超级军网国产300mm晶圆匀胶显影设备研发成功
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/05/02 18:36:31
http://news.syhn.gov.cn/Item/Show.asp?m=1&d=8688
4月14日，由沈阳芯源微电子设备有限公司承担的2012年度国家02科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目在沈阳顺利通过验收，标志着我国前道芯片制程领域用涂胶显影设备的国产化又迈出了重要的一步，不仅打破了该类设备一直由国外生产厂商长期垄断、受制于人的局面，也填补了国内该项技术空白，为我国前道芯片制程涂胶显影设备进入前段市场打开了突破口。
“该项目成果产品的成功应用，将大大降低客户采购成本和对国外设备的依赖性，价格较国外同类产品低20%到30%，企业获得的售后技术支持也更加给力。”沈阳芯源公司工作人员介绍，他们联合中科院沈阳自动化研究所、清华大学深圳研究生院、上海集成电路研发中心、上海微电子装备有限公司等几家产学研用合作单位，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm光刻工艺匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机。项目实施期间，共销售5台匀胶显影设备。申请专利124项，其中发明专利申请117项，台湾地区发明专利申请2项，国际发明专利申请4项，实用新型专利1项，获得软件著作权5项，制定企业技术标准1项。目前，该项目共性技术可成功辐射应用于高端封装、LED等技术设备领域，对该类设备产能和稳定性具有极大的提升作用。沈阳芯源公司表示，将进一步推动该项目的市场化、产业化，带动产业降低成本、优化升级，并为推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展作出贡献。http://news.syhn.gov.cn/Item/Show.asp?m=1&d=8688
4月14日，由沈阳芯源微电子设备有限公司承担的2012年度国家02科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目在沈阳顺利通过验收，标志着我国前道芯片制程领域用涂胶显影设备的国产化又迈出了重要的一步，不仅打破了该类设备一直由国外生产厂商长期垄断、受制于人的局面，也填补了国内该项技术空白，为我国前道芯片制程涂胶显影设备进入前段市场打开了突破口。
“该项目成果产品的成功应用，将大大降低客户采购成本和对国外设备的依赖性，价格较国外同类产品低20%到30%，企业获得的售后技术支持也更加给力。”沈阳芯源公司工作人员介绍，他们联合中科院沈阳自动化研究所、清华大学深圳研究生院、上海集成电路研发中心、上海微电子装备有限公司等几家产学研用合作单位，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm光刻工艺匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机。项目实施期间，共销售5台匀胶显影设备。申请专利124项，其中发明专利申请117项，台湾地区发明专利申请2项，国际发明专利申请4项，实用新型专利1项，获得软件著作权5项，制定企业技术标准1项。目前，该项目共性技术可成功辐射应用于高端封装、LED等技术设备领域，对该类设备产能和稳定性具有极大的提升作用。沈阳芯源公司表示，将进一步推动该项目的市场化、产业化，带动产业降低成本、优化升级，并为推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展作出贡献。
4月14日，由沈阳芯源微电子设备有限公司承担的2012年度国家02科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目在沈阳顺利通过验收，标志着我国前道芯片制程领域用涂胶显影设备的国产化又迈出了重要的一步，不仅打破了该类设备一直由国外生产厂商长期垄断、受制于人的局面，也填补了国内该项技术空白，为我国前道芯片制程涂胶显影设备进入前段市场打开了突破口。
“该项目成果产品的成功应用，将大大降低客户采购成本和对国外设备的依赖性，价格较国外同类产品低20%到30%，企业获得的售后技术支持也更加给力。”沈阳芯源公司工作人员介绍，他们联合中科院沈阳自动化研究所、清华大学深圳研究生院、上海集成电路研发中心、上海微电子装备有限公司等几家产学研用合作单位，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm光刻工艺匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机。项目实施期间，共销售5台匀胶显影设备。申请专利124项，其中发明专利申请117项，台湾地区发明专利申请2项，国际发明专利申请4项，实用新型专利1项，获得软件著作权5项，制定企业技术标准1项。目前，该项目共性技术可成功辐射应用于高端封装、LED等技术设备领域，对该类设备产能和稳定性具有极大的提升作用。沈阳芯源公司表示，将进一步推动该项目的市场化、产业化，带动产业降低成本、优化升级，并为推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展作出贡献。http://news.syhn.gov.cn/Item/Show.asp?m=1&d=8688
4月14日，由沈阳芯源微电子设备有限公司承担的2012年度国家02科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目在沈阳顺利通过验收，标志着我国前道芯片制程领域用涂胶显影设备的国产化又迈出了重要的一步，不仅打破了该类设备一直由国外生产厂商长期垄断、受制于人的局面，也填补了国内该项技术空白，为我国前道芯片制程涂胶显影设备进入前段市场打开了突破口。
“该项目成果产品的成功应用，将大大降低客户采购成本和对国外设备的依赖性，价格较国外同类产品低20%到30%，企业获得的售后技术支持也更加给力。”沈阳芯源公司工作人员介绍，他们联合中科院沈阳自动化研究所、清华大学深圳研究生院、上海集成电路研发中心、上海微电子装备有限公司等几家产学研用合作单位，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm光刻工艺匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机。项目实施期间，共销售5台匀胶显影设备。申请专利124项，其中发明专利申请117项，台湾地区发明专利申请2项，国际发明专利申请4项，实用新型专利1项，获得软件著作权5项，制定企业技术标准1项。目前，该项目共性技术可成功辐射应用于高端封装、LED等技术设备领域，对该类设备产能和稳定性具有极大的提升作用。沈阳芯源公司表示，将进一步推动该项目的市场化、产业化，带动产业降低成本、优化升级，并为推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展作出贡献。
目前，由沈阳芯源微电子设备有限公司(简称沈阳芯源)承担的2012年度国家02科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”项目顺利通过验收，标志着我国前道芯片制程领域用匀胶显影设备在国产化进程中又迈出了重要的一步，不仅打破了该类设备一直由国外生产厂商长期垄断的局面，也填补了国内该项技术空白，为我国前道芯片制程匀胶显影设备进入前段市场打开了突破口。
该项目的市场化、产业化，将为沈阳芯源带来新的增长突破点，同时引领辽沈地区由传统加工业进入精密加工行业，带动产业优化升级，推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展。
沈阳芯源成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创办的国家重点高新技术企业，主要从事集成电路高端装备的研发、制造、销售与技术服务。集成电路高端装备号称行业的“印钞机”，长期以来一直由国外企业一统天下。由于国外设备造价高、服务费用高，使国内客户不堪重负。沈阳芯源的技术攻关也就是在这样的大背景下展开的。
沈阳芯源，这个仅有200名员工的企业成功打破了国外产品在中国市场的垄断。他们依靠与市场互动的科技研发机制，在消化吸收国外先进技术基础上，先后取得276项技术专利，自主研制的主导产品匀胶显影设备广泛应用于LED、高端封装等领域，匀胶显影技术达到国际先进水平，成功替代了进口产品。
从做LED领域的半导体制造设备起步，仅用10多年的时间，沈阳芯源一步步突破IC装备制造业细分领域国外垄断：从第一个将国产设备推广应用于集成电路8英寸生产线，到研制出国产首台12英寸凸点工艺匀胶产品，
再到打入台湾地区市场的喷胶机、匀胶显影设备。沈阳芯源实现集成电路设备核心部件国产化，也抢占了我国集成电路高端装备研发制造的制高点。迄今为止，沈阳芯源承担并完成了2项国家科技重大专项，获得国家经费1.25亿元，成果产业化势头良好。
沈阳芯源凭借着“技术创新紧贴市场”的理念，打造了集成创新模式，主导产品匀胶显影设备在本技术领域居国内第一，达到国际先进水平。在LED匀胶显影设备领域占领国内市场份额超过50%，而且凭借低成本、高性能的优势销往海外市场，稳步成长为一家具有国际竞争力的半导体高端装备及工艺解决方案提供商。
该项目的市场化、产业化，将为沈阳芯源带来新的增长突破点，同时引领辽沈地区由传统加工业进入精密加工行业，带动产业优化升级，推动辽沈地区集成电路产业规模化、集聚化发展。
沈阳芯源成立于2002年，是由中科院沈阳自动化研究所发起创办的国家重点高新技术企业，主要从事集成电路高端装备的研发、制造、销售与技术服务。集成电路高端装备号称行业的“印钞机”，长期以来一直由国外企业一统天下。由于国外设备造价高、服务费用高，使国内客户不堪重负。沈阳芯源的技术攻关也就是在这样的大背景下展开的。
沈阳芯源，这个仅有200名员工的企业成功打破了国外产品在中国市场的垄断。他们依靠与市场互动的科技研发机制，在消化吸收国外先进技术基础上，先后取得276项技术专利，自主研制的主导产品匀胶显影设备广泛应用于LED、高端封装等领域，匀胶显影技术达到国际先进水平，成功替代了进口产品。
从做LED领域的半导体制造设备起步，仅用10多年的时间，沈阳芯源一步步突破IC装备制造业细分领域国外垄断：从第一个将国产设备推广应用于集成电路8英寸生产线，到研制出国产首台12英寸凸点工艺匀胶产品，
再到打入台湾地区市场的喷胶机、匀胶显影设备。沈阳芯源实现集成电路设备核心部件国产化，也抢占了我国集成电路高端装备研发制造的制高点。迄今为止，沈阳芯源承担并完成了2项国家科技重大专项，获得国家经费1.25亿元，成果产业化势头良好。
沈阳芯源凭借着“技术创新紧贴市场”的理念，打造了集成创新模式，主导产品匀胶显影设备在本技术领域居国内第一，达到国际先进水平。在LED匀胶显影设备领域占领国内市场份额超过50%，而且凭借低成本、高性能的优势销往海外市场，稳步成长为一家具有国际竞争力的半导体高端装备及工艺解决方案提供商。
Coater和Developer啊，专等曝光机了呢～
193nm光刻的，这水平也太低了吧
三楼是懂行的，四楼是无知无畏在胡扯……
尽快应用到产业 尽快
总比没有要好，，
193nm光刻的，这水平也太低了吧
193nm是最常见的出光波长。这个波长的出光是可以支撑到45nm线宽的分辨率。
193nm是最常见的出光波长。这个波长的出光是可以支撑到45nm线宽的分辨率。
九楼表示不懂，不敢乱发言。
九楼表示不懂，不敢乱发言。
LED对线宽的要求很高？
在LED细分市场领域国内性价比高，巿场第一。
辽沈地区除了LED这种二极管，还能产啥IC？
在LED细分市场领域国内性价比高，巿场第一。
辽沈地区除了LED这种二极管，还能产啥IC？
LED对线宽的要求很高？
在LED细分市场领域国内性价比高，巿场第一。
led对线宽要求不高。
对线宽要求高的主要是intel及amd搞的x86架构的cisc cpu，异构件晶体管多，重复率不高，精度要求高，一类是nv及amd研发的gpu，需要暴力堆晶体管，自然需要更低线宽，还有一类是arm为首的risc，对die size有明确限制要求，自然需要在更小单位面积内刻出更多晶体管。
在LED细分市场领域国内性价比高，巿场第一。
led对线宽要求不高。
对线宽要求高的主要是intel及amd搞的x86架构的cisc cpu，异构件晶体管多，重复率不高，精度要求高，一类是nv及amd研发的gpu，需要暴力堆晶体管，自然需要更低线宽，还有一类是arm为首的risc，对die size有明确限制要求，自然需要在更小单位面积内刻出更多晶体管。
三楼是懂行的，四楼是无知无畏在胡扯……
你也够得上无知无畏标准
你也够得上无知无畏标准
你也够得上无知无畏标准
193nm光源，在浸入式光刻技术支撑下，可以做2Xnm的芯片，懂么？在半导体芯片制造业做了十几年，这点知识还是知道的。学，然后知不足，那个说193nm技术太low的只知其一，不知其二罢了。至于你，不评论。
193nm光源，在浸入式光刻技术支撑下，可以做2Xnm的芯片，懂么？在半导体芯片制造业做了十几年，这点知识还是知道的。学，然后知不足，那个说193nm技术太low的只知其一，不知其二罢了。至于你，不评论。
看不懂哦，意思是白皮不得搞暴利
4楼砖家最近很活跃，大概是从网易孎场过来的吧。。
有进步就是好的，不管进步的大小。
193nm光刻的，这水平也太低了吧
目前14nm工艺仍然用的是193nm准分子光源
目前14nm工艺仍然用的是193nm准分子光源
喜闻乐见，喜大普奔，热烈欢迎，发来贺电！
好消息，继续进步！！
才200个人？
是个好消息
无论水平高低咱有了就是最大的进步，没有你是研究阶段有就是入门，怕什么自卑什么？
风雨江城 发表于 2016-4-25 20:36
目前14nm工艺仍然用的是193nm准分子光源
可能4楼误以为是分辨率了。
目前14nm工艺仍然用的是193nm准分子光源
可能4楼误以为是分辨率了。
urin1010 发表于 2016-4-25 17:37
193nm是最常见的出光波长。这个波长的出光是可以支撑到45nm线宽的分辨率。
现在超大规模集成电路的硬件制造的三大环节，光刻工艺，光刻胶，光刻机，中国现在均已获得突破了。
2013四年磨一片的报道就指出中国突破了22纳米制造的工艺瓶颈。
这是报道地址：http://www.cas.cn/xw/cmsm/201307/t20130709_3896891.shtml
楼主的这篇报道说明光刻胶也不是瓶颈了
而光刻机有诸多新的突破15纳米压印光刻机已经投产，现在又有了最新的光刻机的消息
光电所造sp光刻样机的报道说明中国的光刻机已经突破了22纳米的的瓶颈，可以用于10纳米以下的器件生产。这是最新的报道地址：http://www.ioe.ac.cn/xwdt/zhxw/201604/t20160407_4579957.html
现在中国的超大规模集成电路的腾飞指日可待，CPU的设计龙芯有了重大突破，寒武纪为代表的神经网络芯片将投入生产，中国造的内存的x-flash将开始统治内存领域。
目前中国的短板转移到操作系统。
193nm是最常见的出光波长。这个波长的出光是可以支撑到45nm线宽的分辨率。
现在超大规模集成电路的硬件制造的三大环节，光刻工艺，光刻胶，光刻机，中国现在均已获得突破了。
2013四年磨一片的报道就指出中国突破了22纳米制造的工艺瓶颈。
这是报道地址：http://www.cas.cn/xw/cmsm/201307/t20130709_3896891.shtml
楼主的这篇报道说明光刻胶也不是瓶颈了
而光刻机有诸多新的突破15纳米压印光刻机已经投产，现在又有了最新的光刻机的消息
光电所造sp光刻样机的报道说明中国的光刻机已经突破了22纳米的的瓶颈，可以用于10纳米以下的器件生产。这是最新的报道地址：http://www.ioe.ac.cn/xwdt/zhxw/201604/t20160407_4579957.html
现在中国的超大规模集成电路的腾飞指日可待，CPU的设计龙芯有了重大突破，寒武纪为代表的神经网络芯片将投入生产，中国造的内存的x-flash将开始统治内存领域。
目前中国的短板转移到操作系统。
远方行者 发表于 2016-4-25 17:32
三楼是懂行的，四楼是无知无畏在胡扯……
惭愧惭愧，小弟搞过TOK和DNS的一段时间，知道这玩意没啥太高技术含量，但是如果没有国产化，也是个烦心事儿。曝光机么……任重而道远……
三楼是懂行的，四楼是无知无畏在胡扯……
惭愧惭愧，小弟搞过TOK和DNS的一段时间，知道这玩意没啥太高技术含量，但是如果没有国产化，也是个烦心事儿。曝光机么……任重而道远……
有东西在自己手里，不管这个东西落后多少，总比没有强一万倍
我们公司很早以前就开始芯源的匀胶机了，顺便一提，除了芯源我们还用棒子的SVS
urin1010 发表于 2016-4-25 18:33
led对线宽要求不高。
对线宽要求高的主要是intel及amd搞的x86架构的cisc cpu，异构件晶体管多，重复率不 ...
说了半天把主流CPU GPU都包括进去了
led对线宽要求不高。
对线宽要求高的主要是intel及amd搞的x86架构的cisc cpu，异构件晶体管多，重复率不 ...
说了半天把主流CPU GPU都包括进去了
ly530408 发表于 2016-4-25 21:38
现在超大规模集成电路的硬件制造的三大环节，光刻工艺，光刻胶，光刻机，中国现在均已获得突破了。
2013 ...
你说的我一点看不懂，但操作系统不算短板，现在开源的啥类型都有，把自己用的发行版维护好加固好就烧高香。 少吹点操作系统，少几家红旗、COS比啥都强。
现在超大规模集成电路的硬件制造的三大环节，光刻工艺，光刻胶，光刻机，中国现在均已获得突破了。
2013 ...
你说的我一点看不懂，但操作系统不算短板，现在开源的啥类型都有，把自己用的发行版维护好加固好就烧高香。 少吹点操作系统，少几家红旗、COS比啥都强。
有了设备，专利壁垒怎么破？
说了半天把主流CPU GPU都包括进去了
模拟电路芯片对线宽没要求，数字电路芯片，也就以上几个要求线宽低。奥，还漏掉一个，闪存颗粒及显存颗粒。你记住，需要线宽低的，往往是高精度要求的和需要高密度填充晶体管类型的半导体元器件。
模拟电路芯片对线宽没要求，数字电路芯片，也就以上几个要求线宽低。奥，还漏掉一个，闪存颗粒及显存颗粒。你记住，需要线宽低的，往往是高精度要求的和需要高密度填充晶体管类型的半导体元器件。
文艺军盲 发表于 2016-4-25 22:52
有东西在自己手里，不管这个东西落后多少，总比没有强一万倍
是滴，先解决有无，就不怕封锁了，然后再说先进。
有东西在自己手里，不管这个东西落后多少，总比没有强一万倍
是滴，先解决有无，就不怕封锁了，然后再说先进。