由长春光机所，成都光电所和国防科大联合攻关的32一45纳 ...

看论文介绍，NA值为1.35，45纳米光刻机的标准

不是九十纳米吗？到底是多少纳米？

90纳米是巳研制成功的，主要靠海归，但目前没人用，45纳米是正在研制的，关键技术靠国内

回味秦朝 发表于 2013-8-24 22:50
不是九十纳米吗？到底是多少纳米？

90纳米是巳研制成功的，主要靠海归，但目前没人用，45纳米是正在研制的，关键技术靠国内

光源搞定了吗？这个只是镜头搞定啊！

中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？

从无到有，从有到好，从好到硬，从硬到霸，从霸到王

哈工大负责研制光源,巳研制出100hz原理样机,正在研制1Khz 毛细管放电Xe等离子体极紫外光刻光源
http://cache.baiducontent.com/c?m=9f65cb4a8c8507ed4fece763104687270e54f73f6b91804e2ac3933fc239045c013ca3ec74740704a5c57b6504ab4c56fdf04071200356b48cc8ff109be4cc3c6ad567627f0bf74005a069b8ba3232b12a872ae2b86f96adf14284ded7c4ae5344ba54120d85e78a2a4a43dd6e800341e4b1e842022e12ad9a4072895c605f9e3441c650889125190096f7ad4b3cb23da3110696df22c63b05c467b36e6d3333a05bb07846563bf73827e8344913e39a4ae65a6e3028a13fb3aeb7b0fc388acbeb418f8cc8b859977796b2fd8905557122ed55c8bcc9b82a124215a9c1&p=c267ce15d9c046aa1cb5d02d0214cc&newp=8b2a97129c934eac5fe8c92b44518d231610db2151ddd316289e&user=baidu&fm=sc&query=%C3%AB%CF%B8%B9%DC%B7%C5%B5%E7Xe%B5%C8%C0%EB%D7%D3%CC%E5%BC%AB%D7%CF%CD%E2%B9%E2%BF%CC%B9%E2%D4%B4%D1%D0%BE%BF%BD%F8%D5%B9&qid=&p1=6

哈工大负责研制光源,巳研制出100hz原理样机,正在研制1Khz 毛细管放电Xe等离子体极紫外光刻光源
http://cache.baiducontent.com/c?m=9f65cb4a8c8507ed4fece763104687270e54f73f6b91804e2ac3933fc239045c013ca3ec74740704a5c57b6504ab4c56fdf04071200356b48cc8ff109be4cc3c6ad567627f0bf74005a069b8ba3232b12a872ae2b86f96adf14284ded7c4ae5344ba54120d85e78a2a4a43dd6e800341e4b1e842022e12ad9a4072895c605f9e3441c650889125190096f7ad4b3cb23da3110696df22c63b05c467b36e6d3333a05bb07846563bf73827e8344913e39a4ae65a6e3028a13fb3aeb7b0fc388acbeb418f8cc8b859977796b2fd8905557122ed55c8bcc9b82a124215a9c1&p=c267ce15d9c046aa1cb5d02d0214cc&newp=8b2a97129c934eac5fe8c92b44518d231610db2151ddd316289e&user=baidu&fm=sc&query=%C3%AB%CF%B8%B9%DC%B7%C5%B5%E7Xe%B5%C8%C0%EB%D7%D3%CC%E5%BC%AB%D7%CF%CD%E2%B9%E2%BF%CC%B9%E2%D4%B4%D1%D0%BE%BF%BD%F8%D5%B9&qid=&p1=6

中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
欧洲的
asml

光源什么时候能够搞定？我觉得国防科大的镜头加工到不是问题了。我国每年进口光刻机生产的产品总额超过原材料进口的总额。期待早日研制成功！！

asml神一般的工业母鸡。

围观_群众 发表于 2013-8-24 23:35
中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
ASML，独此一家，nicon现在也跟不上了！来自: Android客户端

上海微电子已研制成功的90纳米光刻机已采用ArF光源,但 SSA600/20 步进扫描投影光刻机,其孔径值NA只有0.75,如果该光刻机光源不变,换用国防科大NA值为1.35的镜头,应该可在不做大的改进下升级为32一45纳米光刻机

193nm Arf光源还大有潜力可挖

==半导体产业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm，这意味着如果EUV技术再次推迟应用，到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟，制程才能再继续缩小下去。依目前的态势，即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上，即7nm或者5nm。因为按理论测算，在5nm时可能器件已达到物理极限。

回味秦朝 发表于 2013-8-25 00:36
光源什么时候能够搞定？我觉得国防科大的镜头加工到不是问题了。我国每年进口光刻机生产的产品总额超过原材 ...

上海微电子已研制成功的90纳米光刻机已采用ArF光源,但 SSA600/20 步进扫描投影光刻机,其孔径值NA只有0.75,如果该光刻机光源不变,换用国防科大NA值为1.35的镜头,应该可在不做大的改进下升级为32一45纳米光刻机

193nm Arf光源还大有潜力可挖

==半导体产业已经迈入14nm制程，2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说，传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm，这意味着如果EUV技术再次推迟应用，到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟，制程才能再继续缩小下去。依目前的态势，即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上，即7nm或者5nm。因为按理论测算，在5nm时可能器件已达到物理极限。

hswz 发表于 2013-8-25 00:23
哈工大负责研制光源,巳研制出100hz原理样机,正在研制1Khz 毛细管放电Xe等离子体极紫外光刻光源
http://cac ...

kao 放电等离子dpp 这家伙都要上啊 上海光机所是激光等离子lpp的

应该是国内两路都在进行,一路是ArF不断演进,先干式,再浸入式,孔径不断变大,再多次图形曝光,另一路是EUV

jeciq 发表于 2013-8-25 01:48
kao 放电等离子dpp 这家伙都要上啊 上海光机所是激光等离子lpp的

应该是国内两路都在进行,一路是ArF不断演进,先干式,再浸入式,孔径不断变大,再多次图形曝光,另一路是EUV

hswz 发表于 2013-8-25 01:09
上海微电子已研制成功的90纳米光刻机已采用ArF光源,但 SSA600/20 步进扫描投影光刻机,其孔径值NA只有0. ...

光刻机搞定了，想想下我们可以多进口一倍的原材料，那是多么富有啊，进入发达国家妥妥的了。有了这钱再投资航母和机床和航空发动机！！！

这个是好消息。

要置齐全套芯片生产设备，还需要什么关键的东西？

我记得CCTV好像报道过，我国在深紫外光源方面的技术水平还是很高的，部分技术世界领先。
报道中还说到，好像有外国的科研机构想要来交流，我们没同意，说是该技术对外封锁。

ha 光刻机要变成非高科技了

jeciq 发表于 2013-8-25 18:11
ha 光刻机要变成非高科技了
这个东西搞定，起码少进口3000亿美元

好消息！
搞定后要尽快进入市场！美鬼卡脖子的机会又少一个鸟！

看来45纳米光刻机估计还是上海微电子搞

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2010年12月15日
上海市科委基础研究重点项目
“光刻成像焦深延拓与像质原位检测的理论和实验研究”通过验收
近日，由中科院上海光机所牵头，上海理工大学、国家光刻设备工程技术研究中心共同承担的上海市基础研究重点项目“光刻成像焦深延拓与像质原位检测的理论和实验研究”通过上海市科委验收。
极大规模集成电路已成为几乎一切高技术领域发展的基础。新一代集成电路的出现，总是以光刻工艺实现更小的芯片特征尺寸为主要技术标志。根据2009年国际半导体技术蓝图，193纳米浸没式光刻技术是45纳米以下节点重要的光刻技术，经过技术创新可延伸至16纳米节点。在超大数值孔径投影物镜与偏振光照明条件下，如何通过理论创新和突破，发展适用于上述节点的193纳米浸没式光刻机的像质原位检测技术与焦深延拓技术是该领域面临的一个重要研究课题。
上海光机所王向朝研究员研究团队、上海理工大学庄松林院士研究团队与国家光刻设备工程技术研究中心密切合作，在光刻机像质原位检测技术与光刻成像焦深延拓技术研究领域取得了重大进展。在大视场、大数值孔径投影物镜与偏振光照明条件下，基于掩模电磁场三维散射理论与物方衍射的偏振和非近轴特性，建立了描述光刻系统像空间光场分布的矢量场衍射理论与光刻矢量场成像理论模型；基于Hopkins部分相干成像理论和非近轴标量场成像条件，通过引入倾斜因子分别从振幅和相位两方面对国际现有光刻成像理论进行了修正，完善了标量场光刻成像理论模型；基于电磁波矢量平面波谱理论建立了应用于共轴光学系统和双折射光学系统的光学矢量场成像理论模型，发展了矢量场衍射的焦深延拓理论模型。在此基础上，该项目建立了投影物镜波像差检测线性模型，研究了能够较大幅度提高测量精度的投影物镜波像差检测新技术，研究了浸没式光刻机偏振照明优化技术，分析了特殊偏振光产生与转换调节新方法。项目相关研究成果已在上海微电子装备有限公司研发的步进扫描投影光刻机上得到应用。
在项目研究过程中，项目组建立了光学成像系统聚焦区三维光强分布纳米级分辨率测量平台与光刻机像质原位检测技术基础研究实验平台。项目组在国际一流光学期刊《Optics Express》、《Applied Optics》、《Journal of Optics Society of America A》、国际一流微电子期刊《Microelectronic Engineering》等学术刊物上发表SCI收录论文20篇，申请国家专利31项，其中发明专利27项。（信息光学与光电技术实验室供稿）

偏振光和白俄罗斯一起搞
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科技部国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”召开技术研讨会
2012-05-16  巩岩
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物镜偏心测试技术及装置是高精度物镜装配技术的核心之一，为了提高我国在此技术领域的技术水平，2012年5月8日至15日，科技部中白联合国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”的子课题“高精度无应力光机结构设计与装配平台研发”技术研讨会在长春光机所应用光学国家重点实验室召开，白俄罗斯KBTEM-OMO公司、长春光机所、上海光机所、成都光电所与北京光电院的相关技术专家参加了本次会议。
本次研讨会重点开展了高精度装调平台概念设计及设计指标分析确定研讨，双方专家就白方所作的“高精度装配平台的工作原理与应用”、“装配平台概念设计”与长光所方所作的“0.2微米定心装配平台初始设计指标分析及确定”三个技术报告进行了深入的交流和详细的讨论。通过交流和讨论，双方明确了在高精度装调平台研发项目中的任务分工与光机电接口关系，确认了关键的光机电技术指标，并制订了双发下一步的研究内容和工作计划。此外，白俄罗斯专家还参观了应用光学国家重点实验室及长光博物馆等设施和展馆。
经过共同努力，中白双方最终签署了会议备忘录，本次研讨会圆满完成。


科技部国际科技合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”技术研讨会在上海光机所召开
信息来源：上海光学精密机械研究所 发布时间：2012年09月17日 【大 中 小】 【打印】 【关闭】
9月2至8日，科技部中白国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”课题1与课题4的技术研讨会在上海光机所召开，白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司、上海光机所、长春光机所、光电研究院与成都光电所的专家及中国长城工业集团有限公司的代表参加了会议。
本次会议的议题是对白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司所作的高端光刻机偏振照明系统的初步设计方案和照明光瞳偏振参数检测传感器的机械设计方案进行评审。会议期间，双方重点就上述两个设计方案的创新性与可行性进行了详细与深入的讨论，并制订了下一步合作研究的计划与工作重点。（信息光电实验室供稿）



偏振光和白俄罗斯一起搞
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科技部国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”召开技术研讨会
2012-05-16  巩岩
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物镜偏心测试技术及装置是高精度物镜装配技术的核心之一，为了提高我国在此技术领域的技术水平，2012年5月8日至15日，科技部中白联合国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”的子课题“高精度无应力光机结构设计与装配平台研发”技术研讨会在长春光机所应用光学国家重点实验室召开，白俄罗斯KBTEM-OMO公司、长春光机所、上海光机所、成都光电所与北京光电院的相关技术专家参加了本次会议。
本次研讨会重点开展了高精度装调平台概念设计及设计指标分析确定研讨，双方专家就白方所作的“高精度装配平台的工作原理与应用”、“装配平台概念设计”与长光所方所作的“0.2微米定心装配平台初始设计指标分析及确定”三个技术报告进行了深入的交流和详细的讨论。通过交流和讨论，双方明确了在高精度装调平台研发项目中的任务分工与光机电接口关系，确认了关键的光机电技术指标，并制订了双发下一步的研究内容和工作计划。此外，白俄罗斯专家还参观了应用光学国家重点实验室及长光博物馆等设施和展馆。
经过共同努力，中白双方最终签署了会议备忘录，本次研讨会圆满完成。


科技部国际科技合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”技术研讨会在上海光机所召开
信息来源：上海光学精密机械研究所 发布时间：2012年09月17日 【大 中 小】 【打印】 【关闭】
9月2至8日，科技部中白国际合作项目“高端光刻机偏振照明关键技术联合研究”课题1与课题4的技术研讨会在上海光机所召开，白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司、上海光机所、长春光机所、光电研究院与成都光电所的专家及中国长城工业集团有限公司的代表参加了会议。
本次会议的议题是对白俄罗斯KBTEM-OMO光学公司所作的高端光刻机偏振照明系统的初步设计方案和照明光瞳偏振参数检测传感器的机械设计方案进行评审。会议期间，双方重点就上述两个设计方案的创新性与可行性进行了详细与深入的讨论，并制订了下一步合作研究的计划与工作重点。（信息光电实验室供稿）

偏振光我们还是小学生

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德国耶拿大学教授到上海光机所交流
文章来源：上海光学精密机械研究所 发布时间：2012-10-10 【字号： 小 中 大】
10月8日，德国耶拿大学（Friedrich-Schiller-University Jena）Frank Wyrowski博士到中科院上海光学精密机械研究所开展学术交流并作学术报告。
在题为Optical Modeling Beyond Ray Tracing的报告中，Frank Wyrowski博士详细阐述了用于复杂光学系统的仿真方法——场追迹，讨论了场追迹方法在光源设置、光学系统建模和光学参数输出方面的优势，并对高端光刻机偏振照明系统的整体性能仿真提出了有价值的建议。相关研究人员和研究生参加了学术讨论会。另外，双方就今后拟开展的具体合作领域达成意向。
Frank Wyrowski博士自1996年起受聘为德国耶拿大学技术物理学教授、光学工程部主任，目前主要从事基于场追迹方法的光学系统仿真研究，该方法能够实现包含衍射光学元件、微透镜阵列组件、传统光学透镜在内的复杂光学系统的仿真，将为高端光刻机偏振照明系统的整体性能仿真与分析提供一条有效的研究途径。

看论文分析. http://www.docin.com/p-304398428.html
,65纳米可以还采用干式,45纳米就必须用浸入式了
===

为了 实现45 nm 的分辨率，浸没式投 影物镜的数值孔径一般大于1.2， 因此在浸没式光刻机中一般采用 偏振光照明技术以保证较高的成 像对比度。 ArF 浸没式光刻技术不需要 研发新的掩模、透镜和光刻胶材 料，甚至还可以保留现有 ArF 干 式光刻机的大部分组件，仅需对 部分分系统进行改进设计即可。 因此，ArF 浸没式光刻机的研发 成本将得到有效控制。ArF 浸没 式光刻机将是 65 nm 和 45 nm 节点的主流光刻设备，且有潜力 延伸到更小的节点。
干式 ArF光刻机正在 90 nm 节点的制造工艺中发挥着重要作 用。浸没式技术的到来并没有阻 止干式 ArF光刻机继续向前发展 的步伐。最近，ASML 和Nikon分 别推出了最新型的干式ArF 光刻 机，数值孔径均达到 0.9 以上，结 合分辨率增强技术和偏振光照明 技术，完全可以胜任65 nm 节点 的工艺制造。 ASML 公司于2005 年推出了 最 新 的 干 式 ArF 光 刻 机 TWINSCAN XT:1400 [22] 。它使用了 Carl Zeiss 公 司 最 新 设 计 的 Starlith TM 1400 投影物镜，最大数值孔径达到 0.93，具备较好的像 差和杂散光控制，使实现 65 nm 的光刻分辨率成为可能。

hswz,您认为中国的32纳米光刻机两年内可以做成吗？

hswz,您认为中国的32纳米光刻机两年内可以做成吗？

不可能,最大可能先出65纳米干式,再出45纳米浸入式

论文和我猜想的一样,上海微电子正在研发65纳米干式光刻机
===
光刻机多面体主基板的设计与算法
论述了一种扫描式投影曝光光刻机主基板的设计制造过程,在该主基板上需要安装投影物镜和多个纳米级高精度测量分系统.为满足设计需求,规划了整机内部结构所需占用的最小三维空间,并基于计算几何的方法设计主基板和测量支架.首先进行数据的采集,对主基板和测量支架的安装面上的接口和支撑位置进行有效定义,明确所有相关接口在三维空间内的位置数据；其次采用凸包算法求解获得主基板多面体的外形轮廓,由于光刻机内部结构的复杂性,还要对模型进行局部修正；再次,结合平面切剖多面体算法设计主基板内部结构；最后,经有限元仿真验证取得了提高振动模态和减小结构质量的双重改进效果,达到了设计性能指标并且该结构适合工程制造.作者：吴飞王茜袁志扬魏巍陈文枢Author：Wu FeiWang QianYuan ZhiyangWei WeiChen Wenshu作者单位：上海微电子装备有限公司,上海,201203期 刊：中国机械工程ISTIC

听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一个波斯湾的石油加一个巴西的铁矿石啊的价值啊！

回味秦朝 发表于 2013-8-25 22:40
听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一 ...
也不是这一个拉

每年都要从德国进口大批的机械设备

等等吧,忍忍吧.

hswz 发表于 2013-8-25 22:29
论文和我猜想的一样,上海微电子正在研发65纳米干式光刻机
===
光刻机多面体主基板的设计与算法
论述了一种扫描式投影曝光光刻机主基板的设计制造过程,在该主基板上需要安装投影物镜和多个纳米级高精
ASML和Nikon现在最新技术到哪个程度了？ASML现在在主攻EUV吗？来自: Android客户端

机械差距倒没有那么大！机械的子系统可以分项进入市场检验，但光刻机不行，这几年机床进步还是挺大的，已近有自己的系统了。

听了您的话，绝望了，10年追不上！！难道就不能跳过某些阶段吗？比如直接32纳米？光刻机超重要啊！相当于一 ...
十二五规划都不敢做这个梦
===
　集成电路生产设备：实现8英寸0.13微米集成电路成套生产线设备和12英寸65纳米-45纳米集成电路关键设备产业化，除光刻机外，包括刻蚀、封测设备等基本缩小差距至1代甚至基本同步

十二五能把65做能出来实用了 就已经红果果了

唉，早就绝望了，不过跨时代的飞跃也不一定，石墨烯就是中国最先量产的。

其实有时候就是一层窗户纸 等待捅破它 是可以实现质的飞跃的

不光是集成电路制造设备 整个集成电路产业奇缺高端人才  工艺研发 IC设计 更是没有强有力竞争的集成电路企业。

vayblin 发表于 2013-8-25 00:45
ASML，独此一家，nicon现在也跟不上了！
还有应用材料,LAM

我记得CCTV好像报道过，我国在深紫外光源方面的技术水平还是很高的，部分技术世界领先。
报道中还说到，好 ...
以前小鬼子的那套不管用了

中芯国际28nm的光刻机是哪个公司的？
荷兰这鼻屎国家的。