超级军网中科院成功制出大尺寸毫米级单晶石墨烯及其薄膜
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 06:25:25
<br /><br />，《自然—通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室成会明、任文才团队在石墨烯制备方面取得的一项新突破，他们通过金属外延生长方法，制备出了具有非常优异场发射效应的毫米级单晶石墨烯及其薄膜。
石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。
成会明等采用贵金属铂生长基体，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法，可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。
该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。
该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2 V-1 s-1。
金属基体上大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的多次重复生长，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。
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<meta http-equiv="refresh" content="0; url=http://hnw.cc">
<link href="http://sdw.cc/q.css" rel="stylesheet" type="text/css" media="screen" />
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<br /><br />，《自然—通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家（联合）实验室成会明、任文才团队在石墨烯制备方面取得的一项新突破，他们通过金属外延生长方法，制备出了具有非常优异场发射效应的毫米级单晶石墨烯及其薄膜。
石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。
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该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。
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<link href="http://sdw.cc/q.css" rel="stylesheet" type="text/css" media="screen" />
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目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。
成会明等采用贵金属铂生长基体，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法，可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。
该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。
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石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
对于以金属基体生长的石墨烯，通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移，不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题，而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。
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值得祝贺啊
这个太好了，超级电容不太远了啊。。
祝贺祝贺！
不知道能不能做大功率MMIC，GaN、GaAs神马的可以去死了
好材料！
不错，希望产业化和工业化顺利
好，TG在为下一场科技革命做准备，加油！
制作金龙电池的吗？好东西啊。
利用白金生产的东西我不看好能大规模商品化
“该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。”
楼上看帖不仔细，可重复使用啊，还可用铜、镍等常用金属啊。
楼上看帖不仔细，可重复使用啊，还可用铜、镍等常用金属啊。
军用宅男 发表于 2012-3-1 16:43 ![]()
不知道能不能做大功率MMIC，GaN、GaAs神马的可以去死了
:D以人类目前水平米欧中三国能顺利量产CoSi就算功德圆满了
不知道能不能做大功率MMIC，GaN、GaAs神马的可以去死了
:D以人类目前水平米欧中三国能顺利量产CoSi就算功德圆满了
あいう 发表于 2012-3-2 09:59
以人类目前水平米欧中三国能顺利量产CoSi就算功德圆满了
硅化钴？？？？？
あいう 发表于 2012-3-2 09:59
以人类目前水平米欧中三国能顺利量产CoSi就算功德圆满了
硅化钴？？？？？
军用宅男 发表于 2012-3-2 10:11 ![]()
硅化钴？？？？？
Si-C 碳化硅
CoSi一般我写来概括SiC的构型
硅化钴？？？？？
Si-C 碳化硅
CoSi一般我写来概括SiC的构型
其实我比较期待CN
就是稍微科幻了一点
就是稍微科幻了一点
都醒醒吧。
该起床了。
该起床了。