求教 我们近年内有没有可能建立成熟的国产闪存工业?原谅 ...

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/29 11:27:18


求教 我们近年内有没有可能建立成熟的国产闪存工业?原谅我总看三星不爽
现在闪存越来越重要了 以后可能每一台电脑每一部手机都需要大容量闪存芯片 市场不能都让棒子占领吧
外行 连百度都找不到合适的关键词 求懂行的指点

求教 我们近年内有没有可能建立成熟的国产闪存工业?原谅我总看三星不爽
现在闪存越来越重要了 以后可能每一台电脑每一部手机都需要大容量闪存芯片 市场不能都让棒子占领吧
外行 连百度都找不到合适的关键词 求懂行的指点
这个需要技术投入啊,不是一两年能追上的,你做出来没人家成本低性能好,只能被淘汰啊。
三星有啥不爽的?看到日本货、苹果之流浑身起疙瘩才正常。
闪存   内存暂时都没戏
前不久在哪看到一条新闻,说中芯国际开始自产Nor flash,今天找不到找不到原文了,这条咨询给你做参考:NOR市场仍有可为 需找寻平衡点www.eepw.com.cn/article/1396141.htm
开发下一代存储技术才是根本
三星作闪存也是连续巨额亏了十年,才有今天一家独大的局面
看现在这内存的价格就知道这NAND的利润真心低得不行。
既然看不爽三星就买镁光条呗。
除非再来个类似京东方这样不怕亏损的企业
没啥可能
hrabbit 发表于 2012-12-17 18:01
TCL有做闪存 三星的新SSD s840用的就是TCL的闪存
那是TLC,和TCL一个铜板关系都没有。
比MLC的寿命短。
hrabbit 发表于 2012-12-17 18:01
TCL有做闪存 三星的新SSD s840用的就是TCL的闪存
你逗死我了
华赛不是有做闪存颗粒么
告诉你们吧 省着百度了 国内一共做闪存的就两家 而起都是fabless 国内原来有家隆智半导体的 做nor flash闪存的 但是好像做亏了现在被美国飞索收购了 还有一家做闪存的 北京兆易创新 但是一直没做nand 但是已经开始研发 1G NAND 说是在亦庄中芯流片 这还得看中芯28nm什么时候量产了 但是兆易创新绝对也是唯一的是国产nand闪存的希望
看看台湾做内存的 很惨 到现在还在亏 制程不升级要亏 升级了也不知道能不能盈利
fafo770 发表于 2012-12-17 22:29
看看台湾做内存的 很惨 到现在还在亏 制程不升级要亏 升级了也不知道能不能盈利
台湾几乎没有做nand的 唯一有一家宏旺电子 产品和兆易创新很相似 也是做小存储nand
灶神星 发表于 2012-12-17 12:46
前不久在哪看到一条新闻,说中芯国际开始自产Nor flash,今天找不到找不到原文了,这条咨询给你做参考:NOR市 ...
中芯国际的NOR flash一直有,但是NOR和NAND差别很大
九日 发表于 2012-12-17 16:32
看现在这内存的价格就知道这NAND的利润真心低得不行。
既然看不爽三星就买镁光条呗。
内存是DRAM不是NAND……
hrabbit 发表于 2012-12-17 18:01
TCL有做闪存 三星的新SSD s840用的就是TCL的闪存
这……无力吐槽
jeciq 发表于 2012-12-17 22:16
告诉你们吧 省着百度了 国内一共做闪存的就两家 而起都是fabless 国内原来有家隆智半导体的 做nor flash闪存 ...
中芯NOR flash的工艺量产挺长时间了
九日 发表于 2012-12-17 19:20
那是TLC,和TCL一个铜板关系都没有。
比MLC的寿命短。
好吧 我弄错了…
jeciq 发表于 2012-12-17 22:04
你逗死我了
抱歉 之前的新闻没看仔细 弄错了…
Gunslinger 发表于 2012-12-18 00:18
中芯NOR flash的工艺量产挺长时间了
我说的是28nm的nand
一直在关注
一个晶粒,一束光
呵呵,我什么都不知道
jeciq 发表于 2012-12-18 00:43
我说的是28nm的nand
那还早……
NAND技术难度有多高?
Gunslinger 发表于 2012-12-18 09:50
那还早……
知道内情? 听说中芯2013年底量产28nm

jeciq 发表于 2012-12-18 13:40
知道内情? 听说中芯2013年底量产28nm


那是Digital的工艺,而且是最快明年底,估计有可能到2014
NAND就算要做,估计也会更晚

仔细想了想,可能是明年底量产,但是到2014年才能满足出货要求,前段时间听过中芯的人做报告,有点忘了……
jeciq 发表于 2012-12-18 13:40
知道内情? 听说中芯2013年底量产28nm


那是Digital的工艺,而且是最快明年底,估计有可能到2014
NAND就算要做,估计也会更晚

仔细想了想,可能是明年底量产,但是到2014年才能满足出货要求,前段时间听过中芯的人做报告,有点忘了……
jeciq 发表于 2012-12-18 13:40
知道内情? 听说中芯2013年底量产28nm
而且NAND的工艺节点也不一定是28nm了


国内DRAM SRAM都有的浪潮旗下的华芯半导体(之前奇梦达的技术被收购了) 有自己的封测厂 芯片代工可以让SMIC做

国内DRAM SRAM都有的浪潮旗下的华芯半导体(之前奇梦达的技术被收购了) 有自己的封测厂 芯片代工可以让SMIC做
Gunslinger 发表于 2012-12-18 15:42
那是Digital的工艺,而且是最快明年底,估计有可能到2014
NAND就算要做,估计也会更晚

NAND的关键层加工不一样 SIMC有28NM的话在NAND就不止这个数了
十年内估计肯定出现
rendong 发表于 2012-12-18 16:04
NAND的关键层加工不一样 SIMC有28NM的话在NAND就不止这个数了
nand要比soc容易些吧