超级军网请教：我国目前的AESA雷达中的MMIC是如何解决的？
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 11:44:24
我国目前O52C和KJ2000上用的都是AESA，T/R组件核心是MMIC，据说这玩意老毛子刚能生产，我们目前还不能。那我们现在用的AESA中的MMIC是从哪来的？
或者是052C和KJ2000上的空间比较大，散热容易，不要求用MMIC，或者标准比较低，没有战斗机那么严格还是什么？
以前知道的是通过二极管倍频到X波段，不用MMIC。据说这个方法T/R发射功率不够，个头大，散热也不好，是不是我们052C和KJ2000用的都是这种方法啊？我国目前O52C和KJ2000上用的都是AESA，T/R组件核心是MMIC，据说这玩意老毛子刚能生产，我们目前还不能。那我们现在用的AESA中的MMIC是从哪来的？
或者是052C和KJ2000上的空间比较大，散热容易，不要求用MMIC，或者标准比较低，没有战斗机那么严格还是什么？
以前知道的是通过二极管倍频到X波段，不用MMIC。据说这个方法T/R发射功率不够，个头大，散热也不好，是不是我们052C和KJ2000用的都是这种方法啊？
或者是052C和KJ2000上的空间比较大，散热容易，不要求用MMIC，或者标准比较低，没有战斗机那么严格还是什么？
以前知道的是通过二极管倍频到X波段，不用MMIC。据说这个方法T/R发射功率不够，个头大，散热也不好，是不是我们052C和KJ2000用的都是这种方法啊？我国目前O52C和KJ2000上用的都是AESA，T/R组件核心是MMIC，据说这玩意老毛子刚能生产，我们目前还不能。那我们现在用的AESA中的MMIC是从哪来的？
或者是052C和KJ2000上的空间比较大，散热容易，不要求用MMIC，或者标准比较低，没有战斗机那么严格还是什么？
以前知道的是通过二极管倍频到X波段，不用MMIC。据说这个方法T/R发射功率不够，个头大，散热也不好，是不是我们052C和KJ2000用的都是这种方法啊？
你怎么知道一定是有源的:Q
原帖由 吃果果 于 2007-3-11 18:50 发表
你怎么知道一定是有源的:Q
你凭什么说不是有源的;P
有源已经成为各大军坛的共识了,连本列兵都知道.
引用的希望有所帮助
关于舰载雷达是否是有源还是无源阵的一些看法 .d*Fpr U).
关于有源阵的T/R单元的成品率，有朋友拿APG77的来对比。我要说： $w 7 suH
APG-77的T/R组件难造原因很多，但不同用途的T/R组件是不同。成品率也不同 !9+{|&`
&md)zxKpT
第一就是集成度太高，由于机载有源阵对器件体积限制极大，导致其T/R组件中MMIC上整合的微波电路功能太多，太复杂造成的，要是把复杂度降低成品率上去不难，商用 (W6/0 4
MMIC器件制造就因为电路简单，成品率可达95%以上。 KI(6Tl#b
第二元器件的体积限制要求太大，而功率要求尽可能的高，基于所在工作频段。这玩意 [-ik:!YBf
的研制难度是极大的，机载的甚至比星载的难度更大（这可以说算是反常的）。 x GP'?
舰载有源阵则不同，第一就是T/R单元体积大，加上现有的比较成熟的微波电路工艺， /yCsgq5
再使用一些更成熟的分立微波器件，这种混合电路，可以让成本和技术成熟度控制在 kCC#e7;mfA
一个可接受的范围内。 Qw*^& 4ET
我们现在的微波电路上来说所用的技术远比研制APG77时先进，举个例子：APG77上的 4y/u1oHm"%
有源相控阵T/R单元，是90年左右基本发展成功，91年对外公开细节的。当时投产的 .|r3INJ}G
数字电路典型的代表是Intel80486（89年），工艺制程是1-0.8um，到1994逐步提高到 m=<N2sRt*
0.5-0.6um的奔腾。而微波电路和数字电路不同，微波电路对刻画精度和深度要求都比 e,I(]mPd 5
数字电路高，因此对半导体先进制程的应用可以说要比数字电路晚。而我们97年发展 !X\v,0;*e
出类似APG77上的T/R组件时，我们已经有比较成熟的1-0.8um的微波电路制造技术，现 $Shd $aH
在已经发展到0.5-0.35um左右的比较成熟微波电路制造技术（批量），这几年光这种 "TXTs0hH D
加工设备销量是以前的N倍。了解一些微波电路的成品率细节问题可以知道为什么其生 a]0tUU
产率低，材料的性能撇开不说（就是光刻胶，基板等品质），光从光刻图形的角度上 RBY4g!|
来说，微波电路的光刻图形的精度远大于数字电路，为什么？数字电路处理高电平和 &K0RL q#
低电平就好了，电平低一点高一点数字电路并不敏感（所以才有改动电压超频的玩法）。 LT* 2Z S
而微波电路恰恰相反，其要求输出的电平波形要求非常精确，因为生成的通常是低频 0u4tVIS9,
低功率信号，后面还有N倍的放大电路和激励电路。低频时电平输出不精确，倍N倍频 H;<^iZfk
之后，波形还能用还能看吗？所以先进的半导体工艺对微波电路的成品率提高是非常 u^Ul."$Dt
重要的一环，一般来说微波电路刻画上还要考虑到精度和具体接受光刻的位置（光刻 @6LA}H g
在基片边缘的失真，以及光刻胶基片等可能导致的缺陷），微波电路事先会设计一些 wL3zIJ_
调参的电容电阻连接图形在微波电路里，产品出来之后基本都是测试不合格的，就用 _p; } m'
激光熔断一些微波电路中的调参用相连电容电阻的连接线条，来实现达到精确修正参 I.= pDe(
数的目的。几乎每个微波电路都要这样修正才能封装使用。由于这些修正手段都是有有一定限制的，所有修正不了器件才是废品。激光调参修正这项技术好象在国外国外
也是90年代中期才开始在半导体工艺中大量应用(设计手段问题)，国内近几年也才刚
用上。仅一个激光调参就能让微波电路的成品率提高不少，现在商品化的微波和数字电路，基本后续都采用这个东西来提高产品成品率 H因此我实在不觉得我们的舰载S波段T/R组件会比X波段机载T/R组件难和贵。成品率会
低到无法承担的水平，根据2002国内的一些报道，某所其投资几百万还是几千万组建
的同一类器件的有源T/R组件的两条生产测试兼调试线（激光调阻），一年可生产合 格某波段T/R组件6000余个（合格率好象70-80%），由于其不够生产两个阵面所用的器件，不能满足国防需求，准备大幅度加大投资增加产量。由此可见我们舰载的T/R 组件关键问题在投资不足导致产能不大，而非合格率问题。对于其它质疑有源阵的说法，我的意见是不妨反证一下，我们怎样将S波段的无源阵 发射机峰值功率提高到2M瓦左右。如果为此调查一下国内真空电子管设计制造加工技 术，就可以比较容易的得出结论：在9x年项目立项时，根本不敢指望能实现无源阵用 的发射机专用大功率行波管、放大管和其它器件能按时达标完成，以今天的研制基础 (或许可以,因为在2002年之后国内研制完成了一套2D的电子管CAD设计和仿真软件，标 志着我们终于对大部分电子管的基础研究取得阶段性进展，不过现在美国3D模拟仿真的电子管CAD软件都差不多完成了，其上应用的一些新技术和设计理论我们基本刚开 始探索，基本而言在这些设计分析工具方面我们最少还有8-12年的差距。当时我们电 子管的整体水平和性能，特别是稳定性和寿命更让军方不敢奢望，经常美国同类管寿 命能上千到几千小时，而我们的才10-几百小时，差距巨大。反而我们在T/R组件上当时已经获得很大突破，只是所用技术层次还比较老，多是采用一些大的微波分立器件，此时我们的MMIC的研制也获得较大整体突破，所以最后在T/R组件问题上，专家建议结合实际，新老方法混合使用，研制我们的大功率L,S,C,X...波段T/R组件技术（相 1关产品预计应用到地面预警炮位雷达、机载预警雷达和舰载相控阵上）。由于有源阵的很多特性，如10%部分器件故障不影响整体性能，这更符合国内对性能可靠性的需 求实际，用无源阵，以我们现在的电子管器件寿命来看，根本无法用，美国同类管基本上是我们现在(2000年以后)管子平均寿命的3-10倍,精度和稳定性更好，在这项目 立项的时候，我国的电子管平均寿命甚至仅有美国的1/20-1/30，其它性能就更别提了。
不是我非要拔高吹嘘国内的技术水平，深入了解一下国内电子元器件的生产的过去和现状，考虑到一些现实因素，可以说当初根本就没有选择无源阵的任何可能性。当然我并不是说国内就不发展无源阵了，处于成本以及具体功能和任务而言。无源阵的前景还是比较好的，国内相关领域一点也不会放松。实际采用先进技术的低成本无源阵的研制工作正在如火如荼的展开。不过但是对于机载和舰载来说，特别是舰载的类宙斯盾系统，国内目前根本没有任何可能性采用无源阵。降低有源阵成本的方式很多， 相关杂志上有介绍，有兴趣可以去找找。
关于舰载雷达是否是有源还是无源阵的一些看法 .d*Fpr U).
关于有源阵的T/R单元的成品率，有朋友拿APG77的来对比。我要说： $w 7 suH
APG-77的T/R组件难造原因很多，但不同用途的T/R组件是不同。成品率也不同 !9+{|&`
&md)zxKpT
第一就是集成度太高，由于机载有源阵对器件体积限制极大，导致其T/R组件中MMIC上整合的微波电路功能太多，太复杂造成的，要是把复杂度降低成品率上去不难，商用 (W6/0 4
MMIC器件制造就因为电路简单，成品率可达95%以上。 KI(6Tl#b
第二元器件的体积限制要求太大，而功率要求尽可能的高，基于所在工作频段。这玩意 [-ik:!YBf
的研制难度是极大的，机载的甚至比星载的难度更大（这可以说算是反常的）。 x GP'?
舰载有源阵则不同，第一就是T/R单元体积大，加上现有的比较成熟的微波电路工艺， /yCsgq5
再使用一些更成熟的分立微波器件，这种混合电路，可以让成本和技术成熟度控制在 kCC#e7;mfA
一个可接受的范围内。 Qw*^& 4ET
我们现在的微波电路上来说所用的技术远比研制APG77时先进，举个例子：APG77上的 4y/u1oHm"%
有源相控阵T/R单元，是90年左右基本发展成功，91年对外公开细节的。当时投产的 .|r3INJ}G
数字电路典型的代表是Intel80486（89年），工艺制程是1-0.8um，到1994逐步提高到 m=<N2sRt*
0.5-0.6um的奔腾。而微波电路和数字电路不同，微波电路对刻画精度和深度要求都比 e,I(]mPd 5
数字电路高，因此对半导体先进制程的应用可以说要比数字电路晚。而我们97年发展 !X\v,0;*e
出类似APG77上的T/R组件时，我们已经有比较成熟的1-0.8um的微波电路制造技术，现 $Shd $aH
在已经发展到0.5-0.35um左右的比较成熟微波电路制造技术（批量），这几年光这种 "TXTs0hH D
加工设备销量是以前的N倍。了解一些微波电路的成品率细节问题可以知道为什么其生 a]0tUU
产率低，材料的性能撇开不说（就是光刻胶，基板等品质），光从光刻图形的角度上 RBY4g!|
来说，微波电路的光刻图形的精度远大于数字电路，为什么？数字电路处理高电平和 &K0RL q#
低电平就好了，电平低一点高一点数字电路并不敏感（所以才有改动电压超频的玩法）。 LT* 2Z S
而微波电路恰恰相反，其要求输出的电平波形要求非常精确，因为生成的通常是低频 0u4tVIS9,
低功率信号，后面还有N倍的放大电路和激励电路。低频时电平输出不精确，倍N倍频 H;<^iZfk
之后，波形还能用还能看吗？所以先进的半导体工艺对微波电路的成品率提高是非常 u^Ul."$Dt
重要的一环，一般来说微波电路刻画上还要考虑到精度和具体接受光刻的位置（光刻 @6LA}H g
在基片边缘的失真，以及光刻胶基片等可能导致的缺陷），微波电路事先会设计一些 wL3zIJ_
调参的电容电阻连接图形在微波电路里，产品出来之后基本都是测试不合格的，就用 _p; } m'
激光熔断一些微波电路中的调参用相连电容电阻的连接线条，来实现达到精确修正参 I.= pDe(
数的目的。几乎每个微波电路都要这样修正才能封装使用。由于这些修正手段都是有有一定限制的，所有修正不了器件才是废品。激光调参修正这项技术好象在国外国外
也是90年代中期才开始在半导体工艺中大量应用(设计手段问题)，国内近几年也才刚
用上。仅一个激光调参就能让微波电路的成品率提高不少，现在商品化的微波和数字电路，基本后续都采用这个东西来提高产品成品率 H因此我实在不觉得我们的舰载S波段T/R组件会比X波段机载T/R组件难和贵。成品率会
低到无法承担的水平，根据2002国内的一些报道，某所其投资几百万还是几千万组建
的同一类器件的有源T/R组件的两条生产测试兼调试线（激光调阻），一年可生产合 格某波段T/R组件6000余个（合格率好象70-80%），由于其不够生产两个阵面所用的器件，不能满足国防需求，准备大幅度加大投资增加产量。由此可见我们舰载的T/R 组件关键问题在投资不足导致产能不大，而非合格率问题。对于其它质疑有源阵的说法，我的意见是不妨反证一下，我们怎样将S波段的无源阵 发射机峰值功率提高到2M瓦左右。如果为此调查一下国内真空电子管设计制造加工技 术，就可以比较容易的得出结论：在9x年项目立项时，根本不敢指望能实现无源阵用 的发射机专用大功率行波管、放大管和其它器件能按时达标完成，以今天的研制基础 (或许可以,因为在2002年之后国内研制完成了一套2D的电子管CAD设计和仿真软件，标 志着我们终于对大部分电子管的基础研究取得阶段性进展，不过现在美国3D模拟仿真的电子管CAD软件都差不多完成了，其上应用的一些新技术和设计理论我们基本刚开 始探索，基本而言在这些设计分析工具方面我们最少还有8-12年的差距。当时我们电 子管的整体水平和性能，特别是稳定性和寿命更让军方不敢奢望，经常美国同类管寿 命能上千到几千小时，而我们的才10-几百小时，差距巨大。反而我们在T/R组件上当时已经获得很大突破，只是所用技术层次还比较老，多是采用一些大的微波分立器件，此时我们的MMIC的研制也获得较大整体突破，所以最后在T/R组件问题上，专家建议结合实际，新老方法混合使用，研制我们的大功率L,S,C,X...波段T/R组件技术（相 1关产品预计应用到地面预警炮位雷达、机载预警雷达和舰载相控阵上）。由于有源阵的很多特性，如10%部分器件故障不影响整体性能，这更符合国内对性能可靠性的需 求实际，用无源阵，以我们现在的电子管器件寿命来看，根本无法用，美国同类管基本上是我们现在(2000年以后)管子平均寿命的3-10倍,精度和稳定性更好，在这项目 立项的时候，我国的电子管平均寿命甚至仅有美国的1/20-1/30，其它性能就更别提了。
不是我非要拔高吹嘘国内的技术水平，深入了解一下国内电子元器件的生产的过去和现状，考虑到一些现实因素，可以说当初根本就没有选择无源阵的任何可能性。当然我并不是说国内就不发展无源阵了，处于成本以及具体功能和任务而言。无源阵的前景还是比较好的，国内相关领域一点也不会放松。实际采用先进技术的低成本无源阵的研制工作正在如火如荼的展开。不过但是对于机载和舰载来说，特别是舰载的类宙斯盾系统，国内目前根本没有任何可能性采用无源阵。降低有源阵成本的方式很多， 相关杂志上有介绍，有兴趣可以去找找。
接着贴!!!!:lol :lol
难道某老师说的1um设备出口俄罗斯
指的是这个？:o ;funk
指的是这个？:o ;funk
这个要顶一下
多谢名机兄了。
是不是我们目前T/R组件的制造技术要好于APG77上的了？包括工艺和功率啥的？
目前我没还不能在战斗机上大规模的上AESA是不是生产的量不够，而不是其他问题了？比如J11B上？
7楼的继续泻啊。。。
是不是我们目前T/R组件的制造技术要好于APG77上的了？包括工艺和功率啥的？
目前我没还不能在战斗机上大规模的上AESA是不是生产的量不够，而不是其他问题了？比如J11B上？
7楼的继续泻啊。。。
原帖由 sealksk 于 2007-3-12 11:15 发表
多谢名机兄了。
是不是我们目前T/R组件的制造技术要好于APG77上的了？包括工艺和功率啥的？
目前我没还不能在战斗机上大规模的上AESA是不是生产的量不够，而不是其他问题了？比如J11B上？
7楼的继续泻啊 ...
研制AESA不光是MMIC或T/R组件的问题,同时也是经验问题.日本造MMIC和T/R组件不成问题,但是F-2的雷达设计的可不怎么样,性能也不算理想,早期问题不断,改进后也不是极品!!!
是啊
不光是T/R组建的问题
听说14所那边的确进展很快，都装机实验了好久了
据说一个美国回来的牛人发挥了很大作用，费了不少劲挖回来.....
不光是T/R组建的问题
听说14所那边的确进展很快，都装机实验了好久了
据说一个美国回来的牛人发挥了很大作用，费了不少劲挖回来.....
原帖由 sealksk 于 2007-3-11 18:44 发表
我国目前O52C和KJ2000上用的都是AESA，T/R组件核心是MMIC，据说这玩意老毛子刚能生产，我们目前还不能。那我们现在用的AESA中的MMIC是从哪来的？
或者是052C和KJ2000上的空间比较大，散热容易，不要求用MMI ...
走私:@
手机里的T/R组件怎么样？如果功率大100倍，就可以当AESA的T/R
了。:D
了。:D
接着装菜
科研加特种兵，以前看的一些帖子说特种兵能从国外带回了一些好东西。我倒不是说这个东西，只是一下子想起以前的帖子了。
我还是相信中国科研人员的实力的，突破一些瓶颈后很多东西就是投人投钱的问题了。
我还是相信中国科研人员的实力的，突破一些瓶颈后很多东西就是投人投钱的问题了。