复旦大学张卫教授课题组在22纳米CMOS关键技术先导研发上 ...

22 纳米 CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发，该项目由中科院微电子所牵头，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所共同参与，开展联合攻关。经过3年多的辛勤努力，复旦大学微电子学系张卫教授课题组在22纳米 CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工艺。
在22纳米 CMOS技术节点，为降低成本、减少功耗和提高器件性能，需要引入新的工艺如栅工程、超浅结源漏、应变沟道和先进互连技术等。复旦大学张卫教授课题组的研究工作主要集中在超浅结源漏和互连工艺。我们提出了极限超薄可控金属硅化物工艺，以及超浅结低温微波退火激活技术。如图1所示，金属硅化物接触电阻< 10-7 cm2；金属有效肖特基势垒高度<0.1eV；PMOS结深<18 nm，满足22纳米CMOS器件的需要。在互连技术上，探索多种超低k互连介质并将之整合到铜互连工艺中。如图2所示，这种超低k材料的前驱体分子本身就有个纳米环，采用这种特殊的前驱体后，可以通过C-C桥联键将纳米孔结构均匀地分布在薄膜中，在降低薄膜k值的同时可以获得较强的薄膜机械性能。此外，我们优化纳米通孔的铜互连电镀新工艺，实现了无孔洞的Cu电

在研发过程中，复旦大学张卫课题组共申请相关发明专利180多项，其中包括50项国际专利申请。整个22纳米关键技术先导研发项目完成1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定基础。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
改动

news.fudan.edu.cn/2012/1220/32430.html

简单说原理就是晶体管原理分两种，一种是MOS晶体管，控制栅可以直接控制电荷，这种类型反应速度快，适合做CPU，还有一种叫浮珊晶体管，反应速度慢，但即使断电也不会影响电荷也能长时间保留。适合做U盘固定硬盘啊等等，但有一些部件既需要速度，也需要有一定的保留时间，比如CPU的高速缓存内存等等。这样一般还是用MOS晶体管，只是用多个晶体管组成稳态电路。这样在CPU架构里边就要有一部分浪费在这上面，而我上面张卫教授做法就是半浮珊晶体管，在浮珊晶体管的绝缘层中开个小门，这样半浮珊晶体管速度几乎和MOS晶体管相当，而且仍然有存储功能，这样就可以大大缩小CPU缓存面积，可以把这部分晶体管做成运算部位啊等等。但貌似张教授的话，意思是这个技术如果不和国外合作的话，国外会封杀你，虽然他也想先用在中国自己民族产业上22 纳米 CMOS技术是全球正在研究开发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，力争抢占技术制高点。Intel开发的基于三栅器件结构的处理器已于近期实现量产；IBM联盟也于近期发布了采用22纳米工艺生产的SRAM芯片；Global Foundries，欧洲的IMEC，日韩的三星、Toshiba和我国台湾的台积电也发布了各自的22纳米制程技术；我国于2009年在国家科技重大专项的支持下开始22纳米关键技术先导研发，该项目由中科院微电子所牵头，北京大学、清华大学、复旦大学和中科院微系统所共同参与，开展联合攻关。经过3年多的辛勤努力，复旦大学微电子学系张卫教授课题组在22纳米 CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工艺。
在22纳米 CMOS技术节点，为降低成本、减少功耗和提高器件性能，需要引入新的工艺如栅工程、超浅结源漏、应变沟道和先进互连技术等。复旦大学张卫教授课题组的研究工作主要集中在超浅结源漏和互连工艺。我们提出了极限超薄可控金属硅化物工艺，以及超浅结低温微波退火激活技术。如图1所示，金属硅化物接触电阻< 10-7 cm2；金属有效肖特基势垒高度<0.1eV；PMOS结深<18 nm，满足22纳米CMOS器件的需要。在互连技术上，探索多种超低k互连介质并将之整合到铜互连工艺中。如图2所示，这种超低k材料的前驱体分子本身就有个纳米环，采用这种特殊的前驱体后，可以通过C-C桥联键将纳米孔结构均匀地分布在薄膜中，在降低薄膜k值的同时可以获得较强的薄膜机械性能。此外，我们优化纳米通孔的铜互连电镀新工艺，实现了无孔洞的Cu电

在研发过程中，复旦大学张卫课题组共申请相关发明专利180多项，其中包括50项国际专利申请。整个22纳米关键技术先导研发项目完成1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定基础。
多年来，我国的集成电路先进制造工艺大多是在引进的核心知识产权上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。此次22纳米关键技术先导研发是国内第一次在全球最先进工艺技术代组织这么大规模的产学研联合攻关，同期，国内制造企业在28纳米工艺上也在进行开发，目标就是在22纳米核心技术的知识产权中取得一席之地，在我国集成电路制造产业进入22纳米技术代时，开始拥有自己的话语权。该成果的取得对我国集成电路产业在22纳米获得具有自主知识产权的核心技术有重要意义，也为我国继续自主研发16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。结合国内制造企业在28纳米技术研发上取得的突破，我国已开始在全球尖端集成电路技术创新链中拥有自己的地位。
改动

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简单说原理就是晶体管原理分两种，一种是MOS晶体管，控制栅可以直接控制电荷，这种类型反应速度快，适合做CPU，还有一种叫浮珊晶体管，反应速度慢，但即使断电也不会影响电荷也能长时间保留。适合做U盘固定硬盘啊等等，但有一些部件既需要速度，也需要有一定的保留时间，比如CPU的高速缓存内存等等。这样一般还是用MOS晶体管，只是用多个晶体管组成稳态电路。这样在CPU架构里边就要有一部分浪费在这上面，而我上面张卫教授做法就是半浮珊晶体管，在浮珊晶体管的绝缘层中开个小门，这样半浮珊晶体管速度几乎和MOS晶体管相当，而且仍然有存储功能，这样就可以大大缩小CPU缓存面积，可以把这部分晶体管做成运算部位啊等等。但貌似张教授的话，意思是这个技术如果不和国外合作的话，国外会封杀你，虽然他也想先用在中国自己民族产业上