超级军网海力士在华生产66纳米DRAM引技术外泄争议
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/05/03 04:10:14
海力士在华生产66纳米DRAM引技术外泄争议
66纳米DRAM还推进在台湾生产
chosun.com中文版卓相勋 (2007.11.12 10:15) 记者11日获悉，海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（ST Micro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。
60多纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现量产的最尖端技术。尤其是，在近日开始执行的《产业技术外泄防止法》中，将80纳米以下的半导体技术规定为国家应该保护的核心技术，因此，在与主要负责部门产业资源部的协商过程中，预计将引发技术外泄争议。
海力士的高层相关人士11日表示：“目前正在推进在有合作关系的台湾茂德公司生产采用66纳米工艺技术的产品。”海力士于2003年和台湾的外包企业茂德签订了战略合作合同，目前茂德工厂使用海力士提供的80纳米工艺技术生产DRAM。
另外，海力士已从上月起在去年开工的中国无锡合作工厂正式生产采用66纳米工艺技术的内存芯片。此前，海力士为了回避在出口到美国、欧洲时需要负担的补偿关税和节省成本，一直推进在中国、台湾当地生产的方案。过去，美国和欧洲相关当局将国家减免海力士在国内银行的债务当作政府补贴，以此为由征收补偿关税。
根据《产业技术外泄防止法》规定，海力士如果想将66纳米技术提供给茂德工厂，应向国家申报，若产业资源部长官判定申报对象会给“国家安全”带来严重影响，经过审议可以下令禁止出口相关技术。
对此，海力士相关人士表示：“内部方针已经确定，因此，不久后将与产业资源部等进行协商。不过台湾企业传统上一直主要从事委托生产，中国工厂的中国员工也都只是单纯的生产职工，因此认为几乎没有技术外泄的忧虑。”
◆60多纳米工艺
“60多纳米工艺”是在生产芯片时刻上的电路线宽只有头发丝厚度的二千分之一的尖端工艺。芯片工厂若想减少成本，增加产量，就必须要减少该电路线宽，因此，各企业争先恐后地投入到纳米工艺技术的开发中。目前，除三星电子和海力士之外，大部分内存芯片企业在量产过程中依然使用生产率比60多纳米工艺低20~30%的70多纳米工艺。
chosun.com中文版 chn.chosun.com海力士在华生产66纳米DRAM引技术外泄争议
66纳米DRAM还推进在台湾生产
chosun.com中文版卓相勋 (2007.11.12 10:15) 记者11日获悉，海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（ST Micro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。
60多纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现量产的最尖端技术。尤其是，在近日开始执行的《产业技术外泄防止法》中，将80纳米以下的半导体技术规定为国家应该保护的核心技术，因此，在与主要负责部门产业资源部的协商过程中，预计将引发技术外泄争议。
海力士的高层相关人士11日表示：“目前正在推进在有合作关系的台湾茂德公司生产采用66纳米工艺技术的产品。”海力士于2003年和台湾的外包企业茂德签订了战略合作合同，目前茂德工厂使用海力士提供的80纳米工艺技术生产DRAM。
另外，海力士已从上月起在去年开工的中国无锡合作工厂正式生产采用66纳米工艺技术的内存芯片。此前，海力士为了回避在出口到美国、欧洲时需要负担的补偿关税和节省成本，一直推进在中国、台湾当地生产的方案。过去，美国和欧洲相关当局将国家减免海力士在国内银行的债务当作政府补贴，以此为由征收补偿关税。
根据《产业技术外泄防止法》规定，海力士如果想将66纳米技术提供给茂德工厂，应向国家申报，若产业资源部长官判定申报对象会给“国家安全”带来严重影响，经过审议可以下令禁止出口相关技术。
对此，海力士相关人士表示：“内部方针已经确定，因此，不久后将与产业资源部等进行协商。不过台湾企业传统上一直主要从事委托生产，中国工厂的中国员工也都只是单纯的生产职工，因此认为几乎没有技术外泄的忧虑。”
◆60多纳米工艺
“60多纳米工艺”是在生产芯片时刻上的电路线宽只有头发丝厚度的二千分之一的尖端工艺。芯片工厂若想减少成本，增加产量，就必须要减少该电路线宽，因此，各企业争先恐后地投入到纳米工艺技术的开发中。目前，除三星电子和海力士之外，大部分内存芯片企业在量产过程中依然使用生产率比60多纳米工艺低20~30%的70多纳米工艺。
chosun.com中文版 chn.chosun.com
66纳米DRAM还推进在台湾生产
chosun.com中文版卓相勋 (2007.11.12 10:15) 记者11日获悉，海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（ST Micro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。
60多纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现量产的最尖端技术。尤其是，在近日开始执行的《产业技术外泄防止法》中，将80纳米以下的半导体技术规定为国家应该保护的核心技术，因此，在与主要负责部门产业资源部的协商过程中，预计将引发技术外泄争议。
海力士的高层相关人士11日表示：“目前正在推进在有合作关系的台湾茂德公司生产采用66纳米工艺技术的产品。”海力士于2003年和台湾的外包企业茂德签订了战略合作合同，目前茂德工厂使用海力士提供的80纳米工艺技术生产DRAM。
另外，海力士已从上月起在去年开工的中国无锡合作工厂正式生产采用66纳米工艺技术的内存芯片。此前，海力士为了回避在出口到美国、欧洲时需要负担的补偿关税和节省成本，一直推进在中国、台湾当地生产的方案。过去，美国和欧洲相关当局将国家减免海力士在国内银行的债务当作政府补贴，以此为由征收补偿关税。
根据《产业技术外泄防止法》规定，海力士如果想将66纳米技术提供给茂德工厂，应向国家申报，若产业资源部长官判定申报对象会给“国家安全”带来严重影响，经过审议可以下令禁止出口相关技术。
对此，海力士相关人士表示：“内部方针已经确定，因此，不久后将与产业资源部等进行协商。不过台湾企业传统上一直主要从事委托生产，中国工厂的中国员工也都只是单纯的生产职工，因此认为几乎没有技术外泄的忧虑。”
◆60多纳米工艺
“60多纳米工艺”是在生产芯片时刻上的电路线宽只有头发丝厚度的二千分之一的尖端工艺。芯片工厂若想减少成本，增加产量，就必须要减少该电路线宽，因此，各企业争先恐后地投入到纳米工艺技术的开发中。目前，除三星电子和海力士之外，大部分内存芯片企业在量产过程中依然使用生产率比60多纳米工艺低20~30%的70多纳米工艺。
chosun.com中文版 chn.chosun.com海力士在华生产66纳米DRAM引技术外泄争议
66纳米DRAM还推进在台湾生产
chosun.com中文版卓相勋 (2007.11.12 10:15) 记者11日获悉，海力士（Hynix）正在推进在有战略合作关系的台湾茂德(Promos)公司采用最尖端的66纳米工艺技术生产DRAM产品。另外，海力士已与意法半导体公司（ST Micro）合作，在中国无锡建立的合作工厂生产采用66纳米工艺技术的DRAM产品。
60多纳米工艺是全球内存芯片企业中，只有三星电子和海力士成功实现量产的最尖端技术。尤其是，在近日开始执行的《产业技术外泄防止法》中，将80纳米以下的半导体技术规定为国家应该保护的核心技术，因此，在与主要负责部门产业资源部的协商过程中，预计将引发技术外泄争议。
海力士的高层相关人士11日表示：“目前正在推进在有合作关系的台湾茂德公司生产采用66纳米工艺技术的产品。”海力士于2003年和台湾的外包企业茂德签订了战略合作合同，目前茂德工厂使用海力士提供的80纳米工艺技术生产DRAM。
另外，海力士已从上月起在去年开工的中国无锡合作工厂正式生产采用66纳米工艺技术的内存芯片。此前，海力士为了回避在出口到美国、欧洲时需要负担的补偿关税和节省成本，一直推进在中国、台湾当地生产的方案。过去，美国和欧洲相关当局将国家减免海力士在国内银行的债务当作政府补贴，以此为由征收补偿关税。
根据《产业技术外泄防止法》规定，海力士如果想将66纳米技术提供给茂德工厂，应向国家申报，若产业资源部长官判定申报对象会给“国家安全”带来严重影响，经过审议可以下令禁止出口相关技术。
对此，海力士相关人士表示：“内部方针已经确定，因此，不久后将与产业资源部等进行协商。不过台湾企业传统上一直主要从事委托生产，中国工厂的中国员工也都只是单纯的生产职工，因此认为几乎没有技术外泄的忧虑。”
◆60多纳米工艺
“60多纳米工艺”是在生产芯片时刻上的电路线宽只有头发丝厚度的二千分之一的尖端工艺。芯片工厂若想减少成本，增加产量，就必须要减少该电路线宽，因此，各企业争先恐后地投入到纳米工艺技术的开发中。目前，除三星电子和海力士之外，大部分内存芯片企业在量产过程中依然使用生产率比60多纳米工艺低20~30%的70多纳米工艺。
chosun.com中文版 chn.chosun.com