超级军网Twinscan XT1950i 诞生！还能说什么？对ASML只能佩服的 ...
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/05/05 04:01:25
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每小时148片晶圆:lol
148 wph on the XT:1950i[:a2:]
148片多大的晶圆呢？
比1900i的131片/每小时又提高了，SMIC什么时候买啊？空版有朋友说SMIC技术先进，可最好光刻机的也是Twinscan XT 1400i 啊，倒是无锡的HYNIX-ST有1900i,可那跟我们中国没关系:Q
原帖由 whucsm 于 2008-7-19 23:16 发表
148片多大的晶圆呢？
当然是12英寸
这个报道甚至都不提1400i 啊，SMIC啊，没有利器这么行呢？
原帖由 大狼芬里尔 于 2008-7-19 22:55 发表
148 wph on the XT:1950i[:a2:]
别忘了还是38NM呵
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已停，由TWINSCAN XT:1450取代
新闻说的可能是1700
新闻说的可能是1700
还有一点不理解的是，为什么逻辑电路上面的工艺制程反而比用于存储器的先进，存储器的电路结构不是比逻辑电路简单嘛？
请桃华MM讲讲:handshake
请桃华MM讲讲:handshake
原帖由 whucsm 于 2008-7-19 23:40 发表
在ASML的网页上找不到你说得Twinscan 1400i啊，新闻说SMIC中芯国际45纳米沉浸式光刻设备进厂 ，是哪种光刻机？
上面说1450G只能到65nm的product resolution
products
TWINSCAN XT:1950Hi
TWINSCAN XT:190 ...
SMIC的Twinscan 1400i是2007年年初定的，后来ASML有了1450了，其实中国使用TWINSCAN系列的FAB还是不多的，很多都是PAS系列
7月1号的新闻~~
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中芯国际45纳米沉浸式光刻设备进厂 年底试产
出自：SEMI 编辑 俞文杰
据 DigiTimes网站报道，中芯国际45纳米工艺技术再获重大进展，继与IBM签定技术授权合作协议后，中芯45纳米最重要武器沉浸式光刻 (immersion lithography)设备于29日正式由上海浦东机场，移往中芯上海厂区Fab8，这也是中芯自有第1台45纳米工艺技术设备，预计最快2008年底进入试产阶段。另外，由中芯所代管武汉新芯，之前亦曾进口这款沉浸式光刻机种。
中芯自有第1台45纳米沉浸式光刻机种，29日搭乘波音747国际货运包机直接运抵上海浦东国际机场，整台设备重达约40吨，体积逾160立方米，为进行运输，约分装29个温控集装箱，由于设备极度精密，享有超贵宾级待遇和红地毯式全程护送，直接运抵中芯上海厂区Fab8，全程中芯可说小心到家，并未对外公开。
目前全球供应沉浸式光刻机种有3家厂商，分别是荷兰ASML、日商佳能(Canon)及尼康(Nikon)，据了解，中芯自用机款与之前武汉新芯所进口机种，都是向ASML采购，价值不斐，由于沉浸式光刻机种是半导体工艺中最敏感的1道工艺技术，包括运送、装卸都必须相当小心。
中芯则透露，上海12英寸厂Fab8中4条生产线首批产品仍将采用90纳米工艺，但亦积极酝酿65、45纳米芯片生产事宜，并计划2008年底试产 45纳米芯片。中芯日前已宣布加入IBM 45纳米工艺技术阵营，技术来源已不成问题，加上最关键设备已到位，业界纷揣测中芯是为哪家客户生产45纳米芯片。此外，中芯总裁兼首席执行长张汝京亦承诺2009年6月将引进浸润式光刻机，成为未来中芯量产45纳米芯片有力保证。
目前在晶圆代工领域，45纳米工艺技术仍以台积电取得领先地位，面对竞争对手来势汹汹，台积电已率先以40纳米工艺技术取代45纳米，并配合完整设计流程8.0、9.0版本，协助客户从设计快速进入成功量产，尽管40纳米已进入量产，但最快2009年才会明显放量，2008年还是以65纳米工艺增长最快，而包括联电、新加坡特许(Chartered)等也紧追在后。
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中芯国际45纳米沉浸式光刻设备进厂 年底试产
出自：SEMI 编辑 俞文杰
据 DigiTimes网站报道，中芯国际45纳米工艺技术再获重大进展，继与IBM签定技术授权合作协议后，中芯45纳米最重要武器沉浸式光刻 (immersion lithography)设备于29日正式由上海浦东机场，移往中芯上海厂区Fab8，这也是中芯自有第1台45纳米工艺技术设备，预计最快2008年底进入试产阶段。另外，由中芯所代管武汉新芯，之前亦曾进口这款沉浸式光刻机种。
中芯自有第1台45纳米沉浸式光刻机种，29日搭乘波音747国际货运包机直接运抵上海浦东国际机场，整台设备重达约40吨，体积逾160立方米，为进行运输，约分装29个温控集装箱，由于设备极度精密，享有超贵宾级待遇和红地毯式全程护送，直接运抵中芯上海厂区Fab8，全程中芯可说小心到家，并未对外公开。
目前全球供应沉浸式光刻机种有3家厂商，分别是荷兰ASML、日商佳能(Canon)及尼康(Nikon)，据了解，中芯自用机款与之前武汉新芯所进口机种，都是向ASML采购，价值不斐，由于沉浸式光刻机种是半导体工艺中最敏感的1道工艺技术，包括运送、装卸都必须相当小心。
中芯则透露，上海12英寸厂Fab8中4条生产线首批产品仍将采用90纳米工艺，但亦积极酝酿65、45纳米芯片生产事宜，并计划2008年底试产 45纳米芯片。中芯日前已宣布加入IBM 45纳米工艺技术阵营，技术来源已不成问题，加上最关键设备已到位，业界纷揣测中芯是为哪家客户生产45纳米芯片。此外，中芯总裁兼首席执行长张汝京亦承诺2009年6月将引进浸润式光刻机，成为未来中芯量产45纳米芯片有力保证。
目前在晶圆代工领域，45纳米工艺技术仍以台积电取得领先地位，面对竞争对手来势汹汹，台积电已率先以40纳米工艺技术取代45纳米，并配合完整设计流程8.0、9.0版本，协助客户从设计快速进入成功量产，尽管40纳米已进入量产，但最快2009年才会明显放量，2008年还是以65纳米工艺增长最快，而包括联电、新加坡特许(Chartered)等也紧追在后。
原帖由 whucsm 于 2008-7-19 23:51 发表
还有一点不理解的是，为什么逻辑电路上面的工艺制程反而比用于存储器的先进，存储器的电路结构不是比逻辑电路简单嘛？
请桃华MM讲讲:handshake
逻辑电路上面的工艺制程比存储器的复杂，不仅仅是电路的结构，还有工艺的程序，Lithography，Etching，Diffusion，CMP是反复依次进行的，存储器的的反复要少很多
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原帖由 桃华月惮 于 2008-7-20 00:10 发表
其实现在我也不清楚:L
不过我可以猜测一下，大狼说的逻辑不对，既然密度相对高，那么工艺应该更高的，而事实正好如whucsm说的相反。其实这个问题非常的复杂，偶是搞Etching下游相关的，LITHOGRAPHY是我们的上游。我只能说我自己的理解，所以这个可能不是很正确
分辩率（也就是加工的精度，32，38NM）取决于光罩图案中最小的线宽和一系列的光学透镜系统，曝光过后，光罩图案的图形被复制在wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。这个在硅片上的最小的线宽就是分辩率了，我们都是叫CD的，不是超大呵，是 Critical Dimension。
分辨率Wmin=k1*λ/NA. λ是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径. 一般最大是1;但这个1950的NA是0.85-1.35，非常先进。
k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.
以我的经验理解，是逻辑和DRAM的K1不同，也就是掩模版的光学特性和掩模基片尺寸不同14mmX14mm，70mmX70mm，得出了不同的Wmin
其实这个问题很复杂，牵扯到了6个方程组和很多光学参数，我用一个K1简化了很多东西，也算是一种毁人不倦吧
练琴去喽
偶们啥时候能造出来呢？ 那帮人干这个大概到了艺术的境界了吧？
看这个东西的性能指标主要是看透镜的数值孔径NA
λ一定时，NA作为分母越大越好，Wmin的值才更小
Overlay也很重要，越小越好，集成电路是由很多层电路重迭组成的，每一层与前面或者后面的层的对准精度就是Overlay了，这个东西的对准精度是3.5 nm，< 4nm，太厉害了，1900也是< 6 nm，现在国内很多FAB用的曝光Overlay<50nm，不是一个层面的东西啊，日本人已经追了40年了，性能指标上不会差太多，我们么~~~~~~~~:Q
上面说错了，1950是26 X 33 mm或14mmX14mm没有70mmX70mm
Overlay也很重要，越小越好，集成电路是由很多层电路重迭组成的，每一层与前面或者后面的层的对准精度就是Overlay了，这个东西的对准精度是3.5 nm，< 4nm，太厉害了，1900也是< 6 nm，现在国内很多FAB用的曝光Overlay<50nm，不是一个层面的东西啊，日本人已经追了40年了，性能指标上不会差太多，我们么~~~~~~~~:Q
上面说错了，1950是26 X 33 mm或14mmX14mm没有70mmX70mm
我们自己的，俩年后才成熟
http://www.smee.com.cn/02_chanpin/02.html
看看最大数值孔径是多少？有到0.8没？
http://www.smee.com.cn/02_chanpin/02.html
看看最大数值孔径是多少？有到0.8没？
原帖由 桃华月惮 于 2008-7-20 18:42 发表
λ一定时，NA作为分母越大越好，Wmin的值才更小
Overlay也很重要，越小越好，集成电路是由很多层电路重迭组成的，每一层与前面或者后面的层的对准精度就是Overlay了，这个东西的对准精度是3.5 nm，< 4nm，太厉害了， ...
以前非常关注这个！现在冷静很多了。:') 以前看到的资料，光刻机对准精度最重要的是高精度轴承杠丝和高精度步进电机，当然算法也很重要。国外对咱们这方面限制非常严重，好像P5（等级划分有些忘了）及以上轴承是严禁出口中国的，高精度步进电机亦是如此。
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原帖由 桃华月惮 于 2008-7-20 19:03 发表
我们自己的，俩年后才成熟
http://www.smee.com.cn/02_chanpin/02.html
看看最大数值孔径是多少？有到0.8没？
如果只看指标，和ASML的 PAS 5500/850D差不多，其实已经不错了，这是我们第一次交的作业
能够制造用来制造机器的机器才是真正的强国呀。
原帖由 桃华月惮 于 2008-7-20 19:40 发表
还有光学镜头系统，在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置
可能我的意思没说清楚！机台上的运动部件的位移幅度和速度都需要高精度的杠丝和步进电机控制，所以说这两样太重要了
原帖由 楚狂人 于 2008-7-20 23:36 发表
能够制造用来制造机器的机器才是真正的强国呀。
工业母机才是王道
原帖由 zzaa119 于 2008-7-21 00:24 发表
可能我的意思没说清楚！机台上的运动部件的位移幅度和速度都需要高精度的杠丝和步进电机控制，所以说这两样太重要了
毕竟我是用过PAS系列的，曝光机贵在它的光学透镜成像系统，成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%，透镜成像系统是整个SCANNER核心的核心，用于镜头的单晶体的生长和加工研磨是非常困难的，不是你想象的那么简单，其它起一切都是为了这个成像系统服务的，精密的定位系统是激光工作台，和工作母机的是有区别的，步进电机的价格还不如一个透镜五分之一。
认为步进电机最重要是典型的本末倒置，在曝光机中的确是一个不可或缺的零件，但毕竟这不是数控机床，曝光机中上万个零件每个都很很重要，缺了一个就不能正常工作，但所有的系统都是围绕透镜成像系统服务的，透镜的材料很特别，不是一般的玻璃，甚至比天文望远镜的透镜材了料还要特别，而且加工难度极大，它的价值占到了整个机台的73%左右
恩，光刻机光刻机，用来曝光成像的透镜组自然是最重要的
晶圆铸造（包括后处理）和光刻机差不多是整个IC制造的核心所在，450mm时代就要到了，不知道国内自己的200mm晶圆铸造技术做得怎么样了
原帖由 大狼芬里尔 于 2008-7-21 18:51 发表
晶圆铸造（包括后处理）和光刻机差不多是整个IC制造的核心所在，450mm时代就要到了，不知道国内自己的200mm晶圆铸造技术做得怎么样了
晶圆铸造谈不上是IC制造的核心，光刻机只是我在CD上套用媒体的一个不准确的说法，其实准确的说要叫TRACK(涂胶显影机)+Scanner(曝光机)系统，它是两个机器，光刻仅仅是IC制造的第一步，接下来的Etching也是相当关键的，利用显影后的光刻胶图形作为掩模，在SiO2,Si3N4,金属、多晶硅等衬底上腐蚀掉一定深度的薄膜物质，得到与光刻胶图形相同的集成电路图形.光刻和刻蚀技术决定着集成电路图形的精细程度.
还有金属化，Diffusion,Thin Film,CMP这些工序可都是IC制造的核心
我们国家无论是在学校还是在科研单位让人接触的光刻机都太小了，指标太落后了（当然也不需要那么先进的），我接触过最好的Wmin也是0.25um的，所以对于0.18um以下的我是完全不懂的，还需要多多学习
有些东西我看都没看过，所以现在我谈0.18um以下的数字或模拟工艺，存储器或逻辑工艺基本纯属扯淡
有些东西我看都没看过，所以现在我谈0.18um以下的数字或模拟工艺，存储器或逻辑工艺基本纯属扯淡
我接触过最好的就是PAS，呵呵
原帖由 桃华月惮 于 2008-7-21 13:13 发表
认为步进电机最重要是典型的本末倒置，在曝光机中的确是一个不可或缺的零件，但毕竟这不是数控机床，曝光机中上万个零件每个都很很重要，缺了一个就不能正常工作，但所有的系统都是围绕透镜成像系统服务的，透镜的材 ...
原来是这样！！还是专业人士厉害，又学习了。
哎！对于这种半导体工业的皇冠我们还能说什么呢？我们只能为我们的国家祈祷了。
不过话说回来了，光学部件咱们的差距还是相对小点吧？氟化钙镜头好像咱们可以制造了，估计指标上和人家还是有很大差距的吧？估计再集成光学系统差距就更多了吧？极紫外光源咱们实验室产品也有了吧，这个新闻报过。不过那个步进电机和杠丝好像一点好消息也没有[:a10:] ，太让人着急了。
原帖由 大狼芬里尔 于 2008-7-21 18:51 发表
晶圆铸造（包括后处理）和光刻机差不多是整个IC制造的核心所在，450mm时代就要到了，不知道国内自己的200mm晶圆铸造技术做得怎么样了
300毫米单晶硅生长炉好像有国产的了，新闻报过
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