我国舰载氮化镓基HMET的C波段雷达的一篇论文（节录附链 ...

这是在说哪个雷达？

等大神总结。。。。

guoxing1987 发表于 2016-2-2 10:46
这是在说哪个雷达？
和地平线顶的那个球同一个波段。

和地平线顶的那个球同一个波段。
365吗？还是没曝光的新雷达。

guoxing1987 发表于 2016-2-2 10:53
365吗？还是没曝光的新雷达。
不知道，我知道的工作在C波段的舰载相控阵雷达只有地平线的球球和秋月的瓷砖。

研究生毕业论文，看都浪费时间

DDG100000 发表于 2016-2-2 10:56
研究生毕业论文，看都浪费时间

     研究生当然接触不到最核心的东西，但由于研究生跟着导师做项目，所以研究生论文中有时也会包含不少有价值的信息，作为业余军迷可以一读。比如该论文的指导老师陈殿仁还是有一定分量的：
   
  “1992年作为电学方面的负责人，我有机会参加了学校的第一个型号项目“xxx敌我识别与辅助通信系统”的研制工作，历经近八年奋战，由我解决了其中多项重大关键技术问题，成功研制了原理样机、工程初样机和工程正样机，填补了国内这一研究领域的空白，为我国的国防现代化尽了微薄之力，研究成果转让扬州某厂创造产值数千万元，为学校获数百万元技术转让费，该项目2000年获国防科技进步二等奖。2004年，以我为项目组长，承担了国家某重点型号项目“xxx毫米波数据通信系统”的研制任务（这是我校建校以来承担的第二个型号项目），对于我们学校来说毫米波通信是一个全新的研究领域，没有前期研究基础，但是有学校的领导和大力支持、依靠课题组成员的刻苦拼搏与实干精神，历经近五年时间成功研制了两种体制的原理样机、工程初样机和工程正样机，2008年12月在黑龙江省塔河寒区试验取得圆满成功。该项目获国防科工委条件保障建设经费1200余万元，有这项经费支持我作为学科带头人创建了建筑面积达1500余平方米的微波毫米波应用技术研究，研究所测试设备配套齐全，从低频一直涵盖到3毫米波段，研究条件在吉林省甚至东北三省名列前茅，研究成果步入国内为数不多的几所重点大学和中科院的几个研究所同等水平。可以说在我将近花甲之年为学校、为电信学院作了开创性的研究工作，开辟了新的研究领域和全新的研究方向，培养了一支高水平的研究队伍。正因为有这样的研究基础和研究条件，2010年以来我们先后承担了中船重工某所的“xxx毫米波导航”、海军某基地“xxx雷达目标模拟器”等具有高技术水平的重大科研项目，获得科研经费500余万元。还为我校“某激光驾束制导”型号项目研制了具有国内先进水平的“激光电源模块和温度控制模块”。此外，为电子部十所研制的国内先进满足欧洲标准用于外贸出口的毫米波前端即将交付使用。”

漆室葵忧 发表于 2016-2-2 11:03
研究生当然接触不到最核心的东西，但由于研究生跟着导师做项目，所以研究生论文中有时也会包含不 ...
xxx敌我识别与辅助通信系统， 哈哈，激光压制。

茫茫人海 发表于 2016-2-2 11:19
xxx敌我识别与辅助通信系统， 哈哈，激光压制。

99坦克用的。

个人看到了一则消息，sic衬底的白光led通过验收。什么意思呢，其实宣告我国已经掌握了只有科瑞才掌握的在SiC衬底上长出GaN薄膜的技术，白光led靠蓝光led混合其他荧光物激发，而蓝光led的用GaN做的二极管。所以这项目会是863之一，不光只是光源开发上的，还包括是新型半导体研究。

个人看到了一则消息，sic衬底的白光led通过验收。什么意思呢，其实宣告我国已经掌握了只有科瑞才掌握的在SiC衬底上长出GaN薄膜的技术，白光led靠蓝光led混合其他荧光物激发，而蓝光led的用GaN做的二极管。所以这项目会是863之一，不光只是光源开发上的，还包括是新型半导体研究。

这个不用翻论文，翻翻微电子所的官网就能有很多料：
http://www.ime.ac.cn/xwzt/kyzt/201507/t20150727_4404073.html
近日，微电子所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学陈敬教授团队、西安电子科技大学郝跃院士团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得重要进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。

　　第三代半导体材料氮化镓具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等优异的物理性质，尤其是材料本身的强自发和压电极化效应能在AlGaN/GaN异质结构中诱导出高密度、高迁移率的二维电子气（迁移率可达到2000 cm2/V·s以上），突破了传统Si基功率器件的材料极限。这些优良性质促使GaN功率电子器件在工作频率和电能转换效率上脱颖而出，成为下一代高效节能功率电子器件的最佳候选之一。  

　　增强型，也叫常关型，是电力电子应用的关键要求，其中栅槽刻蚀工艺是最早实现GaN增强型器件的技术之一。传统的刻蚀工艺主要在常温下进行，无法实现刻蚀所造成的晶格损伤的原位恢复和刻蚀残留物的及时清除，造成器件输出电流的急剧降低，成为制约该技术在GaN功率电子领域的应用瓶颈。微电子所GaN功率电子器件研究团队通过耐高温刻蚀掩模技术，创新性地采用高温栅槽刻蚀工艺显著降低对沟道二维电子气的损伤，提高了刻蚀残留物的挥发。同时采用自主研制的臭氧辅助原子层沉积技术，制备出高绝缘、低缺陷的Al2O3栅介质，有效抑制了栅极漏电流。结合以上两项创新（如图1所示），最终研制出阈值电压+1.6V，脉冲输出电流高达1.13A/mm，关态功耗仅为6×10-8 W/mm的GaN增强型MIS-HEMT器件。相对于常温刻蚀制备的MIS-HEMT器件（输出电流0.42A/mm），高温刻蚀输出电流提高了将近两倍（如图2（a）和（b）所示）。

　　该增强型MIS-HEMT器件在4GHz下的脉冲输出功率达到5.76 W/mm，功率附加效率57%，高于国际上报道的阈值电压超过+1.5V MIS-HEMT器件的功率性能（如图2（c）所示）。该增强型GaN MIS-HEMT的成功研制突破了栅槽刻蚀技术制备GaN功率电子器件的瓶颈，为进一步提高氮化镓电子器件的工作频率（10 MHz以上）和转换效率奠定了扎实基础。  

　　该项目得到国家自然科学基金和香港政府创新技术基金的资助。研究成果在半导体研究领域权威网站Semiconductor TODAY上报道并被中科院英文网站转载，即将发表于2015年8月的IEEE Electron Device Letters（http://dx.doi.org/10.1109/LED.2015.2445353）。  

国内的问题是，实验室成果往往难以很快投入实际使用；
当年典型的就是等离子显示技术，起步研究时实验室成果并不比日韩差很多，到实用阶段就不行了（跟不上趟了）。

许多量产产品也离实验室样品的性能相去甚远，甚至可以说不是同一个东西；

产学研结合还要好好下功夫。

国内的问题是，实验室成果往往难以很快投入实际使用；
当年典型的就是等离子显示技术，起步研究时实验室成果并不比日韩差很多，到实用阶段就不行了（跟不上趟了）。

许多量产产品也离实验室样品的性能相去甚远，甚至可以说不是同一个东西；

产学研结合还要好好下功夫。

2016-2-2 12:58 上传

此领域目前全球单片量产尺寸最大的晶圆母盘。

绿林奸汉 发表于 2016-2-2 12:44
国内的问题是，实验室成果往往难以很快投入实际使用；
当年典型的就是等离子显示技术，起步研究时并不比日 ...
相关基础产业（尤其是半导体相关）差了不是一个档次。

国内的问题是，实验室成果往往难以很快投入实际使用；
当年典型的就是等离子显示技术，起步研究时实验室成 ...
高校弄几篇论文就认为研究取得突破了，实际上大部分成果要么是买的要么是假的，能实际使用的很少，高校的科研团队极度缺乏工程实践能力，中国高校科研体系可以说是相当的失败，建议全面取消各种科研基金，让那些导师们自己找活干

robotparade 发表于 2016-2-2 14:13
高校弄几篇论文就认为研究取得突破了，实际上大部分成果要么是买的要么是假的，能实际使用的很少，高校的 ...

这是一个世界性的问题，不仅是中国存在。

robotparade 发表于 2016-2-2 14:13
高校弄几篇论文就认为研究取得突破了，实际上大部分成果要么是买的要么是假的，能实际使用的很少，高校的 ...
这种一刀乱砍根本就不是解决问题的方式。

快刀虽然能斩乱麻，但前提这些乱麻是死结。

大过年的，楼上两位不能让我们小白开心一下吗？话说回来，这几天，论坛又可以正常讨论了，水贴少了

大过年的，楼上两位不能让我们小白开心一下吗？话说回来，这几天，论坛又可以正常讨论了，水贴少了

robotparade 发表于 2016-2-2 14:13
高校弄几篇论文就认为研究取得突破了，实际上大部分成果要么是买的要么是假的，能实际使用的很少，高校的 ...
全世界都如此，过去几十年声称的研究突破有多少？最后进入市场的又有多少？

全世界都如此，过去几十年声称的研究突破有多少？最后进入市场的又有多少？
比如电池，几乎天天有新闻，就是没对应新产品。

绿林奸汉 发表于 2016-2-2 12:44
国内的问题是，实验室成果往往难以很快投入实际使用；
当年典型的就是等离子显示技术，起步研究时实验室成 ...
等离子显示本来就竞争不过TFT LCD。当年长虹收破烂去收购棒子快倒闭的公司技术，也只要国企才会干这种傻事。十几亿就这样打水漂了。

playfish 发表于 2016-2-2 12:41
这个不用翻论文，翻翻微电子所的官网就能有很多料：
http://www.ime.ac.cn/xwzt/kyzt/201507/t20150727_44 ...

GaN器件中国还是很有机会的。LED芯片已经做到全球最大了。从设备到材料也基本能国产化了。毕竟三五族半导体门槛比硅半导体要底啊，国家砸个1000亿，还是有明显效果的。
GaN器件估计未来8-15年会蓬勃发展。

zz1976 发表于 2016-2-2 19:01
等离子显示本来就竞争不过TFT LCD。当年长虹收破烂去收购棒子快倒闭的公司技术，也只要国企才会干这种傻 ...
我说的不是一回事；

我说的是等离子电视产业萌芽阶段；
你说的是胜负已分的时候。

绿林奸汉 发表于 2016-2-2 19:08
我说的不是一回事；

我说的是等离子电视产业萌芽阶段；
嗯。不过马后炮下，也幸亏没投入太多，不然血本无归啊。

zz1976 发表于 2016-2-2 19:10
嗯。不过马后炮下，也幸亏没投入太多，不然血本无归啊。
长虹血本无归不是一次两次；

次次十几亿、几十亿；
活生生被蛀虫搞垮掉。

长虹血本无归不是一次两次；

次次十几亿、几十亿；

国企呗，私企谁会这么搞

不知道能看多远！肯定好得多。