超级军网军民融合技术探讨
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/29 16:00:35
苏州能讯高能半导体有限公司是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司创立于2007年，目前注册资本为2.79亿元，公司总部位于江苏省苏州市昆山国家高新区晨丰路18号，并在西安、南京设立了研发中心。公司在苏州市昆山高新区建设了中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂，该工厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。
能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化，其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点，在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点，在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛，能够有效降低电能转换系统损耗50%以上，同时成倍地减小设备体积，减少铜等贵重原材料消耗，其耐高温的特性也为节约重量、减少体积，特别适用于环境恶劣的场合。
能讯公司是国际上为数不多的能够实现材料、工艺、器件整合的氮化镓电子器件公司。在中国一直是产业的先行者，曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。能讯公司保持了产品与技术与国际先进水平的同步。同时利用本土优势，能讯公司能及时响应国内厂商的需求，迅速开发出有针对性的产品。并且帮助客户加强对器件更深的理解，有助于客户深挖器件潜力，开发出更有竞争力的设备产品。
能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，已拥有41项中国发明专利和14项国际发明专利，其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验，在国际氮化镓技术领域享有盛誉，目前仍保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工170余人，50%以上拥有本科学历，其中包括海外归国博士7名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大专项、科技部863重大项目、中小企业创新基金以及江苏省重大科技成果转化项目等等省市级重大科技产业项目。公司荣获了由中国半导体行业协会等三家行业协会与主流媒体评选的“第八届（2013年度）中国半导体创新产品与技术”大奖。
在保持技术领先的同时，能讯半导体还将利用本土优势，建立及时响应、深度协助、提升竞争力的客户服务标准，竭诚服务客户。
能讯以成为国际领先的高能半导体供应商为使命。
http://www.dynax-semi.com/Aboutcon.asp?ID=25
苏州能讯高能半导体有限公司是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司创立于2007年，目前注册资本为2.79亿元，公司总部位于江苏省苏州市昆山国家高新区晨丰路18号，并在西安、南京设立了研发中心。公司在苏州市昆山高新区建设了中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂，该工厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。
能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化，其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点，在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点，在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛，能够有效降低电能转换系统损耗50%以上，同时成倍地减小设备体积，减少铜等贵重原材料消耗，其耐高温的特性也为节约重量、减少体积，特别适用于环境恶劣的场合。
能讯公司是国际上为数不多的能够实现材料、工艺、器件整合的氮化镓电子器件公司。在中国一直是产业的先行者，曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。能讯公司保持了产品与技术与国际先进水平的同步。同时利用本土优势，能讯公司能及时响应国内厂商的需求，迅速开发出有针对性的产品。并且帮助客户加强对器件更深的理解，有助于客户深挖器件潜力，开发出更有竞争力的设备产品。
能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，已拥有41项中国发明专利和14项国际发明专利，其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验，在国际氮化镓技术领域享有盛誉，目前仍保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工170余人，50%以上拥有本科学历，其中包括海外归国博士7名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大专项、科技部863重大项目、中小企业创新基金以及江苏省重大科技成果转化项目等等省市级重大科技产业项目。公司荣获了由中国半导体行业协会等三家行业协会与主流媒体评选的“第八届（2013年度）中国半导体创新产品与技术”大奖。
在保持技术领先的同时，能讯半导体还将利用本土优势，建立及时响应、深度协助、提升竞争力的客户服务标准，竭诚服务客户。
能讯以成为国际领先的高能半导体供应商为使命。
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能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化，其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点，在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点，在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛，能够有效降低电能转换系统损耗50%以上，同时成倍地减小设备体积，减少铜等贵重原材料消耗，其耐高温的特性也为节约重量、减少体积，特别适用于环境恶劣的场合。
能讯公司是国际上为数不多的能够实现材料、工艺、器件整合的氮化镓电子器件公司。在中国一直是产业的先行者，曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。能讯公司保持了产品与技术与国际先进水平的同步。同时利用本土优势，能讯公司能及时响应国内厂商的需求，迅速开发出有针对性的产品。并且帮助客户加强对器件更深的理解，有助于客户深挖器件潜力，开发出更有竞争力的设备产品。
能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，已拥有41项中国发明专利和14项国际发明专利，其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验，在国际氮化镓技术领域享有盛誉，目前仍保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工170余人，50%以上拥有本科学历，其中包括海外归国博士7名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大专项、科技部863重大项目、中小企业创新基金以及江苏省重大科技成果转化项目等等省市级重大科技产业项目。公司荣获了由中国半导体行业协会等三家行业协会与主流媒体评选的“第八届（2013年度）中国半导体创新产品与技术”大奖。
在保持技术领先的同时，能讯半导体还将利用本土优势，建立及时响应、深度协助、提升竞争力的客户服务标准，竭诚服务客户。
能讯以成为国际领先的高能半导体供应商为使命。
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苏州能讯高能半导体有限公司是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司创立于2007年，目前注册资本为2.79亿元，公司总部位于江苏省苏州市昆山国家高新区晨丰路18号，并在西安、南京设立了研发中心。公司在苏州市昆山高新区建设了中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂，该工厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。
能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化，其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点，在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点，在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛，能够有效降低电能转换系统损耗50%以上，同时成倍地减小设备体积，减少铜等贵重原材料消耗，其耐高温的特性也为节约重量、减少体积，特别适用于环境恶劣的场合。
能讯公司是国际上为数不多的能够实现材料、工艺、器件整合的氮化镓电子器件公司。在中国一直是产业的先行者，曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品，并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发，2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。能讯公司保持了产品与技术与国际先进水平的同步。同时利用本土优势，能讯公司能及时响应国内厂商的需求，迅速开发出有针对性的产品。并且帮助客户加强对器件更深的理解，有助于客户深挖器件潜力，开发出更有竞争力的设备产品。
能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术，已拥有41项中国发明专利和14项国际发明专利，其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验，在国际氮化镓技术领域享有盛誉，目前仍保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工170余人，50%以上拥有本科学历，其中包括海外归国博士7名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大专项、科技部863重大项目、中小企业创新基金以及江苏省重大科技成果转化项目等等省市级重大科技产业项目。公司荣获了由中国半导体行业协会等三家行业协会与主流媒体评选的“第八届（2013年度）中国半导体创新产品与技术”大奖。
在保持技术领先的同时，能讯半导体还将利用本土优势，建立及时响应、深度协助、提升竞争力的客户服务标准，竭诚服务客户。
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http://www.ime.ac.cn/xwzt/kyzt/201307/t20130703_3891443.html
国家自然科学基金重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”通过验收
2013-07-03 | 编辑：四室 侯继强 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
日前，由中科院微电子所牵头，中科院半导体所、中科院物理所、中国电科13所、西安电子科技大学、北京大学联合承担，集中了国内GaN研究领域的优势力量参与的重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”通过了国家自然科学基金委员会信息科学部组织专家组的结题验收。
验收会上，项目首席科学家叶甜春研究员做了项目总体汇报，刘新宇研究员、蔡树军研究员、王晓亮研究员分别做了三个课题汇报。报告指出，项目围绕GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科学和关键技术问题，在GaN基毫米波器件制备和材料生长中的关键科学问题、GaN基功率器件可靠性关键科学问题、GaN基毫米波功率器件与材料的新结构三个方面进行了深入和系统研究。微电子所承担毫米波课题方面的研究任务，与合作单位紧密配合，突破了毫米波GaN功率器件关键工艺技术，建立了完整的GaN毫米波器件和电路工艺流程，实现了fT达到135GHz、fmax达到215GHz器件，Ka波段输出功率密度6.65W/mm，达到了项目的预期目标。
基金委专家组成员一致认为，该项目全面完成了研究计划内容，项目研究组织有力，实施措施得当，在人才培养、学术论文、专利申请方面成果丰硕，总体评价为优。
该项目经过四年的不懈努力，取得了一大批创新性的工作，在GaN 毫米波材料、GaN毫米波器件和电路、新型GaN功率器件、可靠性机理等方面取得了重要进展，在GaN毫米波材料、器件物理、器件与电路、可靠性等方面凝练和集成一批重大成果，全面提升我国GaN毫米波器件和电路的国际影响力，有力地支撑了我国重大科技项目的实施。
http://www.ime.ac.cn/xwzt/kyzt/201307/t20130703_3891443.html
国家自然科学基金重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”通过验收
2013-07-03 | 编辑：四室 侯继强 | 【大 中 小】【打印】【关闭】
日前，由中科院微电子所牵头，中科院半导体所、中科院物理所、中国电科13所、西安电子科技大学、北京大学联合承担，集中了国内GaN研究领域的优势力量参与的重大项目“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”通过了国家自然科学基金委员会信息科学部组织专家组的结题验收。
验收会上，项目首席科学家叶甜春研究员做了项目总体汇报，刘新宇研究员、蔡树军研究员、王晓亮研究员分别做了三个课题汇报。报告指出，项目围绕GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科学和关键技术问题，在GaN基毫米波器件制备和材料生长中的关键科学问题、GaN基功率器件可靠性关键科学问题、GaN基毫米波功率器件与材料的新结构三个方面进行了深入和系统研究。微电子所承担毫米波课题方面的研究任务，与合作单位紧密配合，突破了毫米波GaN功率器件关键工艺技术，建立了完整的GaN毫米波器件和电路工艺流程，实现了fT达到135GHz、fmax达到215GHz器件，Ka波段输出功率密度6.65W/mm，达到了项目的预期目标。
基金委专家组成员一致认为，该项目全面完成了研究计划内容，项目研究组织有力，实施措施得当，在人才培养、学术论文、专利申请方面成果丰硕，总体评价为优。
该项目经过四年的不懈努力，取得了一大批创新性的工作，在GaN 毫米波材料、GaN毫米波器件和电路、新型GaN功率器件、可靠性机理等方面取得了重要进展，在GaN毫米波材料、器件物理、器件与电路、可靠性等方面凝练和集成一批重大成果，全面提升我国GaN毫米波器件和电路的国际影响力，有力地支撑了我国重大科技项目的实施。
继续帮LZ添砖加瓦：
http://www.nanowin.com.cn/about.asp
苏州纳维科技有限公司简介
苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。
http://www.nanowin.com.cn/about.asp
苏州纳维科技有限公司简介
苏州纳维科技有限公司创立于2007年，以中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所为技术依托，立足于设备的自主研发，专注于从事高质量、大尺寸氮化物材料的生长与产品开发，为产业界和研发机构提供各类氮化镓材料，目前公司拥有核心技术专利三十余项，是中国首家氮化镓衬底晶片供应商。
目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户，主要提供如下产品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型；三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光；四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面；五、高结晶度氮化镓粉体材料；六、氮化铝衬底。
附上一篇国际半导体杂志的报道：
http://www.compoundsemiconductor ... esh-from-china.html
GaN Substrates Fresh From China
A China-based manufacturer of GaN materials is ready to rival western players; Compound Semiconductor talks to Wang Jianfeng of Nanowin to find out more.
China-based Nanowin is ramping up manufacture of its two inch GaN substrates
In late October, China-based semiconductor business, Nanowin, revealed plans to mass produce high quality two inch GaN substrates with industry-low dislocation densities.
Targeting blue and green laser diode markets, the company claims to have demonstrated high performance devices and is now intent on becoming a world-leading nitride semiconductor material provider.
As Nanowin chief technology officer, Wang Jianfeng, points out, HVPE-grown GaN substrates, with a thickness of less than 1mm, typically have a dislocation density of around 1 X 105cm-2. However, the dislocation density of his company's substrates comes in at a much lower 1 X 104cm-2.
The key to the company's impressive results lies in clever nanostructure etching at the initial GaN film surface and carefully controlled growth conditions. Using electrodeless photoelectrochemical etching, Jianfeng and colleagues etch arrays of nanopyramids into GaN films, grown on sapphire substrates, to relieve compressive stress within the film.
"We do some interface engineering at the GaN surface, fabricating nanostructures and then optimising initial growth conditions to reduce the dislocation density," explains Jianfeng.
"From the high quality GaN nanostructure layer, we then grow a very high quality GaN nanolayer," he adds
The GaN substrate is grown via HVPE on a 'home-made' system, that according to Jianfeng incorporates an in-situ optical monitoring system. During GaN growth, Jianfeng and colleagues can closely monitor myriad characteristics including wafer curvature, refraction and reflections, adjusting parameters accordingly to ensure uniform growth.
Ramping manufacture
Clearly fabrication requires skilled intervention, but company claims to currently be churning out around 200 substrates a month and according to Jianfeng, can produce up to 700 substrates a month.
"Our yield is around 75%," adds Jianfeng. "And in three years time we will be manufacturing more than 1000 pieces a month with a dislocation density of only 1 X 104cm-2. These substrates will be for laser diode manufacturers"
Indeed, working with the Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics, Nanowin has already manufactured blue laser diodes with low threshold current density, low operation voltage and long lifetimes as well as green laser diode structures with, as Nanowin puts it 'excellent luminescence homogeneity'.
And the company also claims to have fabricated LEDs, based on its GaN wafers, with injection current densities larger than those reported by US-based Soraa and more than 30 times greater than typical GaN-on-sapphire LEDs.
Nanowin has yet to secure any firm contracts with laser diode manufacturers, although as Jianfeng is keen to point out: "We are keeping close contacts with Osram, Nichia, Sony, Panasonic, Soraa for example, as well as new start-up companies in China."
And without a doubt, the company's wafer costs have appeal. Today's two inch GaN wafer, with a dislocation density of between 1 X 106cm-2 and 1 X 107cm-2 would set you back some US$1500 while the cost of a wafer with a lower dislocation density of around 1 X 105cm-2 rises to around US$3000.
But as Jianfeng highlights, a Nanowin wafer will cost between US$1500 to US$1800, and as he adds: "I think the cost will rapidly reduce with volume production."
Contracts and costs aside, if the company is to makes waves in the worldwide GaN wafer marketplace and rival the likes of Hitachi Cable, Mitsubishi Electric, Sumitomo, Kyma and many, many, more, it will need a water-tight intellectual property portfolio. Jianfeng isn't fazed.
"We already have forty patents in China," he says. "And right now we have several patents pending in the US, Europe and Japan."
http://www.compoundsemiconductor ... esh-from-china.html
GaN Substrates Fresh From China
A China-based manufacturer of GaN materials is ready to rival western players; Compound Semiconductor talks to Wang Jianfeng of Nanowin to find out more.
China-based Nanowin is ramping up manufacture of its two inch GaN substrates
In late October, China-based semiconductor business, Nanowin, revealed plans to mass produce high quality two inch GaN substrates with industry-low dislocation densities.
Targeting blue and green laser diode markets, the company claims to have demonstrated high performance devices and is now intent on becoming a world-leading nitride semiconductor material provider.
As Nanowin chief technology officer, Wang Jianfeng, points out, HVPE-grown GaN substrates, with a thickness of less than 1mm, typically have a dislocation density of around 1 X 105cm-2. However, the dislocation density of his company's substrates comes in at a much lower 1 X 104cm-2.
The key to the company's impressive results lies in clever nanostructure etching at the initial GaN film surface and carefully controlled growth conditions. Using electrodeless photoelectrochemical etching, Jianfeng and colleagues etch arrays of nanopyramids into GaN films, grown on sapphire substrates, to relieve compressive stress within the film.
"We do some interface engineering at the GaN surface, fabricating nanostructures and then optimising initial growth conditions to reduce the dislocation density," explains Jianfeng.
"From the high quality GaN nanostructure layer, we then grow a very high quality GaN nanolayer," he adds
The GaN substrate is grown via HVPE on a 'home-made' system, that according to Jianfeng incorporates an in-situ optical monitoring system. During GaN growth, Jianfeng and colleagues can closely monitor myriad characteristics including wafer curvature, refraction and reflections, adjusting parameters accordingly to ensure uniform growth.
Ramping manufacture
Clearly fabrication requires skilled intervention, but company claims to currently be churning out around 200 substrates a month and according to Jianfeng, can produce up to 700 substrates a month.
"Our yield is around 75%," adds Jianfeng. "And in three years time we will be manufacturing more than 1000 pieces a month with a dislocation density of only 1 X 104cm-2. These substrates will be for laser diode manufacturers"
Indeed, working with the Suzhou Institute of Nanotech and Nanobionics, Nanowin has already manufactured blue laser diodes with low threshold current density, low operation voltage and long lifetimes as well as green laser diode structures with, as Nanowin puts it 'excellent luminescence homogeneity'.
And the company also claims to have fabricated LEDs, based on its GaN wafers, with injection current densities larger than those reported by US-based Soraa and more than 30 times greater than typical GaN-on-sapphire LEDs.
Nanowin has yet to secure any firm contracts with laser diode manufacturers, although as Jianfeng is keen to point out: "We are keeping close contacts with Osram, Nichia, Sony, Panasonic, Soraa for example, as well as new start-up companies in China."
And without a doubt, the company's wafer costs have appeal. Today's two inch GaN wafer, with a dislocation density of between 1 X 106cm-2 and 1 X 107cm-2 would set you back some US$1500 while the cost of a wafer with a lower dislocation density of around 1 X 105cm-2 rises to around US$3000.
But as Jianfeng highlights, a Nanowin wafer will cost between US$1500 to US$1800, and as he adds: "I think the cost will rapidly reduce with volume production."
Contracts and costs aside, if the company is to makes waves in the worldwide GaN wafer marketplace and rival the likes of Hitachi Cable, Mitsubishi Electric, Sumitomo, Kyma and many, many, more, it will need a water-tight intellectual property portfolio. Jianfeng isn't fazed.
"We already have forty patents in China," he says. "And right now we have several patents pending in the US, Europe and Japan."
还有一家：
晶电转攻氮化镓功率元件及特殊照明市场【新闻自己去下面链接看不转帖了】
http://www.ledinside.cn/interview/20151102-36853.html
公司名称 中科晶电信息材料（北京）有限公司
成立日期 2004年12月24日
注册资本 1,500万美元
董 事 长 张 杰
总 经 理 卜俊鹏
占地面积 34000平方米
公司总部 北京市北京经济技术开发区永昌南路2号
经营范围 研发、生产砷化镓单晶体；销售自产产品；提供技术咨询、技术服务
晶电转攻氮化镓功率元件及特殊照明市场【新闻自己去下面链接看不转帖了】
http://www.ledinside.cn/interview/20151102-36853.html
公司名称 中科晶电信息材料（北京）有限公司
成立日期 2004年12月24日
注册资本 1,500万美元
董 事 长 张 杰
总 经 理 卜俊鹏
占地面积 34000平方米
公司总部 北京市北京经济技术开发区永昌南路2号
经营范围 研发、生产砷化镓单晶体；销售自产产品；提供技术咨询、技术服务
新時代這麽快來臨?
以上，总之，氮化镓现在对于中国来说，其实不只是一个技术名词，而是已经备受各方关注的一个潜力市场。在今天的中国，资金、人才、政策、市场、产业等等生产要素相比国外对手只多不少，而且注意力也已经聚焦到“氮化镓”了——谁让公知母知天天拿着这个他们一知半解的名词在数落兔纸呢。随着时间推移，围绕氮化镓全产业链的各种中国新闻与中国故事，只会越来越多。
白菜化…………
毫米波段TR早就是氮化镓的天下了
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6000片每年，估计刚够造一艘055的雷达……所以据说055主盾还是砷化镓
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6000片每年，估计刚够造一艘055的雷达……所以据说055主盾还是砷化镓
产品目标企图很明显，冲着上万个4G基站去的。
苏州能讯高能半导体有限公司已经发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。本次能讯半导体推出的这款产品为DX1H2527150F内匹配微波晶体管，其工作频率范围为2.5—2.7GHz，供电电压为48V，饱和功率为200瓦。在WCDMA(带DPD)测试条件下，其输出功率达40W，ACLR小于-50dBc，效率高达33%。 该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的，拥有杰出的线性度、效率和功率密度，采用这款产品实现的Doherty放大器表现出了非常优异的性能指标。同时，能讯半导体承诺为客户提供及时响应、深度协助、提升竞争力的服务标准，为客户提供完整成熟的解决方案和充分的应用技术支持。
苏州能讯高能半导体有限公司已经发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。本次能讯半导体推出的这款产品为DX1H2527150F内匹配微波晶体管，其工作频率范围为2.5—2.7GHz，供电电压为48V，饱和功率为200瓦。在WCDMA(带DPD)测试条件下，其输出功率达40W，ACLR小于-50dBc，效率高达33%。 该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的，拥有杰出的线性度、效率和功率密度，采用这款产品实现的Doherty放大器表现出了非常优异的性能指标。同时，能讯半导体承诺为客户提供及时响应、深度协助、提升竞争力的服务标准，为客户提供完整成熟的解决方案和充分的应用技术支持。
毫米波段TR早就是氮化镓的天下了
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6 ...
那是几年前的产能了，只要有需求有利润，扩产还不是分分钟的事了。
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6 ...
那是几年前的产能了，只要有需求有利润，扩产还不是分分钟的事了。
未来俄国的TR组件是不是也要向我们进口？
翘首衣带. 不过进步还是很快的吗. 继续努力.
毫米波段TR早就是氮化镓的天下了
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6 ...
根据下面报导，量产是3~4吋，取3吋，7.62里米，一片3吋晶片的面积为45.6平方里米，而下面报导说一个氮化镓器件面积才2平方毫米，那么一片3吋的氮化镓晶片可以切成200多个器件，6000个3吋晶片取整数约可切成1200000万个器件，假设055一个阵面需5000个，一艘4个阵面则需20000个。能讯一年6000片3吋的晶片产量，约可供年产60艘055使用。
能讯半导体：氮化镓微波功率器件制造与国际顶尖企业“拼高下”
2014-09-06 来源：昆山日报作者：张卉春 我要评论(0) 字号：大 中 小
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能讯高能半导体成为中国第一家第三代半导体氮化镓微波功率器件制造企业
图为研究人员在无尘车间工作。 昆山日报记者 徐 冬 摄
一个面积为2平方毫米、犹如米粒大小的氮化镓电子器件的能量到底有多大？
苏州能讯高能半导体有限公司给出的答案是：用于电能转换领域，能够有效降低系统损耗50%以上；用于射频领域，能够使得同样面积的微波基站传输覆盖面积提升一倍。
作为一家高科技企业，位于昆山高新区的苏州能讯高能半导体有限公司是国内第一家第三代半导体氮化镓微波功率器件制造企业，其技术水平和生产规模也走在世界同行前面。
7月24日，在能讯公司副总裁、首席财务官任勉陪同下，记者穿上无尘服来到公司的百级无尘生产车间。“一期厂房投资3.8亿元，建有13000平方米的厂房和5000平方米的研发中心，年产3至4寸氮化镓晶圆约6000片，年产值为20亿元。”任勉边走边向记者介绍。
作为第三代半导体的主要代表，氮化镓半导体器件产品拥有极高的电能转换效率，并且在微波信号传输方面效率更高，被业界公认为是未来统治微波放大和电能转换领域的产品。同时，无论是氮化镓晶圆生产，还是氮化镓芯片器件，都需要多学科的整合，包括微电子、材料学、化学、微波等。由于技术门槛极高，在全球能够规模化生产氮化镓产品的公司更是屈指可数。目前，只有美国、日本的几家顶尖公司具备这样的能力。
2007年，在留美博士、国家第一批“千人计划”人才张乃千的带领下，能讯半导体正式成立。张乃千博士是世界上最早研究射频功率氮化镓电子器件的人员之一，曾参与研制世界第一个氮化镓电力电子器件、完成氮化镓物理模型建立等。2011年，张乃千博士把氮化镓相关器件产业化的首选地放在昆山，并建成国内第一条氮化镓电子器件生产线，努力开创中国第三代半导体氮化镓微波功率器件研发生产的新局面，与国际企业同台竞技。目前，能讯公司有员工130余人，50%以上拥有本科学历，其中海外归国博士7名、硕士30余名。
在一流团队的引领下，公司先后承担了国家“核高基”重大科技专项、科技部中小企业创新基金以及省、市级重大科技产业项目等，自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺等，拥有20项中国发明专利和2项国际发明专利，其技术水平和产品指标均达到国际先进水平。
http://www.mwrf.net/news/suppliers/2014/15547.html
现在难的是大尺寸单晶氮化镓贵，在X～S波段使用成本太高
LZ发的公司3寸6 ...
根据下面报导，量产是3~4吋，取3吋，7.62里米，一片3吋晶片的面积为45.6平方里米，而下面报导说一个氮化镓器件面积才2平方毫米，那么一片3吋的氮化镓晶片可以切成200多个器件，6000个3吋晶片取整数约可切成1200000万个器件，假设055一个阵面需5000个，一艘4个阵面则需20000个。能讯一年6000片3吋的晶片产量，约可供年产60艘055使用。
能讯半导体：氮化镓微波功率器件制造与国际顶尖企业“拼高下”
2014-09-06 来源：昆山日报作者：张卉春 我要评论(0) 字号：大 中 小
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能讯高能半导体成为中国第一家第三代半导体氮化镓微波功率器件制造企业
图为研究人员在无尘车间工作。 昆山日报记者 徐 冬 摄
一个面积为2平方毫米、犹如米粒大小的氮化镓电子器件的能量到底有多大？
苏州能讯高能半导体有限公司给出的答案是：用于电能转换领域，能够有效降低系统损耗50%以上；用于射频领域，能够使得同样面积的微波基站传输覆盖面积提升一倍。
作为一家高科技企业，位于昆山高新区的苏州能讯高能半导体有限公司是国内第一家第三代半导体氮化镓微波功率器件制造企业，其技术水平和生产规模也走在世界同行前面。
7月24日，在能讯公司副总裁、首席财务官任勉陪同下，记者穿上无尘服来到公司的百级无尘生产车间。“一期厂房投资3.8亿元，建有13000平方米的厂房和5000平方米的研发中心，年产3至4寸氮化镓晶圆约6000片，年产值为20亿元。”任勉边走边向记者介绍。
作为第三代半导体的主要代表，氮化镓半导体器件产品拥有极高的电能转换效率，并且在微波信号传输方面效率更高，被业界公认为是未来统治微波放大和电能转换领域的产品。同时，无论是氮化镓晶圆生产，还是氮化镓芯片器件，都需要多学科的整合，包括微电子、材料学、化学、微波等。由于技术门槛极高，在全球能够规模化生产氮化镓产品的公司更是屈指可数。目前，只有美国、日本的几家顶尖公司具备这样的能力。
2007年，在留美博士、国家第一批“千人计划”人才张乃千的带领下，能讯半导体正式成立。张乃千博士是世界上最早研究射频功率氮化镓电子器件的人员之一，曾参与研制世界第一个氮化镓电力电子器件、完成氮化镓物理模型建立等。2011年，张乃千博士把氮化镓相关器件产业化的首选地放在昆山，并建成国内第一条氮化镓电子器件生产线，努力开创中国第三代半导体氮化镓微波功率器件研发生产的新局面，与国际企业同台竞技。目前，能讯公司有员工130余人，50%以上拥有本科学历，其中海外归国博士7名、硕士30余名。
在一流团队的引领下，公司先后承担了国家“核高基”重大科技专项、科技部中小企业创新基金以及省、市级重大科技产业项目等，自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺等，拥有20项中国发明专利和2项国际发明专利，其技术水平和产品指标均达到国际先进水平。
http://www.mwrf.net/news/suppliers/2014/15547.html
wujunbaby 发表于 2016-4-3 18:57
未来俄国的TR组件是不是也要向我们进口？
可以考虑禁售
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可以考虑禁售
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友邦可以供应，敌国则要禁售了
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这些可以有 ！！！！！！！
只要有本事，民营企业也可以进入高端市场；
问题是内地有真正自主高科技进取心的企业家太少，产业氛围、人才环境也不如美帝；
国家或者有能力的行业组织，必须适当扶持。
只要有本事，民营企业也可以进入高端市场；
问题是内地有真正自主高科技进取心的企业家太少，产业氛围、人才环境也不如美帝；
国家或者有能力的行业组织，必须适当扶持。
根据下面报导，量产是3~4吋，取3吋，7.62里米，一片3吋晶片的面积为45.6平方里米，而下面报导说一个氮 ...
你把不同功率频率的功率元件尺寸搞清楚……不要看这种扯淡东西，所有功率元件一个尺寸……
你把不同功率频率的功率元件尺寸搞清楚……不要看这种扯淡东西，所有功率元件一个尺寸……
根据下面报导，量产是3~4吋，取3吋，7.62里米，一片3吋晶片的面积为45.6平方里米，而下面报导说一个氮 ...
你把不同功率频率的功率元件尺寸搞清楚……不要看这种扯淡东西，所有功率元件一个尺寸……
你把不同功率频率的功率元件尺寸搞清楚……不要看这种扯淡东西，所有功率元件一个尺寸……
你把不同功率频率的功率元件尺寸搞清楚……不要看这种扯淡东西，所有功率元件一个尺寸……
所以你之前说一年6000片3吋晶片的产能，只够造一艘055也就是个张嘴就来的屁话，因为你也不知道055上面功率器件的尺寸。
所以你之前说一年6000片3吋晶片的产能，只够造一艘055也就是个张嘴就来的屁话，因为你也不知道055上面功率器件的尺寸。
所以你之前说一年6000片3吋晶片的产能，只够造一艘055也就是个张嘴就来的屁话，因为你也不知道055上面功 ...
不好意思，我知道，视覆盖频率，X波段1～2cm边长，S波段3～5cm，L波段要8～12cm，所以现在没有L波段氮化镓TR，S波段都很少
不好意思，我知道，视覆盖频率，X波段1～2cm边长，S波段3～5cm，L波段要8～12cm，所以现在没有L波段氮化镓TR，S波段都很少
不好意思，我知道，视覆盖频率，X波段1～2cm边长，S波段3～5cm，L波段要8～12cm，所以现在没有L波段氮化 ...
X波段TR，整个基底都是半导体的
S波段不用整个基板都是半导体，但是功率元件也占整个TR的大半
X波段TR，整个基底都是半导体的
S波段不用整个基板都是半导体，但是功率元件也占整个TR的大半
走召幺及 发表于 2016-4-3 21:58
X波段TR，整个基底都是半导体的
S波段不用整个基板都是半导体，但是功率元件也占整个TR的大半
前面说的是功率器件的尺寸，你拿一整个T/R组件来类比干嘛，不伦不类。而且拿出来还是没有明确的功率器件的尺寸。
走召幺及 发表于 2016-4-3 21:58
X波段TR，整个基底都是半导体的
S波段不用整个基板都是半导体，但是功率元件也占整个TR的大半
前面说的是功率器件的尺寸，你拿一整个T/R组件来类比干嘛，不伦不类。而且拿出来还是没有明确的功率器件的尺寸。
前面说的是功率器件的尺寸，你拿一整个T/R组件来类比干嘛，不伦不类。而且拿出来还是没有明确的功率器 ...
呵呵，错了撤其他了，TR不是功率元件？
呵呵，错了撤其他了，TR不是功率元件？
走召幺及 发表于 2016-4-3 22:14
呵呵，错了撤其他了，TR不是功率元件？
功率器件只是T/R组件的组成之一。
呵呵，错了撤其他了，TR不是功率元件？
功率器件只是T/R组件的组成之一。
未来俄国的TR组件是不是也要向我们进口？
已经在向俄罗斯出口了
已经在向俄罗斯出口了
已经在向俄罗斯出口了
Really？有确切消息吗
Really？有确切消息吗
只要有本事，民营企业也可以进入高端市场；
问题是内地有真正自主高科技进取心的企业家太少，产业氛围、 ...
有本事的民营企业好多是LZ发的这种留学归国人员办的。当然，钱很多是国内天使投资、风投和国家资金的投入。
问题是内地有真正自主高科技进取心的企业家太少，产业氛围、 ...
有本事的民营企业好多是LZ发的这种留学归国人员办的。当然，钱很多是国内天使投资、风投和国家资金的投入。
这公司上市了吗？
军民融合道路宽
不得不说中国在这几个前沿领域还是跟进得比较到位的。
没出来别喊。学三锅什么不好。不要学将，和将要这两个表达式。
你有了，国际同类产品价格就狂降了
好东西，不仅做雷达频率高，而且做电源功率密度大、耐辐射、再也不担心卫星电源芯片烧毁了。
国内做这个的竟然有好几家，也挺NB的