超级军网关于MMIC，搜索到的一些资料，欢迎大家讨论
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 01:08:34
首先是南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室的一片论文，
国家重点实验室，什么水平大家应该有谱吧：
摘 要:报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势. (共4页)首先是南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室的一片论文，
国家重点实验室，什么水平大家应该有谱吧：
摘 要:报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势. (共4页)
国家重点实验室，什么水平大家应该有谱吧：
摘 要:报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势. (共4页)首先是南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室的一片论文，
国家重点实验室，什么水平大家应该有谱吧：
摘 要:报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势. (共4页)
就是常说的55所
神化稼IC加工中心，我在国外上不去
射频砷化镓集成电路系列
成果名称：射频砷化镓集成电路系列
完成单位：55所
鉴定： 55所鉴定 国际先进
专利：集成电路布图设计登记
登记号：BS.05500061.4
成果简介：
GaAs单片射频集成电路在移动通讯市场得到广泛应用。有很强的市场竞争优势。产品主要包括手机中射频功率放大器、射频开关；移动基站里射频开关、衰减器，放大器等。
55所建立并完善了基于砷化镓标准工艺线的砷化镓器件（MESFET，PHEMT，HBT）的工艺和IC设计技术，并开发出相应的批生产技术、射频电路设计技术及射频自动测试技术等，成为我国第一个自主建设的3英寸砷化镓MMIC工艺设计和加工中心，打破了国外企业在这个领域内的垄断状态，有利的促进了我国通信产业的国产化进程。
55所已开发了K104、K108、S101、F103、PA310等40余种GaAs单片射频集成电路产品，包括砷化镓射频开关、衰减器、低噪声放大器、功率放大器等。主流产品已经在性能和可靠性上超过了国外同类产品的水平，并已实现批量生产。2007年上半年， GaAs IC销售量已达4000K。
欢迎各通信厂家使用55所GaAs射频产品。欢迎各通信厂家与55所共同合作开发生产GaAs射频产品。并可以根据客户要求定制GaAs射频产品。
成果名称：射频砷化镓集成电路系列
完成单位：55所
鉴定： 55所鉴定 国际先进
专利：集成电路布图设计登记
登记号：BS.05500061.4
成果简介：
GaAs单片射频集成电路在移动通讯市场得到广泛应用。有很强的市场竞争优势。产品主要包括手机中射频功率放大器、射频开关；移动基站里射频开关、衰减器，放大器等。
55所建立并完善了基于砷化镓标准工艺线的砷化镓器件（MESFET，PHEMT，HBT）的工艺和IC设计技术，并开发出相应的批生产技术、射频电路设计技术及射频自动测试技术等，成为我国第一个自主建设的3英寸砷化镓MMIC工艺设计和加工中心，打破了国外企业在这个领域内的垄断状态，有利的促进了我国通信产业的国产化进程。
55所已开发了K104、K108、S101、F103、PA310等40余种GaAs单片射频集成电路产品，包括砷化镓射频开关、衰减器、低噪声放大器、功率放大器等。主流产品已经在性能和可靠性上超过了国外同类产品的水平，并已实现批量生产。2007年上半年， GaAs IC销售量已达4000K。
欢迎各通信厂家使用55所GaAs射频产品。欢迎各通信厂家与55所共同合作开发生产GaAs射频产品。并可以根据客户要求定制GaAs射频产品。
是不是封装测试厂，上面说得很清楚了
本所具有国内第一条高可靠φ4英寸GaAs FETs研制、生产线，已开发、生产了系列产品。产品属国家级新产品，可广泛应用于微波通信、微波数字通信、卫星通信等。
全球第一的稀土资源卖个白菜价，米帝怕是最高兴的，新一代导引头成本降低的太多了。。。
请不要发与主题无关的帖子
原帖由 riverdance 于 2009-2-27 19:01 发表
是不是封装测试厂，上面说得很清楚了
是不是T/R生产线呢[:a6:] ;P
其实,55所也已经有T/R封装生产线了,呵呵:victory:
产量还比较低而已:L
MMIC这块,还有些所在搞,也出了不少成果,比如北边的,呵呵:victory:
55所看上面的描述，是有3寸和4寸的砷化镓生产线的
也有不少MMIC产品，但是是不是大功率的产品，没有明确的资料
网站上没有
只有那个论文里有提到
有可能还没有进入量产，没有商品化，或者处于保密或者更新不及时，网站上还没有相关资料
也有不少MMIC产品，但是是不是大功率的产品，没有明确的资料
网站上没有
只有那个论文里有提到
有可能还没有进入量产，没有商品化，或者处于保密或者更新不及时，网站上还没有相关资料
我怀疑14所如果搞相控阵雷达的话，可能就是用55所的模块了
北边还没查到。。。不过国内向来都是要貘不搞，要搞就是一窝蜂的搞。。
搞到后来就是遍地开花，白菜价，真正服务全世界
北边还没查到。。。不过国内向来都是要貘不搞，要搞就是一窝蜂的搞。。
搞到后来就是遍地开花，白菜价，真正服务全世界
俺说的生产线，就是工艺线。。不是封装测试线。。
文章发表是08年6月份的
按一般规律，相关实验测试应该实在半年前就做完了
所以，可以推测，55所的大功率MMIC应该是在07年底左右做完的
现在是在中试还是在批产阶段就不清楚了
55所的工艺条件应该是没问题的，毕竟本来就是他们自己的工艺线做的，批产就是良率问题了
现在说可能上批量线，还是有点靠谱的
文章发表是08年6月份的
按一般规律，相关实验测试应该实在半年前就做完了
所以，可以推测，55所的大功率MMIC应该是在07年底左右做完的
现在是在中试还是在批产阶段就不清楚了
55所的工艺条件应该是没问题的，毕竟本来就是他们自己的工艺线做的，批产就是良率问题了
现在说可能上批量线，还是有点靠谱的
这个是07年10月发表的，应该是同一个课题不同阶段的东西，可以作为参考：
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。
文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz~10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。
55所看来是既有设计能力，又有工艺能力，不需要再去找代工厂了
综合上述信息
我认为如果量试良率能够接受
现在开始做TR生产线，是水到渠成的事情
综合上述信息
我认为如果量试良率能够接受
现在开始做TR生产线，是水到渠成的事情
原帖由 riverdance 于 2009-2-27 19:03 发表
本所具有国内第一条高可靠φ4英寸GaAs FETs研制、生产线，已开发、生产了系列产品。产品属国家级新产品，可广泛应用于微波通信、微波数字通信、卫星通信等。
这个4寸线是功率产品的
55所还有至少一条3寸线
原帖由 riverdance 于 2009-2-27 20:21 发表
我怀疑14所如果搞相控阵雷达的话，可能就是用55所的模块了
北边还没查到。。。不过国内向来都是要貘不搞，要搞就是一窝蜂的搞。。
搞到后来就是遍地开花，白菜价，真正服务全世界
14自己有:D
55主要和另外个专业所合作.[:a6:]
这样看来 AESA需要的微波半导体器件，起码已经完成实验室阶段，进入中试阶段了
]]
原帖由 riverdance 于 2009-2-27 20:38 发表
55所看来是既有设计能力，又有工艺能力，不需要再去找代工厂了
综合上述信息
我认为如果量试良率能够接受
现在开始做TR生产线，是水到渠成的事情
这里说的
T/R租件生产线，倒是很有可能是封装，测试或者就是个高级点的组装测试线
因为核心的功率MMIC等器件是在前面3寸，4寸线上做完的，这个是本来就有的线，不需要另开新线，倒是如果要批量做T/R组件了，那么组装测试线是必不可少的，可能需要占用较多的地方做了
这么说来前面帖子里双方争论的T/R线说是工艺线也对，说是封装组装测试线也是对的。。。俺活活稀泥:D
原帖由 hbao 于 2009-2-27 20:45 发表
14自己有:D
55主要和另外个专业所合作.[:a6:]
14所有自己的工艺线？我去查查
按理说，55和14合作多方便，出了问题解决起来都方便
14所何必舍近求远？
原帖由 xtal 于 2009-2-27 21:02 发表
问一个小白问题，是否可以在钻石衬底上做？
我看到过浙大的一个老师做的样品，直径10厘米的金刚石圆片（当然，是多晶的金刚石）
这个问题很小白，因为我不懂结晶学。。。。
文章里的貌似实在碳化硅沉底上做的
蓝宝石沉底倒是做化合物半导体的也不少，可能也可以。。。
我也不是半导体行业的。。请懂行的人来科普吧
不能直接做衬底，做TR模块散热底板总是可以考虑的吧。
钻石的导热性能是白银的很多倍阿。。。。。
钻石的导热性能是白银的很多倍阿。。。。。
哦，俺没考虑到那么多，实在不是业内人士。。
钻石啊，可是贵啊
不过散热的确是大问题，10几瓦的东西，散热问题肯定很大
想想那么小的LED，功率稍大一点，散热都是大问题
钻石啊，可是贵啊
不过散热的确是大问题，10几瓦的东西，散热问题肯定很大
想想那么小的LED，功率稍大一点，散热都是大问题
问题是那个老师明显没有耗费太多的经费了。
而且按照他的说法 主要生产成本就是电费。。。。
而且按照他的说法 主要生产成本就是电费。。。。
哇，那可真是好东西。。便宜的钻石沉底
顶一下 不能让这样的好贴子沉了
昨天还刚抱怨不能太乐观，今天就又high起来了:victory:
楼主找到不少好料啊~~~
忽左忽右爱感冒，等别人爆料就是急死。
]]
估计他们买了别人的器件，一层层磨下去，拍照COPY的事也干了不少
本来嘛，借鉴别人的设计IDEA，也不是啥见不得人的事:D
看来国内3寸，四寸，6寸的砷化镓工艺线不少丫
以前我就知道国内6寸或者6寸以下的半导体线有很多。。。
本来嘛，借鉴别人的设计IDEA，也不是啥见不得人的事:D
看来国内3寸，四寸，6寸的砷化镓工艺线不少丫
以前我就知道国内6寸或者6寸以下的半导体线有很多。。。
大盘子上用１４所自己的Ｔ／Ｒ．重量和能耗都比以色列的原型减少了１０%。
那这个真是个好消息.
技术总是在不断积累中获得进步的，在不断积累的过程中遇上种种问题都是正常的嘛。
]]
这种COPY在其他领域都有的
一些日本公司就非常注意竞争对手的产品，出了新产品，就会买回来，拆掉
测，跟自己的产品对比
如果发现自己的产品不行，有时就会直接测出数据，原封不动的COPY
其实都是技术捷径，不用白不用，当然专利等知识产权也是要注意的
一些日本公司就非常注意竞争对手的产品，出了新产品，就会买回来，拆掉
测，跟自己的产品对比
如果发现自己的产品不行，有时就会直接测出数据，原封不动的COPY
其实都是技术捷径，不用白不用，当然专利等知识产权也是要注意的
恩，先把自己的东西搞出来是真的
参数差一些没关系，实际用可能差别并不是很大
一点自己的东西从头到脚做出来了，那么后续改进是很快的，我认为
参数差一些没关系，实际用可能差别并不是很大
一点自己的东西从头到脚做出来了，那么后续改进是很快的，我认为
原帖由 fr6zp 于 2009-2-28 16:12 发表
大盘子上用１４所自己的Ｔ／Ｒ．重量和能耗都比以色列的原型减少了１０%。
14所的网站一直没找到。。汗
14所如果也有自己的工艺线的话。。我觉得可能会做得更好些
现在的AlGaN/GaN 的HEMT都是在碳化硅（SiC）上做的，主要是导热性能好，但是相当昂贵，SiC衬底做的最好的是Cree。蓝宝石（sapphire）上也能长，但是做微波器件不行，散热问题不能解决。
将来如果有GaN自己的衬底，当然最好。不过有点难，要些时间
将来如果有GaN自己的衬底，当然最好。不过有点难，要些时间