超级军网军用-民用半导体/芯片行业杂谈
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 21:14:19
1：行业概况
半导体行业与传统机械、冶金和制造业不同，除了军品和特种元器件（MEMS，滤波器，3-5族半导体芯片）基本上设计、生产和封装三大环节都已经分开。传统的芯片厂商（AMD，TI和ADI）都逐渐的剥离了芯片制造部门。目前世界上有四家家主要的芯片代工企业：intel（仍然保留了芯片生产能力），三星（只能做数字电路和内存），global foundry （从模拟到数字都做），TSMC（台积电，也基本上只做Si基CMOS芯片）。
剩下的厂家都专注于特种芯片的代工和开发。 比如欧洲的ST（MEMS传感器，模拟器件，汽车级芯片），NXP（功率半导体和大功率模拟半导体），onsemi （无源器件，模拟电子）。我们经常提到的砷化镓，氮化镓也有代工厂，那就是台湾的win-chip和美国的triquint公司。但是这些公司都多多少少有自己的设计能力（win-chip除外），所以找他们代工相当麻烦。
正因为如此要搞军用特种半导体（微波啊，模拟啊，无源器件，射频前端，MEMS啊）都需要有一定的半导体加工能力。
目前芯片公司主要分为三种：1） 用在消费类产品（手机、家用电器，通讯设备）的专用芯片（ASIC）开发商，这种企业有的就是fab-less，完全没有生产能力，找上面那几家去代工，代表性的就是 高通，展讯，海思，美国的AVAGO，RFMD，SKYWORKS RFMD， blacksand。也有带生产能力的厂商：Triquint。但是这一类公司有个巨大的问题，那就是一旦某一个产品（比如一款处理器，或者一个射频功放，开关）没有卖出去，那就死翘翘了。有可能一个季度报表很好，下一个季度就是严重亏损。
2） 产品种类多，覆盖面广没有特定消费群体：ADI，TI，NXP，PIC英菲凌还有ST。他们的产品非常广泛，同一产品客户非常多，基本上不会出现大起大落的现象。 典型的例子就是ST的STM系列单片机，在各行各业都有应用（汽车，电子，工业，医疗）。很遗憾中国海没有一家这种全方位，具备广泛芯片产品的公司。
3)特殊半导体器件厂商：主要是模拟射频领域有军工背景：比如EPcos，murata，triquint，malcon，mini circuit AVAGO，peregrine等。 这一类企业曾今或者现在都有军品出售，但是它们同时也做消费类电子产品，或多或少都做过一些半导体加工业务，或者是芯片加工委外，但是自己建立封装线（比如RFMD在北京就有封装生产线）。目前国内24所，13所，55所，26所还有58所，772所就相当于这一类企业，有民品（少）也有军品（多），但是基本上都有全套生产能力，缺点是基本上不具备大规模生产条件，而且不对外提供生产服务。
1：行业概况
半导体行业与传统机械、冶金和制造业不同，除了军品和特种元器件（MEMS，滤波器，3-5族半导体芯片）基本上设计、生产和封装三大环节都已经分开。传统的芯片厂商（AMD，TI和ADI）都逐渐的剥离了芯片制造部门。目前世界上有四家家主要的芯片代工企业：intel（仍然保留了芯片生产能力），三星（只能做数字电路和内存），global foundry （从模拟到数字都做），TSMC（台积电，也基本上只做Si基CMOS芯片）。
剩下的厂家都专注于特种芯片的代工和开发。 比如欧洲的ST（MEMS传感器，模拟器件，汽车级芯片），NXP（功率半导体和大功率模拟半导体），onsemi （无源器件，模拟电子）。我们经常提到的砷化镓，氮化镓也有代工厂，那就是台湾的win-chip和美国的triquint公司。但是这些公司都多多少少有自己的设计能力（win-chip除外），所以找他们代工相当麻烦。
正因为如此要搞军用特种半导体（微波啊，模拟啊，无源器件，射频前端，MEMS啊）都需要有一定的半导体加工能力。
目前芯片公司主要分为三种：1） 用在消费类产品（手机、家用电器，通讯设备）的专用芯片（ASIC）开发商，这种企业有的就是fab-less，完全没有生产能力，找上面那几家去代工，代表性的就是 高通，展讯，海思，美国的AVAGO，RFMD，SKYWORKS RFMD， blacksand。也有带生产能力的厂商：Triquint。但是这一类公司有个巨大的问题，那就是一旦某一个产品（比如一款处理器，或者一个射频功放，开关）没有卖出去，那就死翘翘了。有可能一个季度报表很好，下一个季度就是严重亏损。
2） 产品种类多，覆盖面广没有特定消费群体：ADI，TI，NXP，PIC英菲凌还有ST。他们的产品非常广泛，同一产品客户非常多，基本上不会出现大起大落的现象。 典型的例子就是ST的STM系列单片机，在各行各业都有应用（汽车，电子，工业，医疗）。很遗憾中国海没有一家这种全方位，具备广泛芯片产品的公司。
3)特殊半导体器件厂商：主要是模拟射频领域有军工背景：比如EPcos，murata，triquint，malcon，mini circuit AVAGO，peregrine等。 这一类企业曾今或者现在都有军品出售，但是它们同时也做消费类电子产品，或多或少都做过一些半导体加工业务，或者是芯片加工委外，但是自己建立封装线（比如RFMD在北京就有封装生产线）。目前国内24所，13所，55所，26所还有58所，772所就相当于这一类企业，有民品（少）也有军品（多），但是基本上都有全套生产能力，缺点是基本上不具备大规模生产条件，而且不对外提供生产服务。
2：元器件基本结构：由于模拟元器件和军事相关性非常强，所以我下面重点讲讲模拟半导体元器件的基本知识。
1;BJT 也就是bipolar junction transistor 说白了就是三极管，三极管可以看成是一个水龙头，它的作用是用一个小电流信号，去控制一个更大的电流信号，实现电流的放大。也就是功率放大。三极管可以在任何一种半导体材料上实现。我们常常说的硅，砷化镓，氮化镓，原理上都可以作为BJT的基材，或者存底材料。BJT的最大优点就是便宜，而且线性度非常好，适合做模拟器件。所以最早的半导体芯片无论是数字，还是模拟都用BJT实现，早期芯片上的TTL逻辑门，就是BJT实现的。但是现在数字器件里面已经极少用到BJT了。甚至连消费类射频产品（收发芯片，开关和混频器）都开始转向FET（场效应管）。
2：FET（MOSFET、MESFET）场效应管，这种晶体管是70年代末，80年代初期出现的。它最大的特点就是用一个电场去控制更大的电流。这就是为什么它叫做场效应管的原因。通过在FET的栅极，Gate上施加一个电压信号，栅极和FET的存底之间形成很高的场强，把D（漏极）和S（源级）之间的空穴（正电子）排斥开。这样电流（负电子）就可以通过。实现了电流的放大。 FET最大的优点就是可以一致性非常好，开关速度快，也便宜，所以非常适合做数字电路。 尤其是MOSFET或者CMOS工艺，已经成为数字芯片的绝对主流工艺。 当然MESFET仍然用来做模拟器件。最近几年普通的CMOS或者MOSFET工艺有所提高，（线性度和功率承受能力提高）也开始做一些功放啊，开关啊还有收发芯片等传统用BJT实现的芯片。我们用的手机收发芯片大部分就是CMOS工艺实现的，所谓模拟-数字单片集成。
3：Bi-CMOS工艺， 顾名思义它是BJT和CMOS的混合工艺，在一个芯片上实现两种器件，BJT用来实现模拟部分，CMOS实现数字部分。缺点是造价高，所以基本上用来做高性能模拟器件为主。
4：:FET-SOI 工艺，所谓的高阻硅工艺，实际上就是在一层阻抗（电阻）非常高的晶圆上做普通的FET（MOSFET）电路。好处是射频，高频波段 向基板（存底）流失的信号（功率）非常少。 适合做射频模拟器件。 它比普通的bulk silicon 有很大优势， 目前只有IBM和JAZZtower两家公司可以提供代工服务。 国际上很多公司用SOI工艺做手机功放，开关，取代昂贵的砷化镓HBT工艺。
5：HBT 工艺： HBT实际上是BJT的一种升级，它是将普通BJT的发射级（E）从一个变成了两个，减少了寄生电容和电阻，所以在同一种存底材料上做得HBT，高频性能（增益，截止频率）都会更好。目前NXP，TOSHIBA英菲灵等公司都有小时Si基的HBT元器件。
6：HBT-GaAs 砷化镓存底的HBT器件，由于GaAs的电子迁移率比较高，通俗的说就是电子的活性更高！ 增益大，Ft截止频率更大。而且功率承受能力也不错，所以目前主流的功放（手机用），射频开关，高性能混频器，LNA低噪放，甚至VCO振荡器都用GaAs来实现。
7： pHEMT - (GaAs, IgP) 这是也是混合半导体器件的一总，它实际上是一种FET，但是存底用的是GaAS或者IgP。 和HBT有点相识。
8：LDMOS- Si 这是一种非常奇特的组合，了解不多，唯一的用途就是基站里面的输出级功放。特点：功率承受能力大！ 但是频率做不高。
3：典型的军、民芯片应用案例。目前一个典型的接收模组结构如下（雷达，通讯都差不多）
天线-滤波器-低噪放-一级下变频（混频器实现，中频）-二级（基带）下变频 - 自适应增益放大 - AD模数转换（AD）- DSP（或者MCU）数字处理
差不多8个环节。 其中两级下变频需要两个PLL锁相环或者DDS提供本振频率。也就是差不多10个芯片。
低噪放一般用BJT或HBTGaAs实现，
滤波器一般是声表滤波器SAW，或者频率高一点用LC滤波器、微带线滤波器。
一级下变频还是GaAs为主，频率比较高，有几百赫兹。
二级下变频用普通BJT就可以实现（最多只有几十赫兹
至于自适应增益放大器，DSP都可以用CMOS器件完成，毕竟频率不高。
但是锁相环就比较复杂了，包哈了VCO，除法器，鉴频器和电荷泵。VCO一般用GaAs
（CMOS也可以，但是频率做不高）。其它部分都可以CMOS集成。
至于发射通道就是接受通道上加一个功放，HEMT，HBT-GaAs，LDMOS和BJT（SiGe）工艺都有用，取决于价格，性能和功率承受能力。
1;BJT 也就是bipolar junction transistor 说白了就是三极管，三极管可以看成是一个水龙头，它的作用是用一个小电流信号，去控制一个更大的电流信号，实现电流的放大。也就是功率放大。三极管可以在任何一种半导体材料上实现。我们常常说的硅，砷化镓，氮化镓，原理上都可以作为BJT的基材，或者存底材料。BJT的最大优点就是便宜，而且线性度非常好，适合做模拟器件。所以最早的半导体芯片无论是数字，还是模拟都用BJT实现，早期芯片上的TTL逻辑门，就是BJT实现的。但是现在数字器件里面已经极少用到BJT了。甚至连消费类射频产品（收发芯片，开关和混频器）都开始转向FET（场效应管）。
2：FET（MOSFET、MESFET）场效应管，这种晶体管是70年代末，80年代初期出现的。它最大的特点就是用一个电场去控制更大的电流。这就是为什么它叫做场效应管的原因。通过在FET的栅极，Gate上施加一个电压信号，栅极和FET的存底之间形成很高的场强，把D（漏极）和S（源级）之间的空穴（正电子）排斥开。这样电流（负电子）就可以通过。实现了电流的放大。 FET最大的优点就是可以一致性非常好，开关速度快，也便宜，所以非常适合做数字电路。 尤其是MOSFET或者CMOS工艺，已经成为数字芯片的绝对主流工艺。 当然MESFET仍然用来做模拟器件。最近几年普通的CMOS或者MOSFET工艺有所提高，（线性度和功率承受能力提高）也开始做一些功放啊，开关啊还有收发芯片等传统用BJT实现的芯片。我们用的手机收发芯片大部分就是CMOS工艺实现的，所谓模拟-数字单片集成。
3：Bi-CMOS工艺， 顾名思义它是BJT和CMOS的混合工艺，在一个芯片上实现两种器件，BJT用来实现模拟部分，CMOS实现数字部分。缺点是造价高，所以基本上用来做高性能模拟器件为主。
4：:FET-SOI 工艺，所谓的高阻硅工艺，实际上就是在一层阻抗（电阻）非常高的晶圆上做普通的FET（MOSFET）电路。好处是射频，高频波段 向基板（存底）流失的信号（功率）非常少。 适合做射频模拟器件。 它比普通的bulk silicon 有很大优势， 目前只有IBM和JAZZtower两家公司可以提供代工服务。 国际上很多公司用SOI工艺做手机功放，开关，取代昂贵的砷化镓HBT工艺。
5：HBT 工艺： HBT实际上是BJT的一种升级，它是将普通BJT的发射级（E）从一个变成了两个，减少了寄生电容和电阻，所以在同一种存底材料上做得HBT，高频性能（增益，截止频率）都会更好。目前NXP，TOSHIBA英菲灵等公司都有小时Si基的HBT元器件。
6：HBT-GaAs 砷化镓存底的HBT器件，由于GaAs的电子迁移率比较高，通俗的说就是电子的活性更高！ 增益大，Ft截止频率更大。而且功率承受能力也不错，所以目前主流的功放（手机用），射频开关，高性能混频器，LNA低噪放，甚至VCO振荡器都用GaAs来实现。
7： pHEMT - (GaAs, IgP) 这是也是混合半导体器件的一总，它实际上是一种FET，但是存底用的是GaAS或者IgP。 和HBT有点相识。
8：LDMOS- Si 这是一种非常奇特的组合，了解不多，唯一的用途就是基站里面的输出级功放。特点：功率承受能力大！ 但是频率做不高。
3：典型的军、民芯片应用案例。目前一个典型的接收模组结构如下（雷达，通讯都差不多）
天线-滤波器-低噪放-一级下变频（混频器实现，中频）-二级（基带）下变频 - 自适应增益放大 - AD模数转换（AD）- DSP（或者MCU）数字处理
差不多8个环节。 其中两级下变频需要两个PLL锁相环或者DDS提供本振频率。也就是差不多10个芯片。
低噪放一般用BJT或HBTGaAs实现，
滤波器一般是声表滤波器SAW，或者频率高一点用LC滤波器、微带线滤波器。
一级下变频还是GaAs为主，频率比较高，有几百赫兹。
二级下变频用普通BJT就可以实现（最多只有几十赫兹
至于自适应增益放大器，DSP都可以用CMOS器件完成，毕竟频率不高。
但是锁相环就比较复杂了，包哈了VCO，除法器，鉴频器和电荷泵。VCO一般用GaAs
（CMOS也可以，但是频率做不高）。其它部分都可以CMOS集成。
至于发射通道就是接受通道上加一个功放，HEMT，HBT-GaAs，LDMOS和BJT（SiGe）工艺都有用，取决于价格，性能和功率承受能力。
这种体制内对半导体发展没有啥好处， 国内现在最重要的是把制造和封装整合到1到2家手里 集中资金和技术人才发展才有未来、一盘散沙 没有规模效益 盈利弱难以可持续投入无人力财力去良性发展。国内IC设计 有几百家 低质量重复投资建设，包括制造部分8 英寸13英寸都很分散管理 工艺研发投入又少。一段时间工艺就落后于国外然后政府在掏点小钱撒胡椒面投资恶性循环，现在是找对人去整合半导体产业 在砸入天文数字的资金去让他成长发育。
4- 军用半导体器件
我上面讲了，其实军用和民用半导体没有本质区别。也就是设计的时候指标不同而，设计取舍不同而已，工艺上基本一样（因为元器件的结构都是差不多的）。尤其是国内目前缺乏先进CMOS和GaAs代工厂，很多研究所直接到国外流片，比如国内的高速AD基本上都是外国代工。所以根本谈不上什么军用不军用。 如果说有区别，就是在后道封装方面。基本上军用落后民用20年，真的，不骗大家。 国内军用封装还停留在QFN SMD金属外壳 + 金键合线的时代。说它傻大黑粗一点不为过。 之所以用落后技术，最大的原因就是 只有这样才能够在封装完以后，测量封装外壳内部的气体密度和密封性。 所以民用半导体差，军用不可能好。
目前国内军工代工发展受到很大瓶颈，首先自己没有先进的生产条件， 通过技改拿到的设备，都是为了满足军品的小批量生产，造价昂贵不说。实现的功能也非常少。所以很多设计公司根本不敢拿订单给国企、研究所做代工。 稍微好一点的代工厂比如中芯（SMIC）半导体 由于生产设备都是进口，（FBI长期驻厂），不敢接军品的单子。所以造成了很多项目因为无法流片的原因，停止了。
至于高性能的射频芯片，流片更难， 美国triquint，以色列的JAZZ是绝对不敢给国内研究所流片的。 所以很多高校，研究所到台湾去打查边球，找win-chip流片。但是问题也来了，军品量小，做个几万个芯片（一两个wafer）就已经了不起了，然后就没有然后了。 代工厂没赚到钱，直接把你踢掉。 所以也不是长久之计。
第二个问题就是资金，目前国内一个模拟半导体项目，几个亿人民币就已经了不得了，还要2-3年的时间才能拿到。 而目前一个8寸的CMOS模拟代工厂建设，至少要上百亿人民币， 所以资金缺口非常大。完全是杯水车薪。
第三： 体制问题。 国内做模拟芯片的研究所就有三家24,58和772所。算上高校，中科院，可能几百家都在做模拟半导体研究。低水平重复投资严重，目前研究所里面居然还有0.35um工艺的BJT HBT生产线在混饭吃，各家的生产设备基本雷同，没有统一规划。 实际上就是蜻蜓点水的投入。出不了大成果。
最后一个问题最严重： 但是也可一说是半导体行业的特点，那就是芯片市场是没有国界的，它的标准相同，任何国家，个人生产的芯片都可以在世界上任何地方使用。 不像汽车，火车飞机，等重工业产品，有制度和行政的门槛限制。 芯片就是比两条1性能，2价格。 所以高速铁路那样的举国体制并不适用。 也不应该用举国体制高半导体。这不是国家应该做得事情。
我上面讲了，其实军用和民用半导体没有本质区别。也就是设计的时候指标不同而，设计取舍不同而已，工艺上基本一样（因为元器件的结构都是差不多的）。尤其是国内目前缺乏先进CMOS和GaAs代工厂，很多研究所直接到国外流片，比如国内的高速AD基本上都是外国代工。所以根本谈不上什么军用不军用。 如果说有区别，就是在后道封装方面。基本上军用落后民用20年，真的，不骗大家。 国内军用封装还停留在QFN SMD金属外壳 + 金键合线的时代。说它傻大黑粗一点不为过。 之所以用落后技术，最大的原因就是 只有这样才能够在封装完以后，测量封装外壳内部的气体密度和密封性。 所以民用半导体差，军用不可能好。
目前国内军工代工发展受到很大瓶颈，首先自己没有先进的生产条件， 通过技改拿到的设备，都是为了满足军品的小批量生产，造价昂贵不说。实现的功能也非常少。所以很多设计公司根本不敢拿订单给国企、研究所做代工。 稍微好一点的代工厂比如中芯（SMIC）半导体 由于生产设备都是进口，（FBI长期驻厂），不敢接军品的单子。所以造成了很多项目因为无法流片的原因，停止了。
至于高性能的射频芯片，流片更难， 美国triquint，以色列的JAZZ是绝对不敢给国内研究所流片的。 所以很多高校，研究所到台湾去打查边球，找win-chip流片。但是问题也来了，军品量小，做个几万个芯片（一两个wafer）就已经了不起了，然后就没有然后了。 代工厂没赚到钱，直接把你踢掉。 所以也不是长久之计。
第二个问题就是资金，目前国内一个模拟半导体项目，几个亿人民币就已经了不得了，还要2-3年的时间才能拿到。 而目前一个8寸的CMOS模拟代工厂建设，至少要上百亿人民币， 所以资金缺口非常大。完全是杯水车薪。
第三： 体制问题。 国内做模拟芯片的研究所就有三家24,58和772所。算上高校，中科院，可能几百家都在做模拟半导体研究。低水平重复投资严重，目前研究所里面居然还有0.35um工艺的BJT HBT生产线在混饭吃，各家的生产设备基本雷同，没有统一规划。 实际上就是蜻蜓点水的投入。出不了大成果。
最后一个问题最严重： 但是也可一说是半导体行业的特点，那就是芯片市场是没有国界的，它的标准相同，任何国家，个人生产的芯片都可以在世界上任何地方使用。 不像汽车，火车飞机，等重工业产品，有制度和行政的门槛限制。 芯片就是比两条1性能，2价格。 所以高速铁路那样的举国体制并不适用。 也不应该用举国体制高半导体。这不是国家应该做得事情。
Triquient的驱动芯片是垄断优势
有一个建议 关于射频器件的生产 可以找下那些一线大厂商的对手，比如triquient有个对手叫macom质量相对较差但便宜 国内有实力的企业可以把它买下来，搬国内生产
在中芯上海总部呆过8年，头一次听说FBI驻厂的说法。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也对。不接军品是当初买设备时的条件，作为在美国的上市公司，必须接受美国相关部门的财务审查。
楼主说的是现实，这也是中国政府一直规劝美国开放高技术产品出口管制的问题。在芯片上要有突破，专利，设备，人才是拦路虎，资金不是问题。而在芯片技术上的专利，设备，人才不是像高铁这样能用市场换技术能换来的，因为这涉及到国家安全。除非美国经济真的抗不住了，否则是不会开放高技术出口管制的。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也对。不接军品是当初买设备时的条件，作为在美国的上市公司，必须接受美国相关部门的财务审查。
楼主说的是现实，这也是中国政府一直规劝美国开放高技术产品出口管制的问题。在芯片上要有突破，专利，设备，人才是拦路虎，资金不是问题。而在芯片技术上的专利，设备，人才不是像高铁这样能用市场换技术能换来的，因为这涉及到国家安全。除非美国经济真的抗不住了，否则是不会开放高技术出口管制的。
5 ： 关于收发TR模组的问题
相控阵雷达大量使用， 最重要的部件就是TR模组，许多网友也开始用baidu查资料，通模组的功率和频率比较性能。 但是我发现大家都翻了很多基本的错误。
首先我讲一下模组的定义。 所谓模组 其实全称是多芯片微封装模组：multi-chip-module MCM。 所谓微封装并不是指体积小，而是说用多个裸片（也就是没有封装的芯片）放在一个基板上，共用一个基板，形成一个系统的功能。所以有时候也奥SIP system in package。
它的发展始于60年代，当时所有的芯片功能都很简单，即便到了90年代初期，MMIC或者叫SOC单片集成的芯片都不成熟。 所以用n个功能简单的芯片组合在一起就是最简单也最便宜的解决方案。 它和SOC单片集成式一种竞争关系， 是芯片开发领域的另一条分支。 它的有点很多：性能高，开发成本低，而且可以把很多分立元器件，比如电感电阻都放在一个基板上，这样用户就不需要在PCB上放很多元器件，节省了客户的开发时间。
目前手机，基础通讯设备和军用微波设备都喜欢采用MCM的方式来做分系统和组件。 但是MCM也分很多总， 比如MCM-D， MCM-L 还有 3D TSV封装， 等等。目前最火的还是在LTCC基板上用flip-chip（倒桩焊接）的方式做MCM模组。 这种方法体积小，成本低。 特别适用于手机等移动通讯设备。
但是军用产品就慢的多了， 目前为止芯片和基板还是以bonding（键合线）连接。可以说落后了10年以上。14所的多芯片模组（也就是大家经常提到的3D立体封装，瓦片结构的模组），实际上根本就不应该叫立体封装， 它实际上是把几个基板用一个金属外壳叠了起来。这个应该叫POP package on package 封装。 和民用的3D封装是两个概念，技术难度低得多。
民用的3D和多层封装， 实际上是把芯片的裸片通过硅穿孔（TSV）的形式直接叠加（焊接)在一起。 中间甚至要加上芯片做互联。然后用有机塑料灌封。技术难度非常高， 首先要姐姐TSV硅穿孔问题，然后是细小的锡球长球和倒装焊问题（一个芯片可能有几百个球，坏一个整个就报废），最后还要解决产能，问题，（每月几千万只模组的封装必须一个一个的完成）。对设备的要求远远高于14所从以色列引进的生产线。
最后就是基板的问题了，国内简直惨不忍睹，每个军品企业都有LTCC基板生产线，但是除了43所大批量出货，其它的都处于残废状态。 即便可以用，也只能做非常低级的产品，比如线宽160um以上，体积和PCB差不多大，完全发挥不出MCM的优势。目前国内稳定的LTCC供应商只有一家（民营企业）也是刚刚起步，工艺，技术完全无法和murata，ntk，epcos等等相比。
相控阵雷达大量使用， 最重要的部件就是TR模组，许多网友也开始用baidu查资料，通模组的功率和频率比较性能。 但是我发现大家都翻了很多基本的错误。
首先我讲一下模组的定义。 所谓模组 其实全称是多芯片微封装模组：multi-chip-module MCM。 所谓微封装并不是指体积小，而是说用多个裸片（也就是没有封装的芯片）放在一个基板上，共用一个基板，形成一个系统的功能。所以有时候也奥SIP system in package。
它的发展始于60年代，当时所有的芯片功能都很简单，即便到了90年代初期，MMIC或者叫SOC单片集成的芯片都不成熟。 所以用n个功能简单的芯片组合在一起就是最简单也最便宜的解决方案。 它和SOC单片集成式一种竞争关系， 是芯片开发领域的另一条分支。 它的有点很多：性能高，开发成本低，而且可以把很多分立元器件，比如电感电阻都放在一个基板上，这样用户就不需要在PCB上放很多元器件，节省了客户的开发时间。
目前手机，基础通讯设备和军用微波设备都喜欢采用MCM的方式来做分系统和组件。 但是MCM也分很多总， 比如MCM-D， MCM-L 还有 3D TSV封装， 等等。目前最火的还是在LTCC基板上用flip-chip（倒桩焊接）的方式做MCM模组。 这种方法体积小，成本低。 特别适用于手机等移动通讯设备。
但是军用产品就慢的多了， 目前为止芯片和基板还是以bonding（键合线）连接。可以说落后了10年以上。14所的多芯片模组（也就是大家经常提到的3D立体封装，瓦片结构的模组），实际上根本就不应该叫立体封装， 它实际上是把几个基板用一个金属外壳叠了起来。这个应该叫POP package on package 封装。 和民用的3D封装是两个概念，技术难度低得多。
民用的3D和多层封装， 实际上是把芯片的裸片通过硅穿孔（TSV）的形式直接叠加（焊接)在一起。 中间甚至要加上芯片做互联。然后用有机塑料灌封。技术难度非常高， 首先要姐姐TSV硅穿孔问题，然后是细小的锡球长球和倒装焊问题（一个芯片可能有几百个球，坏一个整个就报废），最后还要解决产能，问题，（每月几千万只模组的封装必须一个一个的完成）。对设备的要求远远高于14所从以色列引进的生产线。
最后就是基板的问题了，国内简直惨不忍睹，每个军品企业都有LTCC基板生产线，但是除了43所大批量出货，其它的都处于残废状态。 即便可以用，也只能做非常低级的产品，比如线宽160um以上，体积和PCB差不多大，完全发挥不出MCM的优势。目前国内稳定的LTCC供应商只有一家（民营企业）也是刚刚起步，工艺，技术完全无法和murata，ntk，epcos等等相比。
很不错的半导体普及文章，这个靠自己但是没有政府的大规模资金 能自然生长出来个世界级半导体产业和公司么？
楼主继续普及洗耳恭听
很不错的半导体普及文章，这个靠自己但是没有政府的大规模资金 能自然生长出来个世界级半导体产业和公司么 ...
欧美的基本上靠自由竞争。也许7080年代还有补贴但是现在绝对没有了。
韩国 日本 台湾以前有补贴。现在都走市场经济。
半导体行业发展很快 几个月工艺路线就有变更。不停的变更 不停的投入。完全不确定。政府计划往往以年计算。而且执行预算的时候 即便是市场情况发生变化。还要保持投入 无法更改。
再有一个就是失败率太高。一个12寸线 几百个亿。如果工艺不过关。市场差。就死翘翘了。
所以半导体行业只能靠市场资本 市场融资。
欧美的基本上靠自由竞争。也许7080年代还有补贴但是现在绝对没有了。
韩国 日本 台湾以前有补贴。现在都走市场经济。
半导体行业发展很快 几个月工艺路线就有变更。不停的变更 不停的投入。完全不确定。政府计划往往以年计算。而且执行预算的时候 即便是市场情况发生变化。还要保持投入 无法更改。
再有一个就是失败率太高。一个12寸线 几百个亿。如果工艺不过关。市场差。就死翘翘了。
所以半导体行业只能靠市场资本 市场融资。
很不错的半导体普及文章，这个靠自己但是没有政府的大规模资金 能自然生长出来个世界级半导体产业和公司么 ...
欧美的基本上靠自由竞争。也许7080年代还有补贴但是现在绝对没有了。
韩国 日本 台湾以前有补贴。现在都走市场经济。
半导体行业发展很快 几个月工艺路线就有变更。不停的变更 不停的投入。完全不确定。政府计划往往以年计算。而且执行预算的时候 即便是市场情况
欧美的基本上靠自由竞争。也许7080年代还有补贴但是现在绝对没有了。
韩国 日本 台湾以前有补贴。现在都走市场经济。
半导体行业发展很快 几个月工艺路线就有变更。不停的变更 不停的投入。完全不确定。政府计划往往以年计算。而且执行预算的时候 即便是市场情况
有一个建议 关于射频器件的生产 可以找下那些一线大厂商的对手，比如triquient有个对手叫macom质量相对较 ...
不太可能。malcom做 军品 国内想买它的芯片不容易。malcom绝对不差！
不太可能。malcom做 军品 国内想买它的芯片不容易。malcom绝对不差！
收藏了再仔细读
这神逻辑，也只有鸦片贩子才能培养出来了。
能不能把这个帖子 放到讨论畅谈版 这里太冷了
昨天航展才问了13所和55所的人……他们也都卖的……
昨天航展才问了13所和55所的人……他们也都卖的……
卖什么？ 有竞争力么
卖什么？ 有竞争力么
13所来的是卖mems，按照他们的说法，光是mems都超10亿年销售额了，毛子都要来跪舔求卖
55所就是那些GaAs啊，GaN啊的东西。一个不怎么样的功放2000块，抢钱啊。
55所就是那些GaAs啊，GaN啊的东西。一个不怎么样的功放2000块，抢钱啊。
国家重视加大扶持力度，毕竟我国这么大的消费市场，慢慢会好的。
阳明有道 发表于 2014-11-13 16:26
在中芯上海总部呆过8年，头一次听说FBI驻厂的说法。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也 ...
做芯片的合格人才太少了，硕士研究生去做互联网软件开发月薪可以达到15K，甚至更高，IC的话博士才刚刚是入门级别吧？而且貌似工资也没有软件行业高。现在是市场经济了，让大家奉献青春为国家做贡献是不可能的，只能砸钱，给更高的薪水，才能吸引人才。
在中芯上海总部呆过8年，头一次听说FBI驻厂的说法。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也 ...
做芯片的合格人才太少了，硕士研究生去做互联网软件开发月薪可以达到15K，甚至更高，IC的话博士才刚刚是入门级别吧？而且貌似工资也没有软件行业高。现在是市场经济了，让大家奉献青春为国家做贡献是不可能的，只能砸钱，给更高的薪水，才能吸引人才。
坐看此贴成为口水贴，哈哈，又出来了
doubledr 发表于 2014-11-13 19:03
13所来的是卖mems，按照他们的说法，光是mems都超10亿年销售额了，毛子都要来跪舔求卖
55所就是那些GaAs ...
还不错。毛子都要跪舔了。
13所来的是卖mems，按照他们的说法，光是mems都超10亿年销售额了，毛子都要来跪舔求卖
55所就是那些GaAs ...
还不错。毛子都要跪舔了。
阳明有道 发表于 2014-11-13 16:26
在中芯上海总部呆过8年，头一次听说FBI驻厂的说法。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也 ...
SMIC可以从美国退市，然后在国内上市啊。就像展讯。
在中芯上海总部呆过8年，头一次听说FBI驻厂的说法。
中芯的最大股东是上海实业，大唐电信等，你说是国企也 ...
SMIC可以从美国退市，然后在国内上市啊。就像展讯。
13所来的是卖mems，按照他们的说法，光是mems都超10亿年销售额了，毛子都要来跪舔求卖
55所就是那些GaAs ...
表示怀疑 10亿以上 军用没那么大市场。
如果是民用 就必须是消费类市场。
对于研究所体制 几乎不可能。
至于功放 一个两千其实不贵。看功率多大
55所就是那些GaAs ...
表示怀疑 10亿以上 军用没那么大市场。
如果是民用 就必须是消费类市场。
对于研究所体制 几乎不可能。
至于功放 一个两千其实不贵。看功率多大
SMIC可以从美国退市，然后在国内上市啊。就像展讯。
只要用国外设备和物料 就有被断货 或者终止合作的危险
只要用国外设备和物料 就有被断货 或者终止合作的危险
前段时间喷346硅的，而楼主又是喷研究所做不出好货色得
楼主还是有点才得，有些观点我也赞成
不过楼主对国内军工的半导体器件还是看的太衰了，虽然确实达不到国际顶尖大厂的工艺，不过军工其实对3D封装之类的东西并不感冒，这些还是民用器件上比较关键。
手上GaAS器件的选用手册至少见过两个单位得，GaN倒是没见，当然俺也用不着。
所以见喷346为硅的，就暗暗发笑
楼主还是有点才得，有些观点我也赞成
不过楼主对国内军工的半导体器件还是看的太衰了，虽然确实达不到国际顶尖大厂的工艺，不过军工其实对3D封装之类的东西并不感冒，这些还是民用器件上比较关键。
手上GaAS器件的选用手册至少见过两个单位得，GaN倒是没见，当然俺也用不着。
所以见喷346为硅的，就暗暗发笑
eeyylx 发表于 2014-11-13 22:31
表示怀疑 10亿以上 军用没那么大市场。
如果是民用 就必须是消费类市场。
军工航天加起来，10亿不多
表示怀疑 10亿以上 军用没那么大市场。
如果是民用 就必须是消费类市场。
军工航天加起来，10亿不多
关于国外封锁的问题 非常严重。以前还可以在国外流片 现在这条路基本被切断了。
至于通过第三方 以色列 香港卖芯片。价格贵的离谱不说。供货还没有保证。军用封装更买不到。
一句话 国外的封锁更严密了
至于通过第三方 以色列 香港卖芯片。价格贵的离谱不说。供货还没有保证。军用封装更买不到。
一句话 国外的封锁更严密了
楼主还是搞混了一点，就是国内研究所的东西能满足军工，并不是用来做商业化为首要目标的。
军工和民用的要求，有些一样，有些不一样。比如体积，民用要求就严格些，主要是移动设备这块。军工上，本人稍微接触了一点，发现和民用还是不同得。当时做了个东西，对方选了性能较差的结构，原因是结实，结实之后才谈其他。
楼主搞清楚这点之后，就不会对研究所有这么怨言了。人家本来就不是奔着商业化来得，中国半导体这块的商业化公司你也别指望这些研究所。至于性能，研究所做的东西还是满足项目需要得。
半导体这行的问题，我倒不觉得是技术到头了，技术虽然难但理论上的空间可大得很，啥石墨烯碳纳米管多得是，关键是半导体这行的性能其实已经很好了，已经能满足大部分的需求了，一旦出现这种情况，没有需求做引导，技术进步就会停滞，这时候中国的机会就来了。
任你是金牌头牌，人老珠黄了就不值钱了
楼主还是搞混了一点，就是国内研究所的东西能满足军工，并不是用来做商业化为首要目标的。
军工和民用的要求，有些一样，有些不一样。比如体积，民用要求就严格些，主要是移动设备这块。军工上，本人稍微接触了一点，发现和民用还是不同得。当时做了个东西，对方选了性能较差的结构，原因是结实，结实之后才谈其他。
楼主搞清楚这点之后，就不会对研究所有这么怨言了。人家本来就不是奔着商业化来得，中国半导体这块的商业化公司你也别指望这些研究所。至于性能，研究所做的东西还是满足项目需要得。
半导体这行的问题，我倒不觉得是技术到头了，技术虽然难但理论上的空间可大得很，啥石墨烯碳纳米管多得是，关键是半导体这行的性能其实已经很好了，已经能满足大部分的需求了，一旦出现这种情况，没有需求做引导，技术进步就会停滞，这时候中国的机会就来了。
任你是金牌头牌，人老珠黄了就不值钱了
军工航天加起来，10亿不多
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
车载也不多。单价几百块一个。
再说整机厂也是 能买便宜货 进口货 就买。
所谓10亿销售 应该是总产值。加上13所的3 5族半导体产品
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
车载也不多。单价几百块一个。
再说整机厂也是 能买便宜货 进口货 就买。
所谓10亿销售 应该是总产值。加上13所的3 5族半导体产品
eeyylx 发表于 2014-11-13 22:48
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
看看珠海上中国各种指导武器白菜化，你就知道自己低估了国内的规模。
国内一旦一个技术突破，那规模和深度就是把别人赶尽杀绝的架势，军工也是如此
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
看看珠海上中国各种指导武器白菜化，你就知道自己低估了国内的规模。
国内一旦一个技术突破，那规模和深度就是把别人赶尽杀绝的架势，军工也是如此
做芯片的合格人才太少了，硕士研究生去做互联网软件开发月薪可以达到15K，甚至更高，IC的话博士才刚刚是 ...
ic薪资水平现在也还可以，不比it差。至于人才之说，ic业分工太细，公司管理水平高的话，什么人干都差不多。
ic薪资水平现在也还可以，不比it差。至于人才之说，ic业分工太细，公司管理水平高的话，什么人干都差不多。
明天讲讲 多芯片模组和 后道封装对军用 民用产品的影响
很好的学习贴吧，我是来看评论的
ic薪资水平现在也还可以，不比it差。至于人才之说，ic业分工太细，公司管理水平高的话，什么人干都差不多 ...
ic的薪资比it差多了，博士生也比不上it的小硕，至于射频，更是没前途，纷纷转行
ic的薪资比it差多了，博士生也比不上it的小硕，至于射频，更是没前途，纷纷转行
eeyylx 发表于 2014-11-13 09:48
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
10亿就是指mems，他们说他们有绝活，不然你以为毛子会跪舔呢。还有航空航天都有用。对了，我可没说是军工啊，展台是13所的一个皮包民企，他们卖的是民品
eeyylx 发表于 2014-11-13 09:48
mems产品 军工需求绝对没有10亿。
能用的地方就是 直到炮弹 和 单兵 做导航
10亿就是指mems，他们说他们有绝活，不然你以为毛子会跪舔呢。还有航空航天都有用。对了，我可没说是军工啊，展台是13所的一个皮包民企，他们卖的是民品
772的一批记得都卖到拉沃奇金去了
军标和民标不同，工艺当然不一样
感兴趣自己去看看军标抗辐照加固标准去
按那个做，民用手机永远得大哥大那么大
但是在军事级或者宇航级来说，就得这个要求
军标和民标不同，工艺当然不一样
感兴趣自己去看看军标抗辐照加固标准去
按那个做，民用手机永远得大哥大那么大
但是在军事级或者宇航级来说，就得这个要求
最大的问题:制造芯片的设备，国内根本就生产不出来
syfdm 发表于 2014-11-14 00:37
最大的问题:制造芯片的设备，国内根本就生产不出来
这个就真要轮到 “论体制之优劣”了
最大的问题:制造芯片的设备，国内根本就生产不出来
这个就真要轮到 “论体制之优劣”了