超级军网国产大尺寸IGBT终于量产了：我国首块八英寸IGBT芯片在湘 ...
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 04:07:42
http://tech.ifeng.com/discovery/ ... 0.shtml#_tansuo_wen
本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的研制和产业化取得重大突破，打破国外垄断，跻身世界一流行列。
中国工程院院士丁荣军介绍，IGBT芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是量上的变化，更是“质”的飞跃，其突破了新颖的元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了20%，并改变了原有芯片生产模式。
由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，布满128个小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅两根头发丝，其内部包含了6万个以上被称为“元胞”的基本单元，可在数千伏高压下、约1秒时间内实现数万次电流开关动作，将风能、太阳能等不稳定的能源输入转换为稳定的电流输出。
IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换和控制的核心器件，被誉为电力电子行业的“心脏”和现代变流工业“皇冠上的明珠”。现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率发展的电力电子技术，以IGBT等为代表。长期以来，我国IGBT芯片及相关产品99%以上依赖进口。
据了解，中国南车集合上百位专家，积20余年之功，累计投入超过3亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，最终全面掌握了该器件的成套技术，建立起完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，实现了我国IGBT技术从弱到强的转变。
《中国科学报》 (2014-06-23 第1版 要闻http://tech.ifeng.com/discovery/ ... 0.shtml#_tansuo_wen
本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的研制和产业化取得重大突破，打破国外垄断，跻身世界一流行列。
中国工程院院士丁荣军介绍，IGBT芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是量上的变化，更是“质”的飞跃，其突破了新颖的元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了20%，并改变了原有芯片生产模式。
由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，布满128个小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅两根头发丝，其内部包含了6万个以上被称为“元胞”的基本单元，可在数千伏高压下、约1秒时间内实现数万次电流开关动作，将风能、太阳能等不稳定的能源输入转换为稳定的电流输出。
IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换和控制的核心器件，被誉为电力电子行业的“心脏”和现代变流工业“皇冠上的明珠”。现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率发展的电力电子技术，以IGBT等为代表。长期以来，我国IGBT芯片及相关产品99%以上依赖进口。
据了解，中国南车集合上百位专家，积20余年之功，累计投入超过3亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，最终全面掌握了该器件的成套技术，建立起完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，实现了我国IGBT技术从弱到强的转变。
《中国科学报》 (2014-06-23 第1版 要闻
本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的研制和产业化取得重大突破，打破国外垄断，跻身世界一流行列。
中国工程院院士丁荣军介绍，IGBT芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是量上的变化，更是“质”的飞跃，其突破了新颖的元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了20%，并改变了原有芯片生产模式。
由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，布满128个小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅两根头发丝，其内部包含了6万个以上被称为“元胞”的基本单元，可在数千伏高压下、约1秒时间内实现数万次电流开关动作，将风能、太阳能等不稳定的能源输入转换为稳定的电流输出。
IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换和控制的核心器件，被誉为电力电子行业的“心脏”和现代变流工业“皇冠上的明珠”。现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率发展的电力电子技术，以IGBT等为代表。长期以来，我国IGBT芯片及相关产品99%以上依赖进口。
据了解，中国南车集合上百位专家，积20余年之功，累计投入超过3亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，最终全面掌握了该器件的成套技术，建立起完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，实现了我国IGBT技术从弱到强的转变。
《中国科学报》 (2014-06-23 第1版 要闻http://tech.ifeng.com/discovery/ ... 0.shtml#_tansuo_wen
本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午，在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的研制和产业化取得重大突破，打破国外垄断，跻身世界一流行列。
中国工程院院士丁荣军介绍，IGBT芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是量上的变化，更是“质”的飞跃，其突破了新颖的元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了20%，并改变了原有芯片生产模式。
由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，布满128个小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅两根头发丝，其内部包含了6万个以上被称为“元胞”的基本单元，可在数千伏高压下、约1秒时间内实现数万次电流开关动作，将风能、太阳能等不稳定的能源输入转换为稳定的电流输出。
IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换和控制的核心器件，被誉为电力电子行业的“心脏”和现代变流工业“皇冠上的明珠”。现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率发展的电力电子技术，以IGBT等为代表。长期以来，我国IGBT芯片及相关产品99%以上依赖进口。
据了解，中国南车集合上百位专家，积20余年之功，累计投入超过3亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，最终全面掌握了该器件的成套技术，建立起完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，实现了我国IGBT技术从弱到强的转变。
《中国科学报》 (2014-06-23 第1版 要闻
已经有人发过了。
这个必须要顶
这么屌……
第三代工艺的IGBT，有些落后，可惜中科院采用第五代工艺的始终有问题，1200V的能做到第四代工艺
这个真心HKC不起来
windflyrain 发表于 2014-6-24 16:00
这个真心HKC不起来
该公司购买了一个在英国的IGBT设计公司，
名字叫英国丹尼克斯半导体公司
这个公司在加拿大上市的，
这个公司有百十号人，有六寸的产品,电压值也没有那么高
结合南车已有的基础，资金等搞出8寸产品，并结合中国实际设计出适合我朝的产品，
其中过程你懂得...
这个真心HKC不起来
该公司购买了一个在英国的IGBT设计公司，
名字叫英国丹尼克斯半导体公司
这个公司在加拿大上市的，
这个公司有百十号人，有六寸的产品,电压值也没有那么高
结合南车已有的基础，资金等搞出8寸产品，并结合中国实际设计出适合我朝的产品，
其中过程你懂得...
还是要说了不起。
说是高铁上大量用到，这个要是真的量产了并且好用，绝对是个NB的事。
大功率IGBT模块。。。。。。全电推进。。。。。。
大功率IGBT模块。。。。。。全电推进。。。。。。
看了一下图，是128块的封装