超级军网中国硅产业集团收购芬兰晶圆企业Okmetic
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 07:15:35
http://www.ccin.com.cn/ccin/news/2016/04/26/334016.shtml
据芬兰股票交易所4月21日发布的公告，中国硅产业集团(NSIG)与芬兰生产硅晶圆企业Okmetic达成收购协议，中国硅产业集团芬兰子公司将收购Okmetic所有股票和期权。
中国硅产业集团当日发布公告说，芬兰金融监管机构当日已经批准了该股权收购要约文件。公开股权收购从4月22日起，至5月27日结束。http://www.ccin.com.cn/ccin/news/2016/04/26/334016.shtml
据芬兰股票交易所4月21日发布的公告，中国硅产业集团(NSIG)与芬兰生产硅晶圆企业Okmetic达成收购协议，中国硅产业集团芬兰子公司将收购Okmetic所有股票和期权。
中国硅产业集团当日发布公告说，芬兰金融监管机构当日已经批准了该股权收购要约文件。公开股权收购从4月22日起，至5月27日结束。
据芬兰股票交易所4月21日发布的公告，中国硅产业集团(NSIG)与芬兰生产硅晶圆企业Okmetic达成收购协议，中国硅产业集团芬兰子公司将收购Okmetic所有股票和期权。
中国硅产业集团当日发布公告说，芬兰金融监管机构当日已经批准了该股权收购要约文件。公开股权收购从4月22日起，至5月27日结束。http://www.ccin.com.cn/ccin/news/2016/04/26/334016.shtml
据芬兰股票交易所4月21日发布的公告，中国硅产业集团(NSIG)与芬兰生产硅晶圆企业Okmetic达成收购协议，中国硅产业集团芬兰子公司将收购Okmetic所有股票和期权。
中国硅产业集团当日发布公告说，芬兰金融监管机构当日已经批准了该股权收购要约文件。公开股权收购从4月22日起，至5月27日结束。
没有技术收购没什么用处吧
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高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体（HTCVD）
中国化工仪器网2013年08月08日 08:48点击：1578
摘要：研究了 SiC 晶体高温化学气相沉积生长机理，从 SiC 晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨，并分析了沉积温度、气体压力、本底真空及各反应气体分压（配比）对 SiC 单晶生长及其缺陷形成的影响，基于以上分析，得出高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体最佳的工艺条件。
关键词：碳化硅晶体;HTCVD 法;晶体生长
碳化硅（SiC）是继第一代半导体材料硅和第二带半导体材料砷化镓（GaAs） 后发展起来的第三代半导体材料。由于碳化硅（SiC）具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点，SiC 器件在航空、航天探测、核能开发、石油、地热钻井勘探、汽车发动机领域有着重要的应用。半导体材料是电子器件提高性能、实现小型化、多功能和高可靠性的物质基础和技术关键，利用其特有的禁带宽度，还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。因此可以预见不久的将来，随着碳化硅（SiC）材料和器件工艺的不断完善，部分 Si 领域被碳化硅（SiC）来替代是指日可待的。
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碳化硅晶体生长方法及原理
目前生长 SiC 晶体的方法包括物理气相传输法（PVT）和化学气相传输法（HTCVD）。而目前国内晶体制备的方法主要是物理气相传输法。高温化学气相沉积技术是一种新型的制备 SiC 晶体的方法，国外已经有多年的研究。国外对外公布使用高温化学气相沉积技术（HTCVD）生长碳化硅晶体的有瑞典的 Okmetic 公司，该公司在 20 世纪 90 年代开始研究此技术，并且在欧洲已经申请了该技术的专利。该方法可以生长高纯度、大尺寸的 SiC 单晶，并可有效地减少 SiC 单晶体中的各种缺陷，要获得高质量的晶体必须精确控制多种晶体生长参数，如：沉积温度、沉积室压力、本底真空、各反应气体分压（配比）等。
高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体（HTCVD）
中国化工仪器网2013年08月08日 08:48点击：1578
摘要：研究了 SiC 晶体高温化学气相沉积生长机理，从 SiC 晶体高温化学气相沉积生长过程的化学原理、反应条件、反应过程、一般工艺等方面进行探讨，并分析了沉积温度、气体压力、本底真空及各反应气体分压（配比）对 SiC 单晶生长及其缺陷形成的影响，基于以上分析，得出高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体最佳的工艺条件。
关键词：碳化硅晶体;HTCVD 法;晶体生长
碳化硅（SiC）是继第一代半导体材料硅和第二带半导体材料砷化镓（GaAs） 后发展起来的第三代半导体材料。由于碳化硅（SiC）具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点，SiC 器件在航空、航天探测、核能开发、石油、地热钻井勘探、汽车发动机领域有着重要的应用。半导体材料是电子器件提高性能、实现小型化、多功能和高可靠性的物质基础和技术关键，利用其特有的禁带宽度，还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。因此可以预见不久的将来，随着碳化硅（SiC）材料和器件工艺的不断完善，部分 Si 领域被碳化硅（SiC）来替代是指日可待的。
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碳化硅晶体生长方法及原理
目前生长 SiC 晶体的方法包括物理气相传输法（PVT）和化学气相传输法（HTCVD）。而目前国内晶体制备的方法主要是物理气相传输法。高温化学气相沉积技术是一种新型的制备 SiC 晶体的方法，国外已经有多年的研究。国外对外公布使用高温化学气相沉积技术（HTCVD）生长碳化硅晶体的有瑞典的 Okmetic 公司，该公司在 20 世纪 90 年代开始研究此技术，并且在欧洲已经申请了该技术的专利。该方法可以生长高纯度、大尺寸的 SiC 单晶，并可有效地减少 SiC 单晶体中的各种缺陷，要获得高质量的晶体必须精确控制多种晶体生长参数，如：沉积温度、沉积室压力、本底真空、各反应气体分压（配比）等。