超级军网东芝将向1znm制程迈进 并推进3D技术发展
来源：百度文库 编辑：超级军网 时间：2024/04/28 13:10:59
东芝(Toshiba)半导体事业在2013年中，因主力产品NAND Flash需求回稳转亏为盈；相对于主要对手三星电子(Samsung Electronics)在2013年便开始生产的3D NAND，东芝则先走向更精细制程，随后才进行3D化配线。
东芝半导体与储存(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示，由于智能手机与平板计算机需求，2014年市场仍有4~5成的成长率，因此东芝的NAND Flash与模块化后的eMMC内嵌存储器需求均可乐观。
相对于三星率先进入3D NAND领域，成毛康雄表示，东芝NAND Flash已用1ynm(相当于19纳米)制程以降低成本，且进一步将采用1znm等级制程，然后再推出3D BiCS技术的3D NAND产品。
成毛康雄表示，东芝认为3D配线是缩减NAND Flash占用面积的技术之一，与1ynm或1znm目标相同，没有先进或落后的问题；东芝的3D BiCS技术，便是1znm制程的3D NAND，可结合更细线路与3D配线的优点，在1znm产品推出后再上市，将可进一步缩减占用面积与成本。
而东芝发展中的磁性随机存储器STT-RAM预计将在2014年推出样品，目标是2015年起量产，初步将取代PC中的快取存储器，最终将取代DRAM。
另一重点产品系统LSI，目前市场竞争严重，短期仍难转亏为盈，但因汽车、医疗系统、传感器相关市场的系统LSI需求，长期看好，故东芝将放眼长期市场进行研发。
而东芝的分立器件(Discrete Semiconductor)部门，在2011年9月泰国洪水中损失惨重，却也藉此淘汰落伍设备，2013年夏季重新开工，目前MOSFET与白光LED除有GaN系列8寸晶圆产品外，还研发SiC系列产品，均将于2014年中推出样品。
http://www.chinaflashmarket.com/News/2014-02/136898
东芝(Toshiba)半导体事业在2013年中，因主力产品NAND Flash需求回稳转亏为盈；相对于主要对手三星电子(Samsung Electronics)在2013年便开始生产的3D NAND，东芝则先走向更精细制程，随后才进行3D化配线。
东芝半导体与储存(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示，由于智能手机与平板计算机需求，2014年市场仍有4~5成的成长率，因此东芝的NAND Flash与模块化后的eMMC内嵌存储器需求均可乐观。
相对于三星率先进入3D NAND领域，成毛康雄表示，东芝NAND Flash已用1ynm(相当于19纳米)制程以降低成本，且进一步将采用1znm等级制程，然后再推出3D BiCS技术的3D NAND产品。
成毛康雄表示，东芝认为3D配线是缩减NAND Flash占用面积的技术之一，与1ynm或1znm目标相同，没有先进或落后的问题；东芝的3D BiCS技术，便是1znm制程的3D NAND，可结合更细线路与3D配线的优点，在1znm产品推出后再上市，将可进一步缩减占用面积与成本。
而东芝发展中的磁性随机存储器STT-RAM预计将在2014年推出样品，目标是2015年起量产，初步将取代PC中的快取存储器，最终将取代DRAM。
另一重点产品系统LSI，目前市场竞争严重，短期仍难转亏为盈，但因汽车、医疗系统、传感器相关市场的系统LSI需求，长期看好，故东芝将放眼长期市场进行研发。
而东芝的分立器件(Discrete Semiconductor)部门，在2011年9月泰国洪水中损失惨重，却也藉此淘汰落伍设备，2013年夏季重新开工，目前MOSFET与白光LED除有GaN系列8寸晶圆产品外，还研发SiC系列产品，均将于2014年中推出样品。
http://www.chinaflashmarket.com/News/2014-02/136898
东芝半导体与储存(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示，由于智能手机与平板计算机需求，2014年市场仍有4~5成的成长率，因此东芝的NAND Flash与模块化后的eMMC内嵌存储器需求均可乐观。
相对于三星率先进入3D NAND领域，成毛康雄表示，东芝NAND Flash已用1ynm(相当于19纳米)制程以降低成本，且进一步将采用1znm等级制程，然后再推出3D BiCS技术的3D NAND产品。
成毛康雄表示，东芝认为3D配线是缩减NAND Flash占用面积的技术之一，与1ynm或1znm目标相同，没有先进或落后的问题；东芝的3D BiCS技术，便是1znm制程的3D NAND，可结合更细线路与3D配线的优点，在1znm产品推出后再上市，将可进一步缩减占用面积与成本。
而东芝发展中的磁性随机存储器STT-RAM预计将在2014年推出样品，目标是2015年起量产，初步将取代PC中的快取存储器，最终将取代DRAM。
另一重点产品系统LSI，目前市场竞争严重，短期仍难转亏为盈，但因汽车、医疗系统、传感器相关市场的系统LSI需求，长期看好，故东芝将放眼长期市场进行研发。
而东芝的分立器件(Discrete Semiconductor)部门，在2011年9月泰国洪水中损失惨重，却也藉此淘汰落伍设备，2013年夏季重新开工，目前MOSFET与白光LED除有GaN系列8寸晶圆产品外，还研发SiC系列产品，均将于2014年中推出样品。
http://www.chinaflashmarket.com/News/2014-02/136898
东芝(Toshiba)半导体事业在2013年中，因主力产品NAND Flash需求回稳转亏为盈；相对于主要对手三星电子(Samsung Electronics)在2013年便开始生产的3D NAND，东芝则先走向更精细制程，随后才进行3D化配线。
东芝半导体与储存(Toshiba Semiconductor & Storage Products)社长成毛康雄表示，由于智能手机与平板计算机需求，2014年市场仍有4~5成的成长率，因此东芝的NAND Flash与模块化后的eMMC内嵌存储器需求均可乐观。
相对于三星率先进入3D NAND领域，成毛康雄表示，东芝NAND Flash已用1ynm(相当于19纳米)制程以降低成本，且进一步将采用1znm等级制程，然后再推出3D BiCS技术的3D NAND产品。
成毛康雄表示，东芝认为3D配线是缩减NAND Flash占用面积的技术之一，与1ynm或1znm目标相同，没有先进或落后的问题；东芝的3D BiCS技术，便是1znm制程的3D NAND，可结合更细线路与3D配线的优点，在1znm产品推出后再上市，将可进一步缩减占用面积与成本。
而东芝发展中的磁性随机存储器STT-RAM预计将在2014年推出样品，目标是2015年起量产，初步将取代PC中的快取存储器，最终将取代DRAM。
另一重点产品系统LSI，目前市场竞争严重，短期仍难转亏为盈，但因汽车、医疗系统、传感器相关市场的系统LSI需求，长期看好，故东芝将放眼长期市场进行研发。
而东芝的分立器件(Discrete Semiconductor)部门，在2011年9月泰国洪水中损失惨重，却也藉此淘汰落伍设备，2013年夏季重新开工，目前MOSFET与白光LED除有GaN系列8寸晶圆产品外，还研发SiC系列产品，均将于2014年中推出样品。
http://www.chinaflashmarket.com/News/2014-02/136898
比三星落后太多了
hillsboro1 发表于 2014-2-20 20:09
比三星落后太多了
日经BP上说东芝的1znm制程是 16nm 3D工艺，
能够让芯片面积变得更小。
比三星落后太多了
日经BP上说东芝的1znm制程是 16nm 3D工艺，
能够让芯片面积变得更小。
sayina 发表于 2014-2-20 21:08
日经BP上说东芝的1znm制程是 16nm 3D工艺，
能够让芯片面积变得更小。
量产还有1年，三星都大量出货了，而且是出给苹果mac pro ，这差距很巨大啊
日经BP上说东芝的1znm制程是 16nm 3D工艺，
能够让芯片面积变得更小。
量产还有1年，三星都大量出货了，而且是出给苹果mac pro ，这差距很巨大啊