02重大专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项 ...

22纳米及以下的芯片刻蚀加工。基于前一代产品Primo D-RIE刻蚀设备已被业界认可的性能和良好的运行记录，Primo AD-RIE做了进一步的改进：采用了具有自主知识产权的可切换低频的射频设计，优化了上电极气流分布及下电极温度调控的设计。

Primo AD-RIE已经成功通过了3000片晶片马拉松测试。除已证实其具备更优越的重复性及稳定性以外，该产品还可将晶片上关键尺寸均匀度控制在2纳米内。

系统特点及技术优势
2-13.5兆赫兹可切换射频发生器在多膜层结构的刻蚀能改善工艺水平

独特的射频输入和对称分布改善等离子密度的均匀分布

三区气体分布为刻蚀速度的均匀度提高有效的可调性

静电吸盘双区冷却装置提高晶片温度可调性，极大改善晶圆片刻蚀均匀度

这么牛逼只想知道什么时候能买到？工艺直接跟到英特尔了？没记错话农企都还是32纳米 22的还没影子

7nm没有影的事情，赶紧先把14-16nm搞定了。这就是大功一件了。

上微推出90纳米光刻机 成为全球荷兰和日本的3家公司外的第四家生产光刻机的企业


http://www.jfdaily.com/shanghai/bw/201405/t20140514_339943.html


　“我们一定要珍惜这个时代”
　　
　　2009年，作为国家16个重大专项之一的“02专项”启动，它的全名叫“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”。而光刻机，是这个专项的重中之重。
　　
　　今年底，上微公司研制的90纳米光刻机将接受“02专项”验收。接下来的5年内，上微将研发65纳米光刻机，并实现产业化。再接下来，是45纳米、32纳米……逐步逼近1/2000的发丝宽度。
　　
　　1961年出生的贺荣明告诉记者，他的职业生涯经历了三个阶段。第一阶段是“引进期”。1985年从同济大学机械工程管理系毕业后，他进入原上海机电工业管理局，从事国外技术的引进工作，但发觉总赶不上国外设备的更新换代。第二阶段是从1990年开始的“合资期”。那时他转入企业，与许多外国企业谈合作，用中国巨大的市场换先进技术，但核心技术仍被外国企业攥在手里。第三阶段是“创新期”。2002年，他受命组建上微公司，开启了一段艰难而辉煌的创新历程。
　　
　　这三个阶段，与改革开放后中国的发展道路紧紧维系在一起。“我经常对公司员工们讲，如今国家对自主创新的支持力度史无前例，我们一定要珍惜这个时代。”贺荣明动情地说。


　　
　　我想为中国科技赢得更大尊重
　　
　　——对话上海微电子装备有限公司总经理贺荣明





贺荣明近影　

　

　　记者：科技部的一位领导说过：研发光刻机堪称市场化时代的“两弹一星”工程。为什么这么说？
　　
　　贺荣明：光刻机是制造大规模集成电路芯片的关键设备，如今，小到手机、平板电脑，大到民航客机、导弹，都离不开芯片。所以对一个国家来说，光刻机属于重大战略装备，不掌握光刻机的核心技术，就意味着我们永远受制于人。发达国家很清楚这一点，他们愿意向我们出口先进的集成电路芯片，但在光刻机设备上实行严密的封锁。因此，上海微电子装备公司（SMEE）要向“两弹一星”团队学习，自力更生、大力协同，努力实现光刻机的国产化。
　　
　　但在市场化时代，我们也要充分利用全球资源，在零部件制造上与国外企业大力合作。在光刻机的技术链上，上微公司把自身定位于顶层系统设计者。就像苹果公司一样，零部件可以由合作企业提供，但系统设计和核心技术要掌握在自己手里。
　　
　　记者：2002年上微公司成立至今，已有12年了，这些年里让您感到压力最大的事情是什么？
　　
　　贺荣明：上微公司成立的缘起，是承担国家“863计划”项目，研发100纳米光刻机，但我觉得压力最大的事情不是单纯的科技攻关，而是如何把样机变成产品，去占领市场。尽管我们公司得到了政府的资金支持，但作为企业，如果不具备在市场竞争中“自我造血”的能力，那是不会长久的。
　　
　　所以在进行100纳米光刻机样机攻关时，我就决定抽调一部分人员，研发另一种有望在短期内市场化的光刻机——先进封装光刻机。当时的“两线作战”，给我很大压力。但事实证明我们“赌”对了，目前，我们生产的先进封装光刻机的国内市场占有率达到80%以上，让一家美国企业在中国的销售额急剧下降。
　　
　　记者：上微公司已在国际光刻机市场上占有了一席之地，您还有什么梦想吗？
　　
　　贺荣明：我的梦想，是让国际同行在谈到我们时，增加一份对中国科技的尊重。
　　
　　记得12年前，我去欧洲和一些企业谈光刻机技术合作时，他们把我当成“国际骗子”，那种看我的眼神，我觉得很刺眼。现在想来，或许那算不上歧视，而是一个西方工程师在听说发展中国家也要搞光刻机时的正常反应。但如今，欧美、日本的光刻机整机、零部件生产企业都对我们刮目相看，很多公司想成为我们的合作伙伴。我希望今后在光刻机领域占有越来越重要的位置。



http://www.smee.com.cn/eis.pub?s ... clicknodeno=1_4_1_1

SSA600/20 步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。


上微推出90纳米光刻机 成为全球荷兰和日本的3家公司外的第四家生产光刻机的企业


http://www.jfdaily.com/shanghai/bw/201405/t20140514_339943.html


　“我们一定要珍惜这个时代”
　　
　　2009年，作为国家16个重大专项之一的“02专项”启动，它的全名叫“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”。而光刻机，是这个专项的重中之重。
　　
　　今年底，上微公司研制的90纳米光刻机将接受“02专项”验收。接下来的5年内，上微将研发65纳米光刻机，并实现产业化。再接下来，是45纳米、32纳米……逐步逼近1/2000的发丝宽度。
　　
　　1961年出生的贺荣明告诉记者，他的职业生涯经历了三个阶段。第一阶段是“引进期”。1985年从同济大学机械工程管理系毕业后，他进入原上海机电工业管理局，从事国外技术的引进工作，但发觉总赶不上国外设备的更新换代。第二阶段是从1990年开始的“合资期”。那时他转入企业，与许多外国企业谈合作，用中国巨大的市场换先进技术，但核心技术仍被外国企业攥在手里。第三阶段是“创新期”。2002年，他受命组建上微公司，开启了一段艰难而辉煌的创新历程。
　　
　　这三个阶段，与改革开放后中国的发展道路紧紧维系在一起。“我经常对公司员工们讲，如今国家对自主创新的支持力度史无前例，我们一定要珍惜这个时代。”贺荣明动情地说。


　　
　　我想为中国科技赢得更大尊重
　　
　　——对话上海微电子装备有限公司总经理贺荣明





贺荣明近影　

　

　　记者：科技部的一位领导说过：研发光刻机堪称市场化时代的“两弹一星”工程。为什么这么说？
　　
　　贺荣明：光刻机是制造大规模集成电路芯片的关键设备，如今，小到手机、平板电脑，大到民航客机、导弹，都离不开芯片。所以对一个国家来说，光刻机属于重大战略装备，不掌握光刻机的核心技术，就意味着我们永远受制于人。发达国家很清楚这一点，他们愿意向我们出口先进的集成电路芯片，但在光刻机设备上实行严密的封锁。因此，上海微电子装备公司（SMEE）要向“两弹一星”团队学习，自力更生、大力协同，努力实现光刻机的国产化。
　　
　　但在市场化时代，我们也要充分利用全球资源，在零部件制造上与国外企业大力合作。在光刻机的技术链上，上微公司把自身定位于顶层系统设计者。就像苹果公司一样，零部件可以由合作企业提供，但系统设计和核心技术要掌握在自己手里。
　　
　　记者：2002年上微公司成立至今，已有12年了，这些年里让您感到压力最大的事情是什么？
　　
　　贺荣明：上微公司成立的缘起，是承担国家“863计划”项目，研发100纳米光刻机，但我觉得压力最大的事情不是单纯的科技攻关，而是如何把样机变成产品，去占领市场。尽管我们公司得到了政府的资金支持，但作为企业，如果不具备在市场竞争中“自我造血”的能力，那是不会长久的。
　　
　　所以在进行100纳米光刻机样机攻关时，我就决定抽调一部分人员，研发另一种有望在短期内市场化的光刻机——先进封装光刻机。当时的“两线作战”，给我很大压力。但事实证明我们“赌”对了，目前，我们生产的先进封装光刻机的国内市场占有率达到80%以上，让一家美国企业在中国的销售额急剧下降。
　　
　　记者：上微公司已在国际光刻机市场上占有了一席之地，您还有什么梦想吗？
　　
　　贺荣明：我的梦想，是让国际同行在谈到我们时，增加一份对中国科技的尊重。
　　
　　记得12年前，我去欧洲和一些企业谈光刻机技术合作时，他们把我当成“国际骗子”，那种看我的眼神，我觉得很刺眼。现在想来，或许那算不上歧视，而是一个西方工程师在听说发展中国家也要搞光刻机时的正常反应。但如今，欧美、日本的光刻机整机、零部件生产企业都对我们刮目相看，很多公司想成为我们的合作伙伴。我希望今后在光刻机领域占有越来越重要的位置。



http://www.smee.com.cn/eis.pub?s ... clicknodeno=1_4_1_1

SSA600/20 步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备。此外，该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术，并配合其他分辨率增强技术，能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求。该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产。

恩 30年还是50年

恩 30年还是50年

这个太高大上了，HKC到流血

旧闻：

http://news.xinhuanet.com/tech/2013-09/06/c_117266426.htm

我国自主研发成功世界唯一实用化深紫外固态激光源前沿装备


2013年09月06日 20:00:47  来源： 新华网   




64


　　新华网北京９月６日电（记者吴晶晶、翟玉珠）由中科院承担的国家重大科研装备“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”６日通过验收，使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化、精密化深紫外全固态激光器的国家。

　　我国科学家已应用该系列装备在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等领域获得了一系列重要研究成果，使我国深紫外领域的科研水平处于国际领先地位。

　　深紫外技术与装备在物理、化学、材料、信息、生命、资环等学科领域均有重大应用价值。目前世界上深紫外波段科研装备存在能量分辨率低、光子通量小等不足，已不能满足深紫外波段前沿科学发展需求。

　　在财政部专项资金支持下，中科院研制成功了具有自主知识产权的深紫外固态激光源系列装备，包括：深紫外非线性光学晶体与器件平台、深紫外全固态激光源平台，以及基于这两个平台研制的８台新型深紫外激光科研装备，分别是：深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光发射电子显微镜、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪。

　　据介绍，中科院科研人员经过１０余年的努力，在国际上首先生长出大尺寸氟硼铍酸钾晶体，并发现该晶体是第一种可用直接倍频法产生深紫外波段激光的非线性光学晶体。在此基础上发明了棱镜耦合专利技术，率先发展出直接倍频产生深紫外激光的先进技术。目前，中科院在棱镜耦合器件上已获中、美、日专利，使我国成为世界上唯一能够研制实用化、精密化深紫外固态激光源的国家。

　　验收会上，专家一致认为该项目是我国自主研发高精尖仪器的成功范例，属于源头创新工作。中科院院长白春礼表示，该项目的实施打造了我国“晶体－光源－装备－科研－产业化”的自主创新链，形成了创新的项目组织与管理模式，对学科交叉面广、跨度大、探索性和工程性均很强的原创性重大科研装备自主创新积累了宝贵经验。

　据了解，在科技部支持下，中科院已启动了深紫外仪器设备的产业化开发工作，逐步将其推向市场；并在财政部支持下启动了二期工作，将进行６台国际领先水平的仪器设备研制，继续推动深紫外技术的深度开发。

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2011年10月27日，中国工程院院士、中科院深紫外固态激光源前沿装备研制项目首席科学家许祖彦（右），在其领衔研发成功国际首创深紫外全固态激光源的实验室与青年科研人员交流。中新社发 孙自法 摄
　　
　　
　　　　中国科学家利用独创、独有的深紫外技术和深紫外激光非线性光学晶体，通过总投资1.8亿元人民币的深紫外固态激光源前沿装备研制项目，已成功研制出深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光发射电子显微镜等8台深紫外固态激光源前沿装备，均为当今世界所独有的科研利器，居深紫外领域国际领先地位。

http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/201305/t20130521_105970.htm




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功率、窄线宽177.3nm深紫外激光输出在我国首次实现



日期：2013年05月22日      来源：科技部




     在“十二五”863计划新材料领域“先进激光材料及全固态激光技术”主题项目支持下，中国科学院理化技术研究所承担的“深紫外激光器及人工晶体关键技术”课题取得重大进展，于近期通过了课题技术验收。
    深紫外激光由于波长短、光子能量高，因而在高分辨率成像、光谱应用、微细加工等诸多领域具有重要的应用价值，获得实用化、精密化的深紫外光源一直是科学家们不断追求的目标。我国在深紫外晶体材料和激光技术领域具有国际领先优势，但随着应用的发展，急需更高性能的深紫外全固态激光源（DUV-DPL），如更高功率、更窄线宽。
   

该课题在国际上首次实现高功率、窄线宽177.3nm深紫外激光输出，解决了大尺寸KBBF 族深紫外晶体生长、优质KBBF-PCT器件研制、高效深紫外倍频技术、窄线宽深紫外激光产生技术等关键问题，KBBF晶体厚度突破4mm，首次获得了大功率（146.5 mW）、窄线宽（0.88 pm）的177.3 nm深紫外激光输出。


    课题完善、巩固了我国拥有的深紫外自主知识产权体系，填补了直接倍频产生高功率、窄线宽深紫外激光的空白，扩展了深紫外激光可实用化、精密化应用。



旧闻：

http://news.xinhuanet.com/tech/2013-09/06/c_117266426.htm

我国自主研发成功世界唯一实用化深紫外固态激光源前沿装备


2013年09月06日 20:00:47  来源： 新华网   




64


　　新华网北京９月６日电（记者吴晶晶、翟玉珠）由中科院承担的国家重大科研装备“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”６日通过验收，使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化、精密化深紫外全固态激光器的国家。

　　我国科学家已应用该系列装备在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等领域获得了一系列重要研究成果，使我国深紫外领域的科研水平处于国际领先地位。

　　深紫外技术与装备在物理、化学、材料、信息、生命、资环等学科领域均有重大应用价值。目前世界上深紫外波段科研装备存在能量分辨率低、光子通量小等不足，已不能满足深紫外波段前沿科学发展需求。

　　在财政部专项资金支持下，中科院研制成功了具有自主知识产权的深紫外固态激光源系列装备，包括：深紫外非线性光学晶体与器件平台、深紫外全固态激光源平台，以及基于这两个平台研制的８台新型深紫外激光科研装备，分别是：深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光发射电子显微镜、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪。

　　据介绍，中科院科研人员经过１０余年的努力，在国际上首先生长出大尺寸氟硼铍酸钾晶体，并发现该晶体是第一种可用直接倍频法产生深紫外波段激光的非线性光学晶体。在此基础上发明了棱镜耦合专利技术，率先发展出直接倍频产生深紫外激光的先进技术。目前，中科院在棱镜耦合器件上已获中、美、日专利，使我国成为世界上唯一能够研制实用化、精密化深紫外固态激光源的国家。

　　验收会上，专家一致认为该项目是我国自主研发高精尖仪器的成功范例，属于源头创新工作。中科院院长白春礼表示，该项目的实施打造了我国“晶体－光源－装备－科研－产业化”的自主创新链，形成了创新的项目组织与管理模式，对学科交叉面广、跨度大、探索性和工程性均很强的原创性重大科研装备自主创新积累了宝贵经验。

　据了解，在科技部支持下，中科院已启动了深紫外仪器设备的产业化开发工作，逐步将其推向市场；并在财政部支持下启动了二期工作，将进行６台国际领先水平的仪器设备研制，继续推动深紫外技术的深度开发。

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2011年10月27日，中国工程院院士、中科院深紫外固态激光源前沿装备研制项目首席科学家许祖彦（右），在其领衔研发成功国际首创深紫外全固态激光源的实验室与青年科研人员交流。中新社发 孙自法 摄
　　
　　
　　　　中国科学家利用独创、独有的深紫外技术和深紫外激光非线性光学晶体，通过总投资1.8亿元人民币的深紫外固态激光源前沿装备研制项目，已成功研制出深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光发射电子显微镜等8台深紫外固态激光源前沿装备，均为当今世界所独有的科研利器，居深紫外领域国际领先地位。

http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/201305/t20130521_105970.htm




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功率、窄线宽177.3nm深紫外激光输出在我国首次实现



日期：2013年05月22日      来源：科技部




     在“十二五”863计划新材料领域“先进激光材料及全固态激光技术”主题项目支持下，中国科学院理化技术研究所承担的“深紫外激光器及人工晶体关键技术”课题取得重大进展，于近期通过了课题技术验收。
    深紫外激光由于波长短、光子能量高，因而在高分辨率成像、光谱应用、微细加工等诸多领域具有重要的应用价值，获得实用化、精密化的深紫外光源一直是科学家们不断追求的目标。我国在深紫外晶体材料和激光技术领域具有国际领先优势，但随着应用的发展，急需更高性能的深紫外全固态激光源（DUV-DPL），如更高功率、更窄线宽。
   

该课题在国际上首次实现高功率、窄线宽177.3nm深紫外激光输出，解决了大尺寸KBBF 族深紫外晶体生长、优质KBBF-PCT器件研制、高效深紫外倍频技术、窄线宽深紫外激光产生技术等关键问题，KBBF晶体厚度突破4mm，首次获得了大功率（146.5 mW）、窄线宽（0.88 pm）的177.3 nm深紫外激光输出。


    课题完善、巩固了我国拥有的深紫外自主知识产权体系，填补了直接倍频产生高功率、窄线宽深紫外激光的空白，扩展了深紫外激光可实用化、精密化应用。

这是2013年7月份的报道
四年磨“一片”
我国在22纳米技术这一高端研发上有所建树——4年前，这会被看做是天方夜谭。然而，中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心团队实现重大突破，让这一梦想成真。到目前为止，全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产。
全文地址：http://news.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2013/7/275105.shtm

2013年中芯为高通提供大量的40纳米的骁龙系列芯片。2014年12月18日，中芯国际宣布成功制造28nm Qualcomm骁龙410处理器，藉此成为中国内地第一家在最先进工艺节点上生产高性能、低功耗手机处理器的晶圆代工厂。集微网记者针对中芯在高通28纳米芯片中的占比情况时，邱总表示具体数值不方便透露。

　　随着智能手机、平板电脑等设备的普及，移动和消费类电子市场增长迅猛，28纳米的营收潜力更强劲。从工艺和成本角度上来说，28纳米制程的生存周期也会更长。在SoC中包括嵌入式存储器、I/O及其它逻辑功能芯片，大部分情况下都会采用28纳米工艺技术，它是最优化的成本工艺。明年中芯国际28纳米工艺的量产，对于国内外企业、包括中芯自己都是至关重要的。

　　昨日台积电张忠谋在公开场合含蓄表示“台积电有中芯目前没有的技术，中芯的制程是N-3（N代表最先进制程，N-3意味落后3代），还在40纳米挣扎。”对此邱总回应道，“中芯国际在技术的整体布局基点是满足客户的需求，并不需要争取最先进的技术节点，28纳米是目前中芯最先进的技术节点，客户的兴趣高涨，我们有信心在满足客户需求的同时，更贴近业界对中芯的期许。”

　　中芯国际一直以追赶国际先进主流工艺和大力挖掘成熟工艺“两条腿走路”的方式作为公司的发展方向。邱总表示，在许多应用的工艺需求上，包括电源管理，指纹辨识等其实并不需要最先进的工艺技术，但相对适合成熟工艺的发展，中芯国际会发挥差异化的优势，为客户提供增值服务。在客户有特殊器件的需求时，中芯将提供量身定制业务，帮助客户解决技术难题。

　　中芯国际经营业绩迈向新台阶

　　截至2014年9月30日中芯国际今年第三季度财报显示，销售额为5.216亿美元，环比增长2.0%，同比增长3.6%。邱总评论道，我们已经连续第十个季度盈利，得到了国内外投资者的认可，一年内融资规模超过10亿美元。基于8寸晶圆市场的供不应求，深圳8寸厂的投产必将对中芯的整体营收和利润带来更加积极的影响。

　　2015年即将来临，邱总表示中芯国际有两大挑战值得重视。“首先是快速实现北京二期28纳米技术的量产，满足客户对于28纳米产品上的强劲需求；另外则是深圳8寸厂的产能提高，满足强劲的客户需求。依据地缘优势贴近客户和厂商，帮助深圳集成电路的上下游企业实现快速生产，降低存货成本，并提供便捷高效的服务。”

　　最后邱总提到，中芯还有许多新的技术正在推向市场，例如55纳米嵌入式挥发性存储器、38纳米NAND存储器、高端CIS等都会作为明年重点的技术爬坡。

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中时电子报：

中芯28奈米製程 年底量產


2014年04月15日 04:10
記者吳瑞達／綜合報導



   
2/10




中國知名半導體廠商中芯國際的公共事務資源副管理師馬碩稍早表示，該公司28奈米製程，可望在今年底量產，而20奈米製程將在2015年準備就緒。

證券時報網報導，中國最大晶圓代工廠商中芯國際，今年1月26日宣布進入28奈米時代，可為全球積體電路設計業，提供包括28奈米多晶矽，與28奈米高介電常數金屬閘極（HKMG）在內的多種晶圓服務。



相關產品主要應用在智慧手機、平板電腦、機上盒及網際網路等，及消費電子產品領域。

今年2月，美國知名無線通訊廠家高通通訊宣布，已將28奈米手機晶片生產部分轉到中芯國際，對此，中芯國際公共事務資源副管理師馬碩表示，高通作為國際大客戶，遲早都會與中國最大的晶圓代工廠中芯國際合作，合作本身也將提升中芯國際28奈米的技術水準。

報導指出，中芯國際28奈米～45奈米製程，將由目前在建的中芯國際北京二期工程負責，預計今年9月竣工，並將建成1條月產能3.5萬片的積體電路生產線，投產後，預計可達年銷售收入13.4億美元，年獲利約2.7億美元。另外，深圳廠房工程也在積極建設中。

馬碩說，明年中芯國際的20奈米程，將會準備完善。之前是中芯國際引導晶片客戶們走，現在是客戶需求引導中芯國際往前走，不斷更新技術來適應需求。



http://www.chinatimes.com/newspapers/20140415000096-260203

對於傳聞已久的積體電路產業扶持政策方面，馬碩指出，中國對積體電路產業的佈局，就是扶持成為龍頭型企業。中芯國際作為中國最大的晶圓代工廠，可望在其中扮演重要角色。以北京二期工程為例，目前投資35.9億美元，其中，55％來自中芯國際，45％是來自北京的積體電路產業扶持政策，金額為300億元人民幣。

15年5月了，有没有最新进展？