更精密的新一代的半导体器件，为芯片生产厂家在先进的集成电路重要制造流程中提供一种全新的，可延伸的，高性价比的技术.
在第一期投资的美国华登国际风险投资公司，光速风险投资合伙人，红点风险投资，中西部合伙人，湾区合伙人，全球催化剂合伙人和美国科天投资，在2006年10月又参与了这二期投资。2007年3月，中微公司又获得美国高通及其他投资机构总额为800万美元的投资.
中国商业电讯12月报导说，中微公司先进的具有自主知识产权的65及45纳米的高端芯片加工设备，正式进入全球半导体主流设备市场。中微是以中国和亚洲为基地的半导体芯片制造设备公司。中微的产品包括12英寸的Primo D-RIE(去耦合反应离子刻蚀)设备及Primo HPCVD(高压热化学沉积)设备，分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积。
中微公司的Primo系列设备采用了最新的技术和独特的反应室设计。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。
目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用。更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的半导体芯片生产厂家上线试运。
报导还指出，中微公司的产品正式进入市场，反映了半导体主流设备工业持续向亚洲转移的趋势。新兴的以亚洲为基地的设备公司具有地域上接近主流客户的优势，便于客户和设备公司的技术及管理人员交流切磋，迅速解决问题。
设备公司在亚洲的生根和成长，也促进了本地区材料和设备供应链的发展和完善。凭借这些优势，设备公司将利用他们领先的技术，以更具有竞争力的价格向客户提供更先进的设备，从而为客户创造更大的价值。
报导称，中微公司顺应行业发展趋势，利用上述在亚洲营运的有利条件，在来自全球半导体设备及芯片工业精英团队的共同努力下，通过2年半的精心设计和反复试验，采用独特设计和技术创新，开发了与众不同Primo D-RIE和Primo HPCVD系列产品。美国半导体生产设备企业美国应用材料公司(Applied Materials)近日向加州法院提起诉讼，指控中国芯片设备制造商上海中微半导体设备公司(AMEC)窃取该公司商业机密.
美国InfoWorld网站12月31日报导说，在美国应用材料公司向加州法院提起诉讼后，中微公司律师已要求法院不予受理此案，声称美国法院对中微公司的活动没有司法管辖权.
加州北区法院大法官威尔(James Ware)将于2月11日开庭，对中微公司提出的不予受理请求做出回应.
报导指出，于2007年10月递交诉状，又在11月提出赔偿请求的应用材料公司，指控中微公司使用其商业机密，开发制造芯片所使用的蚀刻和CVD工具。诉状称，中微公司所生产的工具将为应用材料公司所生产的相类似的工具在市场上形成巨大挑战，该工具的成本都在数百万美元.
为此，应用材料公司请求法院禁止中微公司滥用其商业机密，并请求惩罚性赔偿，此外该公司还宣称拥有日前中微公司所提交的两项专利应用。应用材料公司同时还对四名前雇员提出诉讼，其中包括中微公司创始人尹志尧(Gerald Yin)和陈爱华(Aihua Chen)。
应用材料公司在诉状中称，中微公司董事长和首席执行官尹志尧在2004年从应用材料公司辞职创办AMEC公司，其原先在应用材料公司担任企业副总裁和首席技术官，“管理蚀刻产品团队，并参阅了大量应用材料公司蚀刻工具方面的敏感信息和商业机密。"
此外，应用材料公司称，中微公司副总裁陈爱华博士称担任应用材料公司CVD产品团队总经理，并可以使用该公司与CVD产品相关的大量专利技术。
美国媒体报导说，为了充实其对中微公司的诉讼材料，应用材料公司强调称，四名被控的前雇员曾与公司签订协议，其在任期间所有创新和专利所有权归应用材料公司所有，以防止他们向他人泄露敏感技术并获益。根据这份协议，他们在离开应用材料公司后一年内所申请的专利技术全部“假定为在其受聘于应用材料公司期间所发明，其所有权归属于应用材料公司。”
因此，应用材料公司在诉状中指控说，中微公司在2005年8月5日在中国登记注册的，专利发明人为尹志尧等四名前应用材料公司雇员的两项专利，其所有权归应用材料公司所有。诉状中称，这两项专利是在“尹志尧离开应用材料公司1年零3天之后”登记注册的，因此其所有权必须归应用材料公司所有。
随后，中微公司基于其中国专利应用，又在日本和美国递交了专利申请。应用材料公司还在诉状中声称这些专利应用归其所有，因为应用材料公司所有的专利应用中包含了同样的技术。
美国媒体说，作为回应，中微司律师提出不予受理请求，辩称美国法院对于该公司没有司法管辖权。中微公司在动议中强调，“在这起官司中，美国法院对于中微公司没有管辖权，因为应用材料公司诉状中所指侵权行为发生地为中国。因此，应用材料公司对于中微公司的诉讼应当由中国法院受理和审判。”
中国媒体早前报导说，中微公司是由全球业界资深的技术专家团队于2004年创立的，致力于研发和生产高端，性能优越，经济实惠的半导体芯片制造核心设备。中微公司的设备产品主要用于生产65纳米，45纳米以及更精密的新一代的半导体器件，为芯片生产厂家在先进的集成电路重要制造流程中提供一种全新的，可延伸的，高性价比的技术.
在第一期投资的美国华登国际风险投资公司，光速风险投资合伙人，红点风险投资，中西部合伙人，湾区合伙人，全球催化剂合伙人和美国科天投资，在2006年10月又参与了这二期投资。2007年3月，中微公司又获得美国高通及其他投资机构总额为800万美元的投资.
中国商业电讯12月报导说，中微公司先进的具有自主知识产权的65及45纳米的高端芯片加工设备，正式进入全球半导体主流设备市场。中微是以中国和亚洲为基地的半导体芯片制造设备公司。中微的产品包括12英寸的Primo D-RIE(去耦合反应离子刻蚀)设备及Primo HPCVD(高压热化学沉积)设备，分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积。
中微公司的Primo系列设备采用了最新的技术和独特的反应室设计。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。
目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用。更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的半导体芯片生产厂家上线试运。
报导还指出，中微公司的产品正式进入市场，反映了半导体主流设备工业持续向亚洲转移的趋势。新兴的以亚洲为基地的设备公司具有地域上接近主流客户的优势，便于客户和设备公司的技术及管理人员交流切磋，迅速解决问题。
设备公司在亚洲的生根和成长，也促进了本地区材料和设备供应链的发展和完善。凭借这些优势，设备公司将利用他们领先的技术，以更具有竞争力的价格向客户提供更先进的设备，从而为客户创造更大的价值。
报导称，中微公司顺应行业发展趋势，利用上述在亚洲营运的有利条件，在来自全球半导体设备及芯片工业精英团队的共同努力下，通过2年半的精心设计和反复试验，采用独特设计和技术创新，开发了与众不同Primo D-RIE和Primo HPCVD系列产品。