国产自主14nm工艺等离子刻蚀机正式投入使用了

2016-08-05 全球半导体观察


近日，由北方微电子自主研发的国内首台12英寸14纳米FinFET等离子硅刻蚀机正式进入上海集成电路研发中心（“ICRD”），与客户共同开展研发工作。

上海集成电路研发中心于2002年12月组建成立，2007年5月被国家发展和改革委员会等六部委核准为国家级集成电路研发中心。此次14纳米高端微电子装备的顺利进厂标志着中国集成电路装备技术取得了新的突破，也预示着中国集成电路产业即将迈入全新的技术时代。



14纳米集成电路制造技术是目前世界最先进的半导体工艺制造技术，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D结构工艺已成为主流技术。

14纳米FinFET是一种新型多栅3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件具有更显着的功耗和性能优势，14nm FinFET 3D工艺引入了截然不同的工艺流程，这对其流程中的关键制造设备带来了更高的挑战！

作为中国自主开发集成电路高端制造装备的先行者，北方微电子NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机以全新的设计理念来实现14nm FinFET刻蚀工艺的要求。

设备采用了新开发的同步脉冲等离子技术，通过对等离子体的实时控制和诊断来实现低损伤和高选择比，采用多区ESC以获得更高的CD均匀性，增加高温上电极的设计来降低缺陷，增大Throughput，设备多项关键指标达到国际先进水平。



NMC 612D 14纳米等离子硅刻蚀机Move in上海集成电路研发中心是北方微电子通过技术创新取得又一重要成绩。凭借机台优异的性能和28nm的成功经验，期待NMC 612D14纳米等离子硅刻蚀机创造更多的优异成绩。

来源：北方微电子
http://www.aiweibang.com/m/detail/138284961.html?from=p2016-08-05 全球半导体观察


近日，由北方微电子自主研发的国内首台12英寸14纳米FinFET等离子硅刻蚀机正式进入上海集成电路研发中心（“ICRD”），与客户共同开展研发工作。

上海集成电路研发中心于2002年12月组建成立，2007年5月被国家发展和改革委员会等六部委核准为国家级集成电路研发中心。此次14纳米高端微电子装备的顺利进厂标志着中国集成电路装备技术取得了新的突破，也预示着中国集成电路产业即将迈入全新的技术时代。



14纳米集成电路制造技术是目前世界最先进的半导体工艺制造技术，自14nm(包括14nm)之后，采用FinFET 3D结构工艺已成为主流技术。

14纳米FinFET是一种新型多栅3D晶体管，和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件具有更显着的功耗和性能优势，14nm FinFET 3D工艺引入了截然不同的工艺流程，这对其流程中的关键制造设备带来了更高的挑战！

作为中国自主开发集成电路高端制造装备的先行者，北方微电子NMC 612D 14nm FinFET刻蚀机以全新的设计理念来实现14nm FinFET刻蚀工艺的要求。

设备采用了新开发的同步脉冲等离子技术，通过对等离子体的实时控制和诊断来实现低损伤和高选择比，采用多区ESC以获得更高的CD均匀性，增加高温上电极的设计来降低缺陷，增大Throughput，设备多项关键指标达到国际先进水平。



NMC 612D 14纳米等离子硅刻蚀机Move in上海集成电路研发中心是北方微电子通过技术创新取得又一重要成绩。凭借机台优异的性能和28nm的成功经验，期待NMC 612D14纳米等离子硅刻蚀机创造更多的优异成绩。

来源：北方微电子
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