中微刻蚀机获得韩国先进存储芯片客户重复订单

2014年2月12日存储在线报道： 中微半导体设备有限公司（简称“中微”）宣布获得韩国先进存储芯片生产厂商购买Primo SSC AD-RIE™（中微单反应台等离子体刻蚀设备）的重复订单。该设备被客户认可为用于16纳米关键闪存芯片加工的首选设备（PTOR），将用于大批量芯片生产。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通过客户生产线上严格的验证，取得了比其他同类竞争产品更加优异的结果。中微现在正在和客户合作研究开发DRAM和3D NAND工艺。中微刻蚀机获得韩国先进存储芯片客户重复订单中微单反应台等离子体刻蚀设备Primo SSC AD-RIE(TM)

中微副总裁兼韩国区总经理尹敬一表示，中微设备成为“PTOR”标志着中微取得了一项重大进展，他说道：“很明显，现在处于世界前沿的客户不单单想从供应商那儿寻找新设备，他们还希望能够为复杂的生产过程带来的挑战寻求全面解决方案。这就要求先进技术和相关专业知识紧密联系在一起，正是依靠这种模式，我们为该客户解决了生产过程中碰到的各种问题，使得客户的闪存芯片开发取得新的进展。”
Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蚀设备产品，能够满足超高产能、优异的芯片加工质量和芯片刻蚀技术可延展性等严苛的技术要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圆传递平台可配置多达6个单晶圆加工反应器，每个反应器可以独立地设定加工条件，从而灵活地实现精准的工艺控制。每个反应器有极高的抽速，并有多区气体分布、动态射频功率以及多区温度控制等可独立调节的工艺参数。而在线工艺微调和稳固的腔体设计避免了高深宽比刻蚀工艺中常出现的刻蚀停止现象以及工艺飘移现象的发生，从而提高刻蚀的重复性并更容易实现反应器之间的良好匹配，能够大大提高生产效率。
中微刻蚀设备的一大关键优势在于它的配置极具灵活性。它在同一个主机系统上可以配备双反应器实现高产出和低成本，或者也可以配备单反应器以满足关键刻蚀工艺中高抽速等要求。这种配置的灵活性还体现在气体控制系统的安装上，他们既可以置于地面以便于维护，也可以置于设备上方以减少占地面积。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注册商标。
http://laoyaoba.com/ss6/html/71/n-468371.html2014年2月12日存储在线报道： 中微半导体设备有限公司（简称“中微”）宣布获得韩国先进存储芯片生产厂商购买Primo SSC AD-RIE™（中微单反应台等离子体刻蚀设备）的重复订单。该设备被客户认可为用于16纳米关键闪存芯片加工的首选设备（PTOR），将用于大批量芯片生产。此前，中微的Primo SSC AD-RIE™通过客户生产线上严格的验证，取得了比其他同类竞争产品更加优异的结果。中微现在正在和客户合作研究开发DRAM和3D NAND工艺。中微刻蚀机获得韩国先进存储芯片客户重复订单中微单反应台等离子体刻蚀设备Primo SSC AD-RIE(TM)

中微副总裁兼韩国区总经理尹敬一表示，中微设备成为“PTOR”标志着中微取得了一项重大进展，他说道：“很明显，现在处于世界前沿的客户不单单想从供应商那儿寻找新设备，他们还希望能够为复杂的生产过程带来的挑战寻求全面解决方案。这就要求先进技术和相关专业知识紧密联系在一起，正是依靠这种模式，我们为该客户解决了生产过程中碰到的各种问题，使得客户的闪存芯片开发取得新的进展。”
Primo SSC AD-RIE™是中微Primo系列第三代、也是最新一代刻蚀设备产品，能够满足超高产能、优异的芯片加工质量和芯片刻蚀技术可延展性等严苛的技术要求。Primo SSC AD-RIE™的晶圆传递平台可配置多达6个单晶圆加工反应器，每个反应器可以独立地设定加工条件，从而灵活地实现精准的工艺控制。每个反应器有极高的抽速，并有多区气体分布、动态射频功率以及多区温度控制等可独立调节的工艺参数。而在线工艺微调和稳固的腔体设计避免了高深宽比刻蚀工艺中常出现的刻蚀停止现象以及工艺飘移现象的发生，从而提高刻蚀的重复性并更容易实现反应器之间的良好匹配，能够大大提高生产效率。
中微刻蚀设备的一大关键优势在于它的配置极具灵活性。它在同一个主机系统上可以配备双反应器实现高产出和低成本，或者也可以配备单反应器以满足关键刻蚀工艺中高抽速等要求。这种配置的灵活性还体现在气体控制系统的安装上，他们既可以置于地面以便于维护，也可以置于设备上方以减少占地面积。
Primo SSC AD-RIE和Primo D-RIE是中微的注册商标。
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