超级军网中微新产品进入半导体主流设备市场
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 21:49:48
中微新产品进入半导体主流设备市场
出自：SEMI 编辑 董红
SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。2007年12月4日，在SEMICON Japan 2007开幕的前一天，中微公司(AMEC)在日本东京举行新闻发布会，宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45纳米的高端芯片加工设备------Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，正式进入全球半导体主流设备市场。
TOSHIBA公司执行副总裁、电子装置及部件部CEO Masashi Muromachi在新闻发布会上作了精彩的演讲，他表示：“TOSHIBA对新设备供应商的产品持开放的态度，只要新产品在技术、产能、价格等方面比原有设备有大幅提升，能够满足我们的要求，我们都愿意考虑。”
中微此次推出的两款设备分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积，设备经过了中微公司历时两年半的精心设计和反复论证。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用，更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的Fab厂上线试运。
“半导体芯片工业对降低成本的要求不断提高，成本问题已经成为决定芯片制造公司能否成功的关键之一。”中微公司董事长和首席执行官尹志尧博士在新闻发布会上表示，“芯片制造业要求更先进的技术和更高性能的半导体设备，以制造更先进的芯片，满足新一代电子产品的需求。中微公司通过技术创新和成本控制来满足这些要求。而且我们以亚洲为基地的新经营模式为我们和客户更好地合作提供了地理优势，也使我们能够充分利用这一区域的成本优势。”
据Gartner所掌握的数据显示，66% 的半导体器件、75% 的半导体设备销售在亚洲，这使得亚洲成为世界半导体芯片制造业的中心和半导体设备生产的热土。因此，中微将其长期策略定位在以中国和亚洲为基础，目前除在上海建有制造和研发基地外，已在日本、韩国、台湾、新加坡设有分公司，提供销售和技术支持服务。
中微公司Primo系列产品是为满足日益增长的先进芯片制造要求，和高输出量及低成本的要求而设计的新一代半导体设备。产品主要包括：
Primo D-RIE 介电质刻蚀设备
300毫米，多反应室，双反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。刻蚀机的应用包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介电质刻蚀。
系统特点及技术优势：
• 去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制。
• 独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制。
• 具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低。
• 每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。
• 双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致。
• 拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置
• 反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低。
• 上部电极直接加热和闭环控制确保了精确快速的晶片处理温度环境控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括6个单晶片反应台，在占用较少洁净室空间的同时，大大提高了芯片加工的输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
Primo HPCVD 高压热化学沉积设备
300毫米，多反应室，4反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的最新设计，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化学沉积的应用包括浅槽隔绝填充和前金属电介质沉积。
系统特性及技术优势：
• 有自主知识产权的多通道气体分配系统提高了沉积速度，改善了无空洞介质填充，同时有效控制了微粒杂质
• 有自主知识产权的动态晶片加热器提高了晶片内和晶片间的温度均匀度控制
• 独特的液体注入气化装置有效降低了杂质微粒的生成，提供了更高效的液体流量控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括12个单晶片反应台，在占用更少洁净室空间的同时，大大提高了芯片输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
中微公司是一家以亚洲为基地的新兴的半导体设备公司。公司致力于通过技术创新，为全球先进的芯片生产厂家提供一系列因提高产能而降低制造成本的高端芯片生产设备。中微公司战略性地将总部设在全球半导体芯片制造工业最集中的地区，提供独特的、拥有技术创新和低成本解决方案的等离子刻蚀和化学薄膜沉积设备，为65和45纳米以及更高端的芯片制造提供客户满意的技术支持。中微公司的全球布局包括在中国、日本、韩国、台湾、新加坡等地设立研发、制造、销售和客户服务机构。中微新产品进入半导体主流设备市场
出自：SEMI 编辑 董红
SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。2007年12月4日，在SEMICON Japan 2007开幕的前一天，中微公司(AMEC)在日本东京举行新闻发布会，宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45纳米的高端芯片加工设备------Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，正式进入全球半导体主流设备市场。
TOSHIBA公司执行副总裁、电子装置及部件部CEO Masashi Muromachi在新闻发布会上作了精彩的演讲，他表示：“TOSHIBA对新设备供应商的产品持开放的态度，只要新产品在技术、产能、价格等方面比原有设备有大幅提升，能够满足我们的要求，我们都愿意考虑。”
中微此次推出的两款设备分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积，设备经过了中微公司历时两年半的精心设计和反复论证。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用，更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的Fab厂上线试运。
“半导体芯片工业对降低成本的要求不断提高，成本问题已经成为决定芯片制造公司能否成功的关键之一。”中微公司董事长和首席执行官尹志尧博士在新闻发布会上表示，“芯片制造业要求更先进的技术和更高性能的半导体设备，以制造更先进的芯片，满足新一代电子产品的需求。中微公司通过技术创新和成本控制来满足这些要求。而且我们以亚洲为基地的新经营模式为我们和客户更好地合作提供了地理优势，也使我们能够充分利用这一区域的成本优势。”
据Gartner所掌握的数据显示，66% 的半导体器件、75% 的半导体设备销售在亚洲，这使得亚洲成为世界半导体芯片制造业的中心和半导体设备生产的热土。因此，中微将其长期策略定位在以中国和亚洲为基础，目前除在上海建有制造和研发基地外，已在日本、韩国、台湾、新加坡设有分公司，提供销售和技术支持服务。
中微公司Primo系列产品是为满足日益增长的先进芯片制造要求，和高输出量及低成本的要求而设计的新一代半导体设备。产品主要包括：
Primo D-RIE 介电质刻蚀设备
300毫米，多反应室，双反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。刻蚀机的应用包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介电质刻蚀。
系统特点及技术优势：
• 去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制。
• 独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制。
• 具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低。
• 每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。
• 双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致。
• 拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置
• 反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低。
• 上部电极直接加热和闭环控制确保了精确快速的晶片处理温度环境控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括6个单晶片反应台，在占用较少洁净室空间的同时，大大提高了芯片加工的输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
Primo HPCVD 高压热化学沉积设备
300毫米，多反应室，4反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的最新设计，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化学沉积的应用包括浅槽隔绝填充和前金属电介质沉积。
系统特性及技术优势：
• 有自主知识产权的多通道气体分配系统提高了沉积速度，改善了无空洞介质填充，同时有效控制了微粒杂质
• 有自主知识产权的动态晶片加热器提高了晶片内和晶片间的温度均匀度控制
• 独特的液体注入气化装置有效降低了杂质微粒的生成，提供了更高效的液体流量控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括12个单晶片反应台，在占用更少洁净室空间的同时，大大提高了芯片输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
中微公司是一家以亚洲为基地的新兴的半导体设备公司。公司致力于通过技术创新，为全球先进的芯片生产厂家提供一系列因提高产能而降低制造成本的高端芯片生产设备。中微公司战略性地将总部设在全球半导体芯片制造工业最集中的地区，提供独特的、拥有技术创新和低成本解决方案的等离子刻蚀和化学薄膜沉积设备，为65和45纳米以及更高端的芯片制造提供客户满意的技术支持。中微公司的全球布局包括在中国、日本、韩国、台湾、新加坡等地设立研发、制造、销售和客户服务机构。
出自：SEMI 编辑 董红
SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。2007年12月4日，在SEMICON Japan 2007开幕的前一天，中微公司(AMEC)在日本东京举行新闻发布会，宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45纳米的高端芯片加工设备------Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，正式进入全球半导体主流设备市场。
TOSHIBA公司执行副总裁、电子装置及部件部CEO Masashi Muromachi在新闻发布会上作了精彩的演讲，他表示：“TOSHIBA对新设备供应商的产品持开放的态度，只要新产品在技术、产能、价格等方面比原有设备有大幅提升，能够满足我们的要求，我们都愿意考虑。”
中微此次推出的两款设备分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积，设备经过了中微公司历时两年半的精心设计和反复论证。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用，更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的Fab厂上线试运。
“半导体芯片工业对降低成本的要求不断提高，成本问题已经成为决定芯片制造公司能否成功的关键之一。”中微公司董事长和首席执行官尹志尧博士在新闻发布会上表示，“芯片制造业要求更先进的技术和更高性能的半导体设备，以制造更先进的芯片，满足新一代电子产品的需求。中微公司通过技术创新和成本控制来满足这些要求。而且我们以亚洲为基地的新经营模式为我们和客户更好地合作提供了地理优势，也使我们能够充分利用这一区域的成本优势。”
据Gartner所掌握的数据显示，66% 的半导体器件、75% 的半导体设备销售在亚洲，这使得亚洲成为世界半导体芯片制造业的中心和半导体设备生产的热土。因此，中微将其长期策略定位在以中国和亚洲为基础，目前除在上海建有制造和研发基地外，已在日本、韩国、台湾、新加坡设有分公司，提供销售和技术支持服务。
中微公司Primo系列产品是为满足日益增长的先进芯片制造要求，和高输出量及低成本的要求而设计的新一代半导体设备。产品主要包括：
Primo D-RIE 介电质刻蚀设备
300毫米，多反应室，双反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。刻蚀机的应用包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介电质刻蚀。
系统特点及技术优势：
• 去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制。
• 独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制。
• 具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低。
• 每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。
• 双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致。
• 拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置
• 反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低。
• 上部电极直接加热和闭环控制确保了精确快速的晶片处理温度环境控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括6个单晶片反应台，在占用较少洁净室空间的同时，大大提高了芯片加工的输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
Primo HPCVD 高压热化学沉积设备
300毫米，多反应室，4反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的最新设计，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化学沉积的应用包括浅槽隔绝填充和前金属电介质沉积。
系统特性及技术优势：
• 有自主知识产权的多通道气体分配系统提高了沉积速度，改善了无空洞介质填充，同时有效控制了微粒杂质
• 有自主知识产权的动态晶片加热器提高了晶片内和晶片间的温度均匀度控制
• 独特的液体注入气化装置有效降低了杂质微粒的生成，提供了更高效的液体流量控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括12个单晶片反应台，在占用更少洁净室空间的同时，大大提高了芯片输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
中微公司是一家以亚洲为基地的新兴的半导体设备公司。公司致力于通过技术创新，为全球先进的芯片生产厂家提供一系列因提高产能而降低制造成本的高端芯片生产设备。中微公司战略性地将总部设在全球半导体芯片制造工业最集中的地区，提供独特的、拥有技术创新和低成本解决方案的等离子刻蚀和化学薄膜沉积设备，为65和45纳米以及更高端的芯片制造提供客户满意的技术支持。中微公司的全球布局包括在中国、日本、韩国、台湾、新加坡等地设立研发、制造、销售和客户服务机构。中微新产品进入半导体主流设备市场
出自：SEMI 编辑 董红
SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。2007年12月4日，在SEMICON Japan 2007开幕的前一天，中微公司(AMEC)在日本东京举行新闻发布会，宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45纳米的高端芯片加工设备------Primo D-RIE（去耦合反应离子刻蚀）设备及Primo HPCVD（高压热化学沉积）设备，正式进入全球半导体主流设备市场。
TOSHIBA公司执行副总裁、电子装置及部件部CEO Masashi Muromachi在新闻发布会上作了精彩的演讲，他表示：“TOSHIBA对新设备供应商的产品持开放的态度，只要新产品在技术、产能、价格等方面比原有设备有大幅提升，能够满足我们的要求，我们都愿意考虑。”
中微此次推出的两款设备分别应用于关键的氧化物等介电质刻蚀，和浅槽隔离沉积及前金属电介质沉积，设备经过了中微公司历时两年半的精心设计和反复论证。这两种设备独特的小批量多反应器系统，使其与同类产品相比输出产率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均节省35%，并在芯片加工中有更优异的性能。目前，中微公司的一台电介质刻蚀设备和一台高压热化学沉积设备已经在客户的生产线上进行试用，更多的设备正准备运往亚洲各地区先进的Fab厂上线试运。
“半导体芯片工业对降低成本的要求不断提高，成本问题已经成为决定芯片制造公司能否成功的关键之一。”中微公司董事长和首席执行官尹志尧博士在新闻发布会上表示，“芯片制造业要求更先进的技术和更高性能的半导体设备，以制造更先进的芯片，满足新一代电子产品的需求。中微公司通过技术创新和成本控制来满足这些要求。而且我们以亚洲为基地的新经营模式为我们和客户更好地合作提供了地理优势，也使我们能够充分利用这一区域的成本优势。”
据Gartner所掌握的数据显示，66% 的半导体器件、75% 的半导体设备销售在亚洲，这使得亚洲成为世界半导体芯片制造业的中心和半导体设备生产的热土。因此，中微将其长期策略定位在以中国和亚洲为基础，目前除在上海建有制造和研发基地外，已在日本、韩国、台湾、新加坡设有分公司，提供销售和技术支持服务。
中微公司Primo系列产品是为满足日益增长的先进芯片制造要求，和高输出量及低成本的要求而设计的新一代半导体设备。产品主要包括：
Primo D-RIE 介电质刻蚀设备
300毫米，多反应室，双反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。刻蚀机的应用包括极深接触孔刻蚀、硬模板刻蚀、金属接触孔刻蚀、浅槽刻蚀等各种介电质刻蚀。
系统特点及技术优势：
• 去耦合反应离子刻蚀和稳定的射频系统设计，提供了对离子浓度和离子能量的分别控制，也达到了有效的关键尺度控制。
• 独特的射频输入和对称分布可对刻蚀过程和芯片内刻蚀均匀度达到精密控制。
• 具有自主知识产权的双重等离子体聚焦使刻蚀过程更为稳定和可靠，并使杂质微粒数降到最低。
• 每个反应台独立的射频发生器，各反应台均匀度的分别控制和刻蚀终点控制，使得每片晶圆可以在独立的反应环境中被刻蚀处理，达到最佳结果。这是业界第一次在同一机台上实现单芯片或双芯片加工随意转换成为可能。
• 双射频的下电极输入提供了稳定，可靠的等离子体浓度和离子能量， 从而使刻蚀过程稳定，可重复，并且使各反应台加工结果一致。
• 拥有自主知识产权，具有快速，稳定，可靠的调谐能力自隔离射频匹配装置
• 反应室内壁选用高纯度，耐等离子体特殊材料。开发最佳的材料加工过程，大大降低损耗。将杂质微粒数降到最低。
• 上部电极直接加热和闭环控制确保了精确快速的晶片处理温度环境控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括6个单晶片反应台，在占用较少洁净室空间的同时，大大提高了芯片加工的输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
Primo HPCVD 高压热化学沉积设备
300毫米，多反应室，4反应台/室系统。具有单晶片独立加工环境。 此设备拥有自主知识产权的最新设计，可加工65/45纳米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化学沉积的应用包括浅槽隔绝填充和前金属电介质沉积。
系统特性及技术优势：
• 有自主知识产权的多通道气体分配系统提高了沉积速度，改善了无空洞介质填充，同时有效控制了微粒杂质
• 有自主知识产权的动态晶片加热器提高了晶片内和晶片间的温度均匀度控制
• 独特的液体注入气化装置有效降低了杂质微粒的生成，提供了更高效的液体流量控制
• 系统可安装多达3个反应器，包括12个单晶片反应台，在占用更少洁净室空间的同时，大大提高了芯片输出量。
• 模板化系统构架使得安装和维护都变得更为便捷。
中微公司是一家以亚洲为基地的新兴的半导体设备公司。公司致力于通过技术创新，为全球先进的芯片生产厂家提供一系列因提高产能而降低制造成本的高端芯片生产设备。中微公司战略性地将总部设在全球半导体芯片制造工业最集中的地区，提供独特的、拥有技术创新和低成本解决方案的等离子刻蚀和化学薄膜沉积设备，为65和45纳米以及更高端的芯片制造提供客户满意的技术支持。中微公司的全球布局包括在中国、日本、韩国、台湾、新加坡等地设立研发、制造、销售和客户服务机构。