半导体及芯片生产设备中的国产蚀刻设备达世界先进，美国 ...

SEMI在敦促美国政府修订半导体设备出口管制清单上取得突破性进展。据悉，美国商务部工业与安全局（BIS）即日将正式发文宣布，认可国外（中国）存在各向异性等离子干法刻蚀设备，这类设备在ECCN编号为3B001.c。BIS将表明，中国有和美国ECCN3B001.c性能相当的刻蚀设备技术能力，因此，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。
这一禁令已经持续20多年，取消这条禁令十分必要，这可以充分证明中国本土公司已经可以制造出与美国公司性能相当的半导体刻蚀设备。同时，也为瓦森纳协议（Wassenaar Arrangement）在全球贸易中解除相关管制条例做好了准备。
SEMI长期以来一直敦促美国政府修订出口管制清单，支持自由贸易和开放市场，促进全球半导体产业健康发展。而这次突破性进展除了对中国企业的认可外，对于美国和日本的主要设备供应商也是一个大的利好。
背景
2014年7月16日，半导体设备和材料协会（SEMI）向BIS申请，表示中国存在有各向异性等离子干蚀刻设备，这类型的设备在美国ECCN出口管制制度中编号为3B001.c。它用在双重用途的半导体设备制造过程，例如闪存、微波单片集成电路、晶体管以及模拟 - 数字转换器。这些设备用于民用和军事应用，例如雷达、点对点无线电通信、微处理器、蜂窝基础设施和卫星通信。SEMI认为，中国同等质量的各向异性等离子干法刻蚀设备足以使美国ECCN 3B001.c类别的出口管制失效。
SEMI提交该提案之后， BIS于2014年9月8日正式启动评估。BIS收集的数据分析结果通过了评估，表明中国有和美国ECCN3B001.c质量一致的刻蚀设备，这样，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。
关于SEMI
SEMI（国际半导体设备及材料协会）是一家服务于微电子和纳米电子行业制造供应链的非营利性国际行业协会，包括半导体、光伏、LED、平板显示、MEMS等。SEMI 在全世界微电子及显示器主要生产地区都设有代表处，并定期举办项目和活动。
SEMI的主要宗旨是协助会员公司开拓世界市场机会，加强与客户、工业界、政府和企业领导人之间的联系，进而推动全球产业的发展。通过其提供的产品和服务SEMI帮助推动了微电子及显示行业的发展，增加会员公司间的商业往来，进而起到鼓励行业公平竞争加大市场开放程度的目的。
http://ic.semi.org.cn/a/sub_ic_design/ic_design_editcommend/57659.html


上海2014年11月28日电 /美通社/ -- 中微半导体设备有限公司（简称“中微”）今日宣布在本月初举办的第十六届中国国际工业博览会上荣获金奖。这一奖项彰显了中微十年来在先进技术自主创新方面取得的可喜成绩。中微此次获奖产品是其处于行业领先地位的去耦合等离子体介质刻蚀机Primo AD-RIE，该设备能够满足28到15纳米及更先进工艺芯片制造的严苛要求。此次工博会有四家单位获颁金奖，中微是其中之一。

这是中微连续第二年蝉联工博会奖项。去年中微公司的MOCVD设备Prismo D-BLUE荣获工博会银奖第一名，该设备已被主流LED生产线采用并进行大批量LED外延生产。工博会奖项评审极其严格，同一家公司连续两年获奖实属少数。

“中微的两种不同产品分别于去年获银奖、今年获金奖，确实显示了中微从2004年成立以来取得的强劲的技术和业务发展势头。”中微公司董事长兼首席执行官尹志尧博士说道，“这项荣誉归功于我们的技术团队，他们每天都在为推动技术的进步，为给客户提供最好的技术和设备，并为节省生产成本而努力奋斗。”

2014年对中微来说是标志性的一年。今年7月，中微正式发布了双反应台介质刻蚀除胶一体机Primo iDEA-- 这是业界首次将介质等离子体刻蚀的双台反应器和等离子除胶的双台反应器集成在同一个系统上，它大大提高了生产效率，同时降低了这两项工艺过程20%的生产成本。

此外，中微单台反应器等离子体刻蚀设备Primo SSC AD-RIE已被客户验证用于16纳米闪存芯片加工中最关键的步骤。该设备已用于芯片批量生产，表现卓越，具备极长的持续正常运行时间和稳定的良率，目前每月可加工14多万片晶圆片。

中微先进的技术能力还吸引了许多新的海外客户。一些业内领先的企业已将中微的刻蚀设备选为其先进芯片加工的定型设备（PTOR）。

除了在等离子体介质刻蚀领域的强劲势头，中微在硅通孔刻蚀和MEMS刻蚀领域也取得了较大的发展。中微12英寸硅通孔刻蚀设备取得了大陆和台湾地区领先客户的重复订单。中微的硅通孔刻蚀设备为诸如CMOS图像传感器（CIS）和其他传感器等复杂的封装提供先进的技术，帮助客户提高产能并节省生产成本。

MOCVD市场受本土LED芯片制造商的驱动逐渐回暖，国内越来越多的LED芯片制造商开始接受中微的MOCVD设备。中微欲借力于这股增长的趋势，加速MOCVD设备进入客户生产线的步伐。MOCVD设备在以最节省成本的方式生产高亮度LED方面起着关键作用。LED照明预计终将取代低能效的白炽灯。

尹志尧博士说道：“我们相信，中微先进的技术是公司过去十年取得成功的核心因素，我们也认为，中微的经营方式发挥了同样重要的作用。中微从一开始就很注重把最好的商业模式和技术专长同高质量的产品和客户服务结合起来。如果客户选择与中微合作，他们完全可以相信我们是能够在技术创新、快速提高产能、专业知识、质量保证、可靠性和服务这些他们最看重的方面做得最好的合作伙伴。正是这种信誉使我们过去两年销售额连续增长了40%，我们希望保持这种健康的增长速度。”

关于中微半导体设备有限公司

中微公司致力于为全球半导体和LED芯片制造商提供领先的工艺技术解决方案。公司等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已广泛应用于国际一线集成电路客户45纳米到1X纳米及更先进的芯片加工制造等。目前，中微已有330多个刻蚀反应台在亚洲地区26条国际领先的生产线上运行。中微开发的用于大批量LED外延片生产和功率器件生产的MOCVD设备也已进入生产线运行。更多信息请访问公司网站：www.amec-inc.com.

Primo AD-RIE, Primo TSV 和Prismo D-BLUE是中微的注册商标。

消息来源: 中微半导体设备有限公司
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SEMI在敦促美国政府修订半导体设备出口管制清单上取得突破性进展。据悉，美国商务部工业与安全局（BIS）即日将正式发文宣布，认可国外（中国）存在各向异性等离子干法刻蚀设备，这类设备在ECCN编号为3B001.c。BIS将表明，中国有和美国ECCN3B001.c性能相当的刻蚀设备技术能力，因此，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。
这一禁令已经持续20多年，取消这条禁令十分必要，这可以充分证明中国本土公司已经可以制造出与美国公司性能相当的半导体刻蚀设备。同时，也为瓦森纳协议（Wassenaar Arrangement）在全球贸易中解除相关管制条例做好了准备。
SEMI长期以来一直敦促美国政府修订出口管制清单，支持自由贸易和开放市场，促进全球半导体产业健康发展。而这次突破性进展除了对中国企业的认可外，对于美国和日本的主要设备供应商也是一个大的利好。
背景
2014年7月16日，半导体设备和材料协会（SEMI）向BIS申请，表示中国存在有各向异性等离子干蚀刻设备，这类型的设备在美国ECCN出口管制制度中编号为3B001.c。它用在双重用途的半导体设备制造过程，例如闪存、微波单片集成电路、晶体管以及模拟 - 数字转换器。这些设备用于民用和军事应用，例如雷达、点对点无线电通信、微处理器、蜂窝基础设施和卫星通信。SEMI认为，中国同等质量的各向异性等离子干法刻蚀设备足以使美国ECCN 3B001.c类别的出口管制失效。
SEMI提交该提案之后， BIS于2014年9月8日正式启动评估。BIS收集的数据分析结果通过了评估，表明中国有和美国ECCN3B001.c质量一致的刻蚀设备，这样，基于这项编码的美国国家安全出口管制将失效。
关于SEMI
SEMI（国际半导体设备及材料协会）是一家服务于微电子和纳米电子行业制造供应链的非营利性国际行业协会，包括半导体、光伏、LED、平板显示、MEMS等。SEMI 在全世界微电子及显示器主要生产地区都设有代表处，并定期举办项目和活动。
SEMI的主要宗旨是协助会员公司开拓世界市场机会，加强与客户、工业界、政府和企业领导人之间的联系，进而推动全球产业的发展。通过其提供的产品和服务SEMI帮助推动了微电子及显示行业的发展，增加会员公司间的商业往来，进而起到鼓励行业公平竞争加大市场开放程度的目的。
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上海2014年11月28日电 /美通社/ -- 中微半导体设备有限公司（简称“中微”）今日宣布在本月初举办的第十六届中国国际工业博览会上荣获金奖。这一奖项彰显了中微十年来在先进技术自主创新方面取得的可喜成绩。中微此次获奖产品是其处于行业领先地位的去耦合等离子体介质刻蚀机Primo AD-RIE，该设备能够满足28到15纳米及更先进工艺芯片制造的严苛要求。此次工博会有四家单位获颁金奖，中微是其中之一。

这是中微连续第二年蝉联工博会奖项。去年中微公司的MOCVD设备Prismo D-BLUE荣获工博会银奖第一名，该设备已被主流LED生产线采用并进行大批量LED外延生产。工博会奖项评审极其严格，同一家公司连续两年获奖实属少数。

“中微的两种不同产品分别于去年获银奖、今年获金奖，确实显示了中微从2004年成立以来取得的强劲的技术和业务发展势头。”中微公司董事长兼首席执行官尹志尧博士说道，“这项荣誉归功于我们的技术团队，他们每天都在为推动技术的进步，为给客户提供最好的技术和设备，并为节省生产成本而努力奋斗。”

2014年对中微来说是标志性的一年。今年7月，中微正式发布了双反应台介质刻蚀除胶一体机Primo iDEA-- 这是业界首次将介质等离子体刻蚀的双台反应器和等离子除胶的双台反应器集成在同一个系统上，它大大提高了生产效率，同时降低了这两项工艺过程20%的生产成本。

此外，中微单台反应器等离子体刻蚀设备Primo SSC AD-RIE已被客户验证用于16纳米闪存芯片加工中最关键的步骤。该设备已用于芯片批量生产，表现卓越，具备极长的持续正常运行时间和稳定的良率，目前每月可加工14多万片晶圆片。

中微先进的技术能力还吸引了许多新的海外客户。一些业内领先的企业已将中微的刻蚀设备选为其先进芯片加工的定型设备（PTOR）。

除了在等离子体介质刻蚀领域的强劲势头，中微在硅通孔刻蚀和MEMS刻蚀领域也取得了较大的发展。中微12英寸硅通孔刻蚀设备取得了大陆和台湾地区领先客户的重复订单。中微的硅通孔刻蚀设备为诸如CMOS图像传感器（CIS）和其他传感器等复杂的封装提供先进的技术，帮助客户提高产能并节省生产成本。

MOCVD市场受本土LED芯片制造商的驱动逐渐回暖，国内越来越多的LED芯片制造商开始接受中微的MOCVD设备。中微欲借力于这股增长的趋势，加速MOCVD设备进入客户生产线的步伐。MOCVD设备在以最节省成本的方式生产高亮度LED方面起着关键作用。LED照明预计终将取代低能效的白炽灯。

尹志尧博士说道：“我们相信，中微先进的技术是公司过去十年取得成功的核心因素，我们也认为，中微的经营方式发挥了同样重要的作用。中微从一开始就很注重把最好的商业模式和技术专长同高质量的产品和客户服务结合起来。如果客户选择与中微合作，他们完全可以相信我们是能够在技术创新、快速提高产能、专业知识、质量保证、可靠性和服务这些他们最看重的方面做得最好的合作伙伴。正是这种信誉使我们过去两年销售额连续增长了40%，我们希望保持这种健康的增长速度。”

关于中微半导体设备有限公司

中微公司致力于为全球半导体和LED芯片制造商提供领先的工艺技术解决方案。公司等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已广泛应用于国际一线集成电路客户45纳米到1X纳米及更先进的芯片加工制造等。目前，中微已有330多个刻蚀反应台在亚洲地区26条国际领先的生产线上运行。中微开发的用于大批量LED外延片生产和功率器件生产的MOCVD设备也已进入生产线运行。更多信息请访问公司网站：www.amec-inc.com.

Primo AD-RIE, Primo TSV 和Prismo D-BLUE是中微的注册商标。

消息来源: 中微半导体设备有限公司
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