美国TriQuint公司成为首个氮化镓器件制造成熟度达到9级 ...

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/28 12:00:04
http://www.dsti.net/Information/News/89681

    [据今日半导体网站2014年7月29日报道]美国射频前端组件制造商TriQuint半导体公司表示,它是第一个实现氮化镓(GaN)射频芯片制造成熟度(MRL)达到9级的生产商,这意味着它的氮化镓制造工艺已满足全部的性能、成本和容量目标要求,并已具备支持全速率生产的能力。

    为达到MRL9标准,TriQuint公司采用美国空军研究实验室(AFRL)的制造成熟度评价工具和标准对其高频、高功率GaN生产线进行了评估。TriQuint公司表示,其正在进行的GaN基器件的研发正带来更小、更高效的功率放大器,而这些放大器通常用于军用雷达和电子战项目,以及商业无线通信和基础设施。

    TriQuint公司基础设施和国防产品部副总裁兼总经理詹姆斯·克莱因表示:“TriQuint公司最近完成了“国防生产法案第三法令”中的碳化硅(SiC)基GaN的项目,现在我们已经证明,我们提供的GaN技术具备支持全速率生产计划所需的成熟度。这是一个伟大的团队努力结果,我们利用了整个行业的合作伙伴关系,其中包括美国国防部、美国国内和国际客户,以及一个出色的供应基地。”

    评估关键是,TriQuint公司已经生产出超过17万件的0.25微米GaN功率放大器件,来支持一项正在进行的国际雷达生产项目。在相控阵雷达的现场测试过程中,约1.5万件器件已经累计无故障工作超过367万器件小时。TriQuint公司继续对产品可靠性进行了验证,在200℃温度下平均无故障时间远超过7000万小时,远高于行业标准的100万小时平均无故障时间。

    作为一个固定为美国国内和国际防御项目提供GaN的供应商,TriQuint公司于1999年开始探索GaN的可行性,并于2008年推出了第一个SiC基GaN的生产工艺。自那以后,该公司持续投资以完善该技术。目前,TriQuint公司的GaN晶圆产量已赶上该公司传统的砷化镓(GaAs)技术。在为国防和商业应用领域进行的GaN研究和产品开发过程中,TriQuint公司表示,它一直提供创纪录的GaN电路可靠性和紧凑、高效的产品,为实现更高性能、更低维护费用和更长工作寿命铺平了道路。TriQuint公司也被美国国防部(DoD)认证为可提供代工、后道工艺、封装和组装、射频测试等服务的微电子可信供应商(种类A1)

    美国国防部的制造成熟度评估(MRA)是为了确保制造、生产和质量保证能够满足作战任务需求。该MRA工具依据标准对科技公司进行评估,通过检验工业基地成熟度、技术开发与质量和生产管理,对给定技术提供关于成熟度和风险的指导。这个过程保证了产品或系统可成功地从工厂生产转化到实际应用。(
工业和信息化部电子科学技术情报研究所  唐旖浓)http://www.dsti.net/Information/News/89681

    [据今日半导体网站2014年7月29日报道]美国射频前端组件制造商TriQuint半导体公司表示,它是第一个实现氮化镓(GaN)射频芯片制造成熟度(MRL)达到9级的生产商,这意味着它的氮化镓制造工艺已满足全部的性能、成本和容量目标要求,并已具备支持全速率生产的能力。

    为达到MRL9标准,TriQuint公司采用美国空军研究实验室(AFRL)的制造成熟度评价工具和标准对其高频、高功率GaN生产线进行了评估。TriQuint公司表示,其正在进行的GaN基器件的研发正带来更小、更高效的功率放大器,而这些放大器通常用于军用雷达和电子战项目,以及商业无线通信和基础设施。

    TriQuint公司基础设施和国防产品部副总裁兼总经理詹姆斯·克莱因表示:“TriQuint公司最近完成了“国防生产法案第三法令”中的碳化硅(SiC)基GaN的项目,现在我们已经证明,我们提供的GaN技术具备支持全速率生产计划所需的成熟度。这是一个伟大的团队努力结果,我们利用了整个行业的合作伙伴关系,其中包括美国国防部、美国国内和国际客户,以及一个出色的供应基地。”

    评估关键是,TriQuint公司已经生产出超过17万件的0.25微米GaN功率放大器件,来支持一项正在进行的国际雷达生产项目。在相控阵雷达的现场测试过程中,约1.5万件器件已经累计无故障工作超过367万器件小时。TriQuint公司继续对产品可靠性进行了验证,在200℃温度下平均无故障时间远超过7000万小时,远高于行业标准的100万小时平均无故障时间。

    作为一个固定为美国国内和国际防御项目提供GaN的供应商,TriQuint公司于1999年开始探索GaN的可行性,并于2008年推出了第一个SiC基GaN的生产工艺。自那以后,该公司持续投资以完善该技术。目前,TriQuint公司的GaN晶圆产量已赶上该公司传统的砷化镓(GaAs)技术。在为国防和商业应用领域进行的GaN研究和产品开发过程中,TriQuint公司表示,它一直提供创纪录的GaN电路可靠性和紧凑、高效的产品,为实现更高性能、更低维护费用和更长工作寿命铺平了道路。TriQuint公司也被美国国防部(DoD)认证为可提供代工、后道工艺、封装和组装、射频测试等服务的微电子可信供应商(种类A1)

    美国国防部的制造成熟度评估(MRA)是为了确保制造、生产和质量保证能够满足作战任务需求。该MRA工具依据标准对科技公司进行评估,通过检验工业基地成熟度、技术开发与质量和生产管理,对给定技术提供关于成熟度和风险的指导。这个过程保证了产品或系统可成功地从工厂生产转化到实际应用。(
工业和信息化部电子科学技术情报研究所  唐旖浓)
这个看不懂了,求大能解毒
不明觉厉!来自: iPhone客户端
耐高温单晶的工业化生产,真正地走出实验室。是这样吗?
这个看不懂了,求大能解毒

从碳化硅看 应该是 n和ga属同一族  也就是单晶结构 参考单晶硅 众所周知 硅用处很大 但高温会氧化  现在是耐高温单晶
要看其寿命周期内性能的衰减和可靠性,这是氮化镓器件最主要的问题。距离真正的实用还有距离呢
从碳化硅看 应该是 n和ga属同一族  也就是单晶结构 参考单晶硅 众所周知 硅用处很大 但高温会氧化  现 ...
B,Al,Ga硼铝镓是三族元素,N,P,As氮磷砷是五族元素,两者的化合价正好是互补的,能形成稳定的共价化合物,好像是类似金刚石的晶格结构(硅也是)
还有,硅在高温下好像不是氧化问题,而是温度高了失去半导体性,所以常见硅器件限温125摄氏度,锗器件更惨,好像是90还是105来者就失效了
B,Al,Ga硼铝镓是三族元素,N,P,As氮磷砷是五族元素,两者的化合价正好是互补的,能形成稳定的共价化合物 ...
氮化镓可不是金刚石结构
做过一个这方面的课题,国内还是很偏向于设计,制造工艺上实验室的水准都不一定比得上那些公司的商业化成品
氮化镓可不是金刚石结构
sorry,记错了,应该是闪锌矿晶体结构
http://baike.baidu.com/view/2367275.htm
我不懂这些,只是好奇有没有华人研究员在这项目
简单讲下吧,国内13所和55所有小尺寸制造能力,但是线宽还比较大,器件电性参数还比不上几家大公司,曾经想引进氮化镓技术但是还没谈好,进口器件挺多,砷化镓目前六寸比较成熟了,有部分制造工艺要差些,但是暂时满足自己需要了。氮化镓目前外延生长技术还很差,硅基氮化镓花了大量精力却没突破,在走另外一条路,更别说完整的量产生产线了,国外包括台湾暂时领先我们。我目前调研报告正在写这方面的东西,三五族半导体最新动态,主要就是氮化镓的
是不是那个在空间站中才能作出最大直径的东西,预警机上面的
militer 发表于 2014-8-3 00:43
简单讲下吧,国内13所和55所有小尺寸制造能力,但是线宽还比较大,器件电性参数还比不上几家大公司,曾经想 ...
请问一下,这个氮化镓军事上是做什么器件用的?
像氮化镓、砷化镓这种Ⅲ-Ⅴ族化合物,能带是直接带隙结构,跃迁光子自动满足动量守恒,是最常用的光学光电子器件
10万小时是5年,100万小时是50年。这7000万小时的无故障率要怎么测试得出。。。
老化测试,折算成正常使用的时间
sorry,记错了,应该是闪锌矿晶体结构
http://baike.baidu.com/view/2367275.htm
还有wurtzite结构…

xxfzero 发表于 2014-8-3 01:04
请问一下,这个氮化镓军事上是做什么器件用的?


主要用于雷达和电子对抗,民用市场也用,常见的就是电子狗和手机的射频,3g和wifi之类,不过硅基的挺多,硅基的便宜而且器件整合能力比三五族强很多,常见手机评测里常有说某款手机啥啥的信号差,通常用的就是硅基芯片。
xxfzero 发表于 2014-8-3 01:04
请问一下,这个氮化镓军事上是做什么器件用的?


主要用于雷达和电子对抗,民用市场也用,常见的就是电子狗和手机的射频,3g和wifi之类,不过硅基的挺多,硅基的便宜而且器件整合能力比三五族强很多,常见手机评测里常有说某款手机啥啥的信号差,通常用的就是硅基芯片。
脚盆又没得吹了
主要用于雷达和电子对抗,民用市场也用,常见的就是电子狗和手机的射频,3g和wifi之类,不过硅基的挺多 ...
缩小线宽有何难度?
militer 发表于 2014-8-3 00:43
简单讲下吧,国内13所和55所有小尺寸制造能力,但是线宽还比较大,器件电性参数还比不上几家大公司,曾经想 ...
国内GaN还么那么烂吧,台湾就是起步早点而已。氮化镓要想成功,还得使用衬底。但是衬底做的人少,做的好少,量产也远着呢。因为价格贵,量少,关于衬底上GaN器件的研究太少。13和55所做的也一般,他们能拿出来吹的器件,大都是走私进来的,不说而已
militer 发表于 2014-8-3 08:31
主要用于雷达和电子对抗,民用市场也用,常见的就是电子狗和手机的射频,3g和wifi之类,不过硅基的挺多 ...
GaN也就在发光方面做得好,做电子电力器件,最起码得10年以后才可能大规模应用。技术的进步使得硅基也可以在高功率方面发展。何况硅基的集成更好更容易。
xxfzero 发表于 2014-8-3 01:04
请问一下,这个氮化镓军事上是做什么器件用的?
雷达,我只知道这个
蓝风o 发表于 2014-8-3 02:22
10万小时是5年,100万小时是50年。这7000万小时的无故障率要怎么测试得出。。。
折算出来的
militer 发表于 2014-8-3 00:43
简单讲下吧,国内13所和55所有小尺寸制造能力,但是线宽还比较大,器件电性参数还比不上几家大公司,曾经想 ...
谢谢科普        
流年不利nature 发表于 2014-8-3 11:07
雷达,我只知道这个
主动相控阵雷达射频单元T/R模块用这个目前是最优方向。
第八炮兵 发表于 2014-8-3 11:13
主动相控阵雷达射频单元T/R模块用这个目前是最优方向。
对对,就是这个东西
像氮化镓、砷化镓这种Ⅲ-Ⅴ族化合物,能带是直接带隙结构,跃迁光子自动满足动量守恒,是最常用的光学光电 ...
你才是高手!!!!!
蓝风o 发表于 2014-8-3 02:22
10万小时是5年,100万小时是50年。这7000万小时的无故障率要怎么测试得出。。。
这不是用一片从零开始测吧,用很多片同时测,经过同一时间段都没有故障,然后各芯片工作时间相加吧;类似新型战机测试,机体寿命应该不是用一架飞机从头到尾飞几千小时,而是很多架飞机测试,飞行时间相加吧;
militer 发表于 2014-8-3 00:43
简单讲下吧,国内13所和55所有小尺寸制造能力,但是线宽还比较大,器件电性参数还比不上几家大公司,曾经想 ...
台湾有什么公司搞这个的?确实是BKC 啊,希望13,55所努力点。