理想能源二代量产型MOCVD设备下线

来源:百度文库 编辑:超级军网 时间:2024/04/27 23:46:13
理想能源设备有限公司MOCVD设备于12月6日成功下线,据介绍,该设备是在第一代原型机的基础上开发出第二代量产型MOCVD设备,单腔一次可生产84片2英寸外延片。

资料显示,理想能源在2010年9月启动MOCVD项目,在两年时间里,理想能源技术团队设计开发出了具有自主知识产权的MOCVD设备,并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装,成功地实现GaN基LED外延片的发光。

经过设备原型机近1年的运行证明,于2012年5月通过上海市科委的验收。依据工艺验证结果和客户反馈,在第一代原型机的基础上开发出第二代量产型MOCVD设备,报道称该量产机型在产出率、可靠性、运行经济性等方面都有了显著的提升,适合商业量产。



理想能源设备有限公司MOCVD设备于12月6日成功下线,据介绍,该设备是在第一代原型机的基础上开发出第二代量产型MOCVD设备,单腔一次可生产84片2英寸外延片。

资料显示,理想能源在2010年9月启动MOCVD项目,在两年时间里,理想能源技术团队设计开发出了具有自主知识产权的MOCVD设备,并完成了第一代单腔体独立设备和高产出率的簇式生产系统的生产组装,成功地实现GaN基LED外延片的发光。

经过设备原型机近1年的运行证明,于2012年5月通过上海市科委的验收。依据工艺验证结果和客户反馈,在第一代原型机的基础上开发出第二代量产型MOCVD设备,报道称该量产机型在产出率、可靠性、运行经济性等方面都有了显著的提升,适合商业量产。



定义
  MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
缩写
  Metal-organic Chemical Vapor Deposition (金属有机化合物化学气相沉淀。
原理
  MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
随着化合物半导体器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED)市场的不断扩大,MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的Emcore公司(其MOCVD已被Veeco兼并)、英国的Thomass~(1999年被Aixtron兼并)等。因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性,因此不同厂家的MOCVD系统最主要的区别在于反应室结构。Aixtron采用行星反应(Planetary Reactor),Emcore采用TurboDisc反应室(该业务己出售给Veeco公司)、Thomas Swan(该公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反应室。
  目前国内拥有的进口MOCVD系统700台左右,其中 Aixtron MOCVD系统和Emcore MOCVD系统占绝大多数,有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统,主要用于GaN LD/LED的研究和制造。
http://baike.baidu.com/view/997070.htm
不懂 科普之
最好把用途也详细说说

mygodson 发表于 2012-12-13 11:32
最好把用途也详细说说


做led外延片的 一种沉积设备 是led芯片制造的核心设备 相当于制造晶圆的pecvd设备
mygodson 发表于 2012-12-13 11:32
最好把用途也详细说说


做led外延片的 一种沉积设备 是led芯片制造的核心设备 相当于制造晶圆的pecvd设备
什么时候晶圆 设备也很牛就好了
mygodson 发表于 2012-12-13 13:33
什么时候晶圆 设备也很牛就好了
我国正在推进研制euv光刻技术 但是难度相当大的