中芯国际:半导体技术要追上国际水平

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/05/04 09:50:00
吴汉明创业感言



半导体芯片是抢时间的行业,我喜欢做有研究性质的前沿技术,也一直在抢时间,我希望通过中芯国际的平台,努力地在北京亦庄推动中国半导体的发展。

  “痛并快乐着,如果人生再重来一次,我还是会选择这样走一遍。”说到自己的经历,吴汉明深有感触:一边是60多个发明专利、90多篇专著和论文的丰硕成果,一边是连续高强度的工作让他的体重至今未恢复,吴汉明却并不后悔。在他及团队的努力下,最新一代的32纳米产品也将在国家重大专项支持下问世,达到国际主流先进水平。

  跳槽挪窝最终锁定中国

  1978年,吴汉明成为“文革”后中国科学院的第一批研究生,理学硕士、工学博士学成后,留在中科院担任副研究员。1989年,被公派出国,进入美国加州大学伯克利分校攻读半导体等离子体工艺博士后。

  1993年完成学业后,吴汉明回到中科院,但他发现,由于经费紧张,研发项目无法展开,一急他就直接找院长周光召,张口就要20万元。当时一个所的研究经费也往往不到几百万元。没想到,周光召给了他13万元“巨资”,吴汉明的研究拿到了国家专利,他还被破格提拔为研究员。

  1995年,吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作,上手就是50万美元的项目,两年便研发出一套等离子体工艺模拟的软件,并成功销售。但吴汉明感觉自己接触不到最前沿的技术,于是跳槽到硅谷;1999年,“不安分”的吴汉明又加盟英特尔,但工作没有想象的顺利。

  一次偶然机会,吴汉明见到中芯国际创始人张汝京,听说能“直接从当时世界最先进的0.13微米技术做起”,他感觉中国半导体真的发展起来了,到了该回去的时候了。

  十年连续跨越四个技术代

  “有平台,有做头。”吴汉明迫不及待地回国了,开始了他“人生中最精彩的十年”。

  2001年,吴汉明担任中芯国际技术研发中心先进刻蚀部总监,负责0.13微米刻蚀工艺部分。当时国内的主流技术是铝互连,没有一家企业会做铜互连,“如果做不了铜互连,0.13微米以下的技术就做不了,就永远进不了纳米时代。当时很辛苦,经常一干就是凌晨两三点……”功夫不负苦心人,两年后,中芯国际率先在中国实现了铜互连。

  之后,中芯国际的纳米技术进入了快速发展期,接连跨越四个技术代:0.13微米、90纳米、65纳米、45纳米。我国集成电路制造真正进入了纳米时代。

  这当中,每个技术代都有上千道工艺,其中的大部分工艺要重新试验,“从90纳米做到65纳米的时候,试验有三万多次。一次试验成本至少几百元,总共花了十几个亿。”

  不光是成本,遇到的难题也不计其数。“比如在做镍化硅技术时,卡住了,两个月,横竖都没进展。”吴汉明回忆,当时,硅谷、国内高校研究所的专家都请来了,就是没有突破,“最后在无数次反复试验下,才发现是预清洗方法不对,工艺参数没调好。”就在这样完全独立自主研发下,几百个人做了近四年才完成。

  2014年32纳米产品问世

  目前,这些纳米成套工艺已经显现其巨大的经济效益了,0.13微米产品累计销售30多亿元,仅一年多,65纳米技术的直接产值达5亿多元,促进设备材料等的间接产值3.8亿元,45纳米产品也即将量产。

  “32纳米成套工艺技术的基本结构已经完成,希望2014年产品能问世。”吴汉明说,32纳米工艺技术将是我国半导体技术上的一个里程碑,“新一代芯片要求是工作电流增大,但漏电量要更小,而这两者是矛盾的,用传统的工艺做不下来,必须开发32纳米,用高K金属栅工艺技术,才可以实现。”吴汉明说,今年,要让65纳米产品大量提升,形成更大规模的生产,从现在的每月6000片提升到超万片;45纳米产品要实现小规模量产。

  “现在与国际前沿技术差了约三年,国外32纳米生产已经初步成功,希望2014年我们做成的时候,把差距缩短到一年。”吴汉明满怀期待。


http://laoyaoba.com/forums/viewthread.php?tid=989556吴汉明创业感言



半导体芯片是抢时间的行业,我喜欢做有研究性质的前沿技术,也一直在抢时间,我希望通过中芯国际的平台,努力地在北京亦庄推动中国半导体的发展。

  “痛并快乐着,如果人生再重来一次,我还是会选择这样走一遍。”说到自己的经历,吴汉明深有感触:一边是60多个发明专利、90多篇专著和论文的丰硕成果,一边是连续高强度的工作让他的体重至今未恢复,吴汉明却并不后悔。在他及团队的努力下,最新一代的32纳米产品也将在国家重大专项支持下问世,达到国际主流先进水平。

  跳槽挪窝最终锁定中国

  1978年,吴汉明成为“文革”后中国科学院的第一批研究生,理学硕士、工学博士学成后,留在中科院担任副研究员。1989年,被公派出国,进入美国加州大学伯克利分校攻读半导体等离子体工艺博士后。

  1993年完成学业后,吴汉明回到中科院,但他发现,由于经费紧张,研发项目无法展开,一急他就直接找院长周光召,张口就要20万元。当时一个所的研究经费也往往不到几百万元。没想到,周光召给了他13万元“巨资”,吴汉明的研究拿到了国家专利,他还被破格提拔为研究员。

  1995年,吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作,上手就是50万美元的项目,两年便研发出一套等离子体工艺模拟的软件,并成功销售。但吴汉明感觉自己接触不到最前沿的技术,于是跳槽到硅谷;1999年,“不安分”的吴汉明又加盟英特尔,但工作没有想象的顺利。

  一次偶然机会,吴汉明见到中芯国际创始人张汝京,听说能“直接从当时世界最先进的0.13微米技术做起”,他感觉中国半导体真的发展起来了,到了该回去的时候了。

  十年连续跨越四个技术代

  “有平台,有做头。”吴汉明迫不及待地回国了,开始了他“人生中最精彩的十年”。

  2001年,吴汉明担任中芯国际技术研发中心先进刻蚀部总监,负责0.13微米刻蚀工艺部分。当时国内的主流技术是铝互连,没有一家企业会做铜互连,“如果做不了铜互连,0.13微米以下的技术就做不了,就永远进不了纳米时代。当时很辛苦,经常一干就是凌晨两三点……”功夫不负苦心人,两年后,中芯国际率先在中国实现了铜互连。

  之后,中芯国际的纳米技术进入了快速发展期,接连跨越四个技术代:0.13微米、90纳米、65纳米、45纳米。我国集成电路制造真正进入了纳米时代。

  这当中,每个技术代都有上千道工艺,其中的大部分工艺要重新试验,“从90纳米做到65纳米的时候,试验有三万多次。一次试验成本至少几百元,总共花了十几个亿。”

  不光是成本,遇到的难题也不计其数。“比如在做镍化硅技术时,卡住了,两个月,横竖都没进展。”吴汉明回忆,当时,硅谷、国内高校研究所的专家都请来了,就是没有突破,“最后在无数次反复试验下,才发现是预清洗方法不对,工艺参数没调好。”就在这样完全独立自主研发下,几百个人做了近四年才完成。

  2014年32纳米产品问世

  目前,这些纳米成套工艺已经显现其巨大的经济效益了,0.13微米产品累计销售30多亿元,仅一年多,65纳米技术的直接产值达5亿多元,促进设备材料等的间接产值3.8亿元,45纳米产品也即将量产。

  “32纳米成套工艺技术的基本结构已经完成,希望2014年产品能问世。”吴汉明说,32纳米工艺技术将是我国半导体技术上的一个里程碑,“新一代芯片要求是工作电流增大,但漏电量要更小,而这两者是矛盾的,用传统的工艺做不下来,必须开发32纳米,用高K金属栅工艺技术,才可以实现。”吴汉明说,今年,要让65纳米产品大量提升,形成更大规模的生产,从现在的每月6000片提升到超万片;45纳米产品要实现小规模量产。

  “现在与国际前沿技术差了约三年,国外32纳米生产已经初步成功,希望2014年我们做成的时候,把差距缩短到一年。”吴汉明满怀期待。


http://laoyaoba.com/forums/viewthread.php?tid=989556
不错,希望中芯国际再接再厉!
八股文的感觉就是亲切!
刻蚀?难道真没中国人去搞前道工艺的光刻技术?
希望2014年我们做成的时候,把差距缩短到一年  :victory:

希望2014年我们做成的时候,把差距缩短到一年
ecgz88 发表于 2011-5-18 12:03


INTEL是在2007年公布可运作的32纳米晶片......
但是到2009年第四季才真正的量产
这还是以INTEL的实力来算

另外INTEL 将在2011年底或2012年上半年量产22nm
台积电则将在2011第三季量产28nm

所以2014年差距缩短到1年........
差距能缩短到4年内就很厉害了

天晓得2014年INTEL, 三星, 台积电, GF这几家在用什么制程了

就连台湾的联电都有28nm技术, 只是尚未成熟到量产水平而已
(设备也要额外投资不少才能量产, 可用的28nm晶片已能做出来, 差在量产上面)
最新消息, 2012年联电将替德仪(TI)生产28nm制程的OMAP5 四核心处里器
(OMAP系列主要用于智慧手机与平板电脑), 联电将是OMAP5的主要代工厂
现有45nm制程OMAP4的主要代工厂为三星, 联电与GF三家业者
三星因为现阶段并无28nm的代工制程技术, 短期内将拿不到TI的28nm订单
现有28nm制程技术的TSMC(台积电)与GF也有可能分到OMAP5的订单
(TI的OMAP系列, 基本都是有2~3家代工厂负责生产)

而TI的DSP产品线目前主要交由台积电负责生产

联电(UMC)目前在晶圆代工业中技术仅次于台积电(TSMC)与全球晶圆(GF)
制程技术约比TSMC与GF落后, 半年至一年~

其实32~22nm这也是一个很大的门槛
在资金技术和设备上都是有很高的要求
希望2014年我们做成的时候,把差距缩短到一年
ecgz88 发表于 2011-5-18 12:03


INTEL是在2007年公布可运作的32纳米晶片......
但是到2009年第四季才真正的量产
这还是以INTEL的实力来算

另外INTEL 将在2011年底或2012年上半年量产22nm
台积电则将在2011第三季量产28nm

所以2014年差距缩短到1年........
差距能缩短到4年内就很厉害了

天晓得2014年INTEL, 三星, 台积电, GF这几家在用什么制程了

就连台湾的联电都有28nm技术, 只是尚未成熟到量产水平而已
(设备也要额外投资不少才能量产, 可用的28nm晶片已能做出来, 差在量产上面)
最新消息, 2012年联电将替德仪(TI)生产28nm制程的OMAP5 四核心处里器
(OMAP系列主要用于智慧手机与平板电脑), 联电将是OMAP5的主要代工厂
现有45nm制程OMAP4的主要代工厂为三星, 联电与GF三家业者
三星因为现阶段并无28nm的代工制程技术, 短期内将拿不到TI的28nm订单
现有28nm制程技术的TSMC(台积电)与GF也有可能分到OMAP5的订单
(TI的OMAP系列, 基本都是有2~3家代工厂负责生产)

而TI的DSP产品线目前主要交由台积电负责生产

联电(UMC)目前在晶圆代工业中技术仅次于台积电(TSMC)与全球晶圆(GF)
制程技术约比TSMC与GF落后, 半年至一年~

其实32~22nm这也是一个很大的门槛
在资金技术和设备上都是有很高的要求
回复 6# airbear


    TI的DSP难道不是自产?

回复  airbear


    TI的DSP难道不是自产?
gnome2130 发表于 2011-5-22 10:09


很高的比例是交由台积电代工的
尤其是需要用到高阶制程
TI可能在高阶制程生产上投入不多
即便收购国家半导体(NS), 获得一部份产能
台积电的地位一样不会有太大影响
有影响的是做类比(大陆称"模似")的IC设计公司
因为多数重要无晶圆IC设计公司, 相当依赖台积电的高阶制程产能

一些龙头(各领域不同)IC设计公司, 基本上其蕊片代工
都交由一家代工厂为主力, 至少1~2家其他代工厂辅助
借以分散产能风险

例如同级的代工厂, 台积电, 联电, GF, 三星等,某一厂商通常就是选一家当主要代工厂
再选1~2家生产较少的量, 以分散风险, 尤其是高阶制程光是抢产能就抢的很凶
基本上65nm已下高阶制程, 目前还属于供应不足的情形
而台积电的高阶产能占业界8成, 几乎都是优先供应长期合作的龙头级IC公司
有剩余才会给其他公司去分剩余的产能

TI自身确实有产能, 但是却不足, 而且一些高阶制程生产的成本与效率应该是比不上交由代工厂生产
既然自己生产, 成本跟效率比不上代工厂, 投资12吋及更大尺寸(18吋)晶圆厂耗费巨大
算盘的打够精当然是交给台积电划算, 而且台积电本身的智识库也很强大, 对于其产品量产速度也有很大帮助
台积电真正可怕是在管理效率与强大的研发技术上面~
光比硬件设备, 中芯其实跟台积电差距有限, 差距大的是在管理与技术的累积上
那个不是短时间能追上的~

技术与管理上的实力差距
即便中芯用的硬件, 跟台积电, INTEL, 三星, GF等完全同级
实际生产上, 还是会被这几家龙头厂远远甩在后头
回复  airbear


    TI的DSP难道不是自产?
gnome2130 发表于 2011-5-22 10:09


很高的比例是交由台积电代工的
尤其是需要用到高阶制程
TI可能在高阶制程生产上投入不多
即便收购国家半导体(NS), 获得一部份产能
台积电的地位一样不会有太大影响
有影响的是做类比(大陆称"模似")的IC设计公司
因为多数重要无晶圆IC设计公司, 相当依赖台积电的高阶制程产能

一些龙头(各领域不同)IC设计公司, 基本上其蕊片代工
都交由一家代工厂为主力, 至少1~2家其他代工厂辅助
借以分散产能风险

例如同级的代工厂, 台积电, 联电, GF, 三星等,某一厂商通常就是选一家当主要代工厂
再选1~2家生产较少的量, 以分散风险, 尤其是高阶制程光是抢产能就抢的很凶
基本上65nm已下高阶制程, 目前还属于供应不足的情形
而台积电的高阶产能占业界8成, 几乎都是优先供应长期合作的龙头级IC公司
有剩余才会给其他公司去分剩余的产能

TI自身确实有产能, 但是却不足, 而且一些高阶制程生产的成本与效率应该是比不上交由代工厂生产
既然自己生产, 成本跟效率比不上代工厂, 投资12吋及更大尺寸(18吋)晶圆厂耗费巨大
算盘的打够精当然是交给台积电划算, 而且台积电本身的智识库也很强大, 对于其产品量产速度也有很大帮助
台积电真正可怕是在管理效率与强大的研发技术上面~
光比硬件设备, 中芯其实跟台积电差距有限, 差距大的是在管理与技术的累积上
那个不是短时间能追上的~

技术与管理上的实力差距
即便中芯用的硬件, 跟台积电, INTEL, 三星, GF等完全同级
实际生产上, 还是会被这几家龙头厂远远甩在后头
学习了。竞争很残酷
airbear 发表于 2011-5-20 11:24


中芯国际公司成立的时候(2000年)中国的集成电路是什么水平,

具体的工艺我记不清了 ,只知道极为落后连8存晶圆厂都没有,可以用望尘莫及来形容,

而现在则可以用望其项背来形容。

不管客观情况是什么,中国都应该感谢张汝京、感谢中芯国际,没有他们中国的半导体工业不会比印度强多少。
airbear 发表于 2011-5-20 11:24

据说22nm的电极材料和生产工艺与32nm没有继承性,22很难,当今不到18就比较容易,宛如65nm到45nm!难度不是很大了,听说的,内行的朋友轻拍!
要加把劲啊·
回复 8# airbear


    TI的 OMAP系列。。BB系列估计都是代工的。不过混合信号的DSP应该多是自产吧?
回复 10# caidian
最高水准就是HHNEC的八寸线吧。。
gnome2130 发表于 2011-5-27 21:28


    华虹和一汽、二汽一样,都是些浪费国家资源的国有企业。