全球DRAM第一，三星开始称霸超高速半导体市场

正在全球DRAM市场上角逐第一的三星电子以“超差距技术能力”称霸市场，而其武器正是同时实现目前具有最大容量和最高速度的12Gb移动DRAM。 　

三星电子9月9日发布消息称，本月起，将以其最新的独立设计技术和行业唯一的20纳米工程批量生产容量和性能进一步升级的12Gb LPDDR4 DRAM。移动DRAM是主要在智能手机、平板电脑等上承担存储设备功能的存储芯片。与目前的NAND闪存相比，该产品具有可以1000倍以上的高速反复对数据进行存储、删除的各种功能。 　

三星电子此次实现商业化的12Gb移动DRAM比去年12月开始批量生产的8Gb DRAM增加了50%的存储容量。同时在速度上实现了提速30%以上，即4266Mbps，比最新电脑中使用的DRAM快两倍，耗电也降低了20%。这将成为在更薄更小的IT机器上实现高性能的基础。 　

例如，如果将这一芯片用于日后问世的GALAXY S7或iPhone7等新一代高端智能手机上，信息处理将更快，设计方面也可以更薄更轻。即使在观看超高清（UHD）视频的同时进行各种检索、编写文档操作，也会畅通无阻。 　

三星电子相关人员解释称，“可以在设计和简便方面实现最佳性能，还可以增加电池的使用寿命，计划今后向超薄电脑和数字家电、车载存储芯片等以及各种物联网（IoT）等各领域扩展新产品”。 　

实际上之前走上坡路的半导体行情如今也开始走下坡路了。DRAM、NAND闪存等价格跌落之势正在持续，且雪上加霜的是，预计中国的经济危机会使得半导体需求量减少。然而，有分析指出，此次12Gb移动DRAM反而会巩固三星电子的地位。这得益于新兴企业无法追赶的所谓“超差距技术能力”战略。 　

正如此次全球首次成功实现12Gb DRAM商业化一样，三星电子计划增加附加价值高的、以高端基础为基础的产品所占的比重，从而实现与价格下降无关的稳定利润。即使下半年半导体市场并不乐观，预计三星电子依然能够保持良好状态，而其决定性原因就在于此。NH投资证券李世哲（音）研究员称，“此次产品是现有配置最好的存储芯片”，“这是符合智能手机等逐渐高端化趋势的产品，预计将有利于提高销量”。

http://chinese.joins.com/gb/arti ... l&art_id=140634
正在全球DRAM市场上角逐第一的三星电子以“超差距技术能力”称霸市场，而其武器正是同时实现目前具有最大容量和最高速度的12Gb移动DRAM。 　

三星电子9月9日发布消息称，本月起，将以其最新的独立设计技术和行业唯一的20纳米工程批量生产容量和性能进一步升级的12Gb LPDDR4 DRAM。移动DRAM是主要在智能手机、平板电脑等上承担存储设备功能的存储芯片。与目前的NAND闪存相比，该产品具有可以1000倍以上的高速反复对数据进行存储、删除的各种功能。 　

三星电子此次实现商业化的12Gb移动DRAM比去年12月开始批量生产的8Gb DRAM增加了50%的存储容量。同时在速度上实现了提速30%以上，即4266Mbps，比最新电脑中使用的DRAM快两倍，耗电也降低了20%。这将成为在更薄更小的IT机器上实现高性能的基础。 　

例如，如果将这一芯片用于日后问世的GALAXY S7或iPhone7等新一代高端智能手机上，信息处理将更快，设计方面也可以更薄更轻。即使在观看超高清（UHD）视频的同时进行各种检索、编写文档操作，也会畅通无阻。 　

三星电子相关人员解释称，“可以在设计和简便方面实现最佳性能，还可以增加电池的使用寿命，计划今后向超薄电脑和数字家电、车载存储芯片等以及各种物联网（IoT）等各领域扩展新产品”。 　

实际上之前走上坡路的半导体行情如今也开始走下坡路了。DRAM、NAND闪存等价格跌落之势正在持续，且雪上加霜的是，预计中国的经济危机会使得半导体需求量减少。然而，有分析指出，此次12Gb移动DRAM反而会巩固三星电子的地位。这得益于新兴企业无法追赶的所谓“超差距技术能力”战略。 　

正如此次全球首次成功实现12Gb DRAM商业化一样，三星电子计划增加附加价值高的、以高端基础为基础的产品所占的比重，从而实现与价格下降无关的稳定利润。即使下半年半导体市场并不乐观，预计三星电子依然能够保持良好状态，而其决定性原因就在于此。NH投资证券李世哲（音）研究员称，“此次产品是现有配置最好的存储芯片”，“这是符合智能手机等逐渐高端化趋势的产品，预计将有利于提高销量”。

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