美国雷神公司取得氮化镓器件技术领域的又一重大里程碑
来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/27 21:39:19
据普罗维登斯日报网站2014年4月1日报道] 美国雷神公司在下一代氮化镓(GaN)射频半导体技术领域又取得一重大里程碑。雷神公司在美国先期研究计划局(DARPA)“热管理技术”项目中的“近结热传输”子研究方向的支持下,使用金刚石替代SiC作为GaN器件的衬底研制出金刚石基GaN器件。金刚石做衬底材料可将器件的热传导能力提升3~5倍。
雷神公司已证实金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比SiC基GaN器件增加3倍,克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10×125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)测得,HEMT是组成单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的基本单元,是固态射频发射器和有源电子扫描阵列的基础。该成果源于雷神公司之前取得的成就,包括雷神公司在2009年和2011年分别展示的业内首个金刚石基GaN晶体管和金刚石基GaN MMIC。
雷神集成国防系统部(IDS)先进技术分部副总裁乔·比昂迪说:“雷神公司继续成为GaN技术的创新引领者。我们现正将GaN嵌入国防系统中,同时仍致力于增加这项革命性半导体的性能,为我们的士兵提供更强的传感、通信和电子战能力。”
金刚石基GaN器件通过减少器件内的热阻来实现革命性的性能改进,使得GaN具备更高的功率密度,并显著减少国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。GaN是雷神公司的核心竞争力,以及公司重大项目背后的支柱技术,如空中和导弹防御雷达、下一代干扰机。GaN独特的性能使得雷达、电子战和通信系统变得更小、更高效和成本更低。
雷神公司最近还表示,在DARPA MTO办公室的“宽禁带半导体”项目的支持下,该公司已系统地实现了GaN从材料到晶体管、MMIC、收发模块和收发集成多信道模块的全面成熟,为国防部带来了“改变游戏规则”的系统性能
dsti.net/Information/News/87823据普罗维登斯日报网站2014年4月1日报道] 美国雷神公司在下一代氮化镓(GaN)射频半导体技术领域又取得一重大里程碑。雷神公司在美国先期研究计划局(DARPA)“热管理技术”项目中的“近结热传输”子研究方向的支持下,使用金刚石替代SiC作为GaN器件的衬底研制出金刚石基GaN器件。金刚石做衬底材料可将器件的热传导能力提升3~5倍。
雷神公司已证实金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比SiC基GaN器件增加3倍,克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10×125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)测得,HEMT是组成单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的基本单元,是固态射频发射器和有源电子扫描阵列的基础。该成果源于雷神公司之前取得的成就,包括雷神公司在2009年和2011年分别展示的业内首个金刚石基GaN晶体管和金刚石基GaN MMIC。
雷神集成国防系统部(IDS)先进技术分部副总裁乔·比昂迪说:“雷神公司继续成为GaN技术的创新引领者。我们现正将GaN嵌入国防系统中,同时仍致力于增加这项革命性半导体的性能,为我们的士兵提供更强的传感、通信和电子战能力。”
金刚石基GaN器件通过减少器件内的热阻来实现革命性的性能改进,使得GaN具备更高的功率密度,并显著减少国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。GaN是雷神公司的核心竞争力,以及公司重大项目背后的支柱技术,如空中和导弹防御雷达、下一代干扰机。GaN独特的性能使得雷达、电子战和通信系统变得更小、更高效和成本更低。
雷神公司最近还表示,在DARPA MTO办公室的“宽禁带半导体”项目的支持下,该公司已系统地实现了GaN从材料到晶体管、MMIC、收发模块和收发集成多信道模块的全面成熟,为国防部带来了“改变游戏规则”的系统性能
dsti.net/Information/News/87823
雷神公司已证实金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比SiC基GaN器件增加3倍,克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10×125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)测得,HEMT是组成单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的基本单元,是固态射频发射器和有源电子扫描阵列的基础。该成果源于雷神公司之前取得的成就,包括雷神公司在2009年和2011年分别展示的业内首个金刚石基GaN晶体管和金刚石基GaN MMIC。
雷神集成国防系统部(IDS)先进技术分部副总裁乔·比昂迪说:“雷神公司继续成为GaN技术的创新引领者。我们现正将GaN嵌入国防系统中,同时仍致力于增加这项革命性半导体的性能,为我们的士兵提供更强的传感、通信和电子战能力。”
金刚石基GaN器件通过减少器件内的热阻来实现革命性的性能改进,使得GaN具备更高的功率密度,并显著减少国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。GaN是雷神公司的核心竞争力,以及公司重大项目背后的支柱技术,如空中和导弹防御雷达、下一代干扰机。GaN独特的性能使得雷达、电子战和通信系统变得更小、更高效和成本更低。
雷神公司最近还表示,在DARPA MTO办公室的“宽禁带半导体”项目的支持下,该公司已系统地实现了GaN从材料到晶体管、MMIC、收发模块和收发集成多信道模块的全面成熟,为国防部带来了“改变游戏规则”的系统性能
dsti.net/Information/News/87823据普罗维登斯日报网站2014年4月1日报道] 美国雷神公司在下一代氮化镓(GaN)射频半导体技术领域又取得一重大里程碑。雷神公司在美国先期研究计划局(DARPA)“热管理技术”项目中的“近结热传输”子研究方向的支持下,使用金刚石替代SiC作为GaN器件的衬底研制出金刚石基GaN器件。金刚石做衬底材料可将器件的热传导能力提升3~5倍。
雷神公司已证实金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比SiC基GaN器件增加3倍,克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10×125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)测得,HEMT是组成单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的基本单元,是固态射频发射器和有源电子扫描阵列的基础。该成果源于雷神公司之前取得的成就,包括雷神公司在2009年和2011年分别展示的业内首个金刚石基GaN晶体管和金刚石基GaN MMIC。
雷神集成国防系统部(IDS)先进技术分部副总裁乔·比昂迪说:“雷神公司继续成为GaN技术的创新引领者。我们现正将GaN嵌入国防系统中,同时仍致力于增加这项革命性半导体的性能,为我们的士兵提供更强的传感、通信和电子战能力。”
金刚石基GaN器件通过减少器件内的热阻来实现革命性的性能改进,使得GaN具备更高的功率密度,并显著减少国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。GaN是雷神公司的核心竞争力,以及公司重大项目背后的支柱技术,如空中和导弹防御雷达、下一代干扰机。GaN独特的性能使得雷达、电子战和通信系统变得更小、更高效和成本更低。
雷神公司最近还表示,在DARPA MTO办公室的“宽禁带半导体”项目的支持下,该公司已系统地实现了GaN从材料到晶体管、MMIC、收发模块和收发集成多信道模块的全面成熟,为国防部带来了“改变游戏规则”的系统性能
dsti.net/Information/News/87823
雷达的半导体吧
中科院的金刚石基底膜进展也不错吧
金刚石?难以想象,贵不贵啊
楼主就是来水贴的水军,第六个马甲,链接打不开,新闻要么博客要么老新闻,大家看看就好别回复了
人造金刚石而已,金刚石基GaN器件,雷达元器件?
嗯批准怀孕
山寨技术有目标了
楼主美国水军,不送!!!
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